• 제목/요약/키워드: 고집적회로

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1-포트 측정을 기반으로 한 8-Term Error De-Embedding 기법 (De-Embedding Method Using 8-Term Error Based on 1-Port Calculation)

  • 송민수;김광호;나완수
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2015년도 제46회 하계학술대회
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    • pp.125-126
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    • 2015
  • 통신 시스템에서의 더 늘어난 대역폭(Band Width)의 수요로 인해 집적회로(Integrated Circuit)에서 더 높은 동작 주파수(Operating Frequency)를 필요로 하게 되었다. 고주파 영역에서는 SRF(Self Resonance Frequency) 문제와 소자 값의 정확성(Accuracy)에 대한 문제 때문에 정수소자(Lumped Element)를 이용하여 해석을 할 수 없으며 이로 인하여 어떠한 회로의 전기적 특성을 평가함에 있어서 전송선로(Transmission Line)를 이용하여 해석을 하는 것은 중요한 역할을 하게 되었다. 이러한 해석을 위해 순수한 내부 특성을 얻기 위하여 디 임베딩(De-Embedding)이라는 기법이 사용되고 있으나, 알려진 몇 가지의 방법들은 인터커넥터 부분을 완벽히 나타내지 못한다. 따라서 본 논문에서는 1-Port 측정을 기반으로 한 8-Term Error을 이용한 디 임베딩(De-Embedding) 방법을 이용하여 넓은 주파수 영역에서의 교정 값을 얻는 방법에 대하여 소개하고자 한다.

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고 집적을 위한 n-channel MOSFET의 소오스/드레인구조의 특성 비교에 관한 연구 (A Study on the Characteristics Comparison of Source/Drain Structure for VLSI in n-channel MOSFET)

  • 류장렬;홍봉식
    • 전자공학회논문지A
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    • 제30A권12호
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    • pp.60-68
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    • 1993
  • Thw VLSI device of submicron level trends to have a low level of reliability because of hot carriers which are caused by short channel effects and which do not appear in a long-channel MOSFET operated in 5V. In order to minimize the generation of hot carrier, much research has been made into various types of drain structures. This study has suggested CG MOSFET (Concaved Gate MOSFET) as new drain structure and compared its electrical characteristics with those of the conventional MOSFET and LDD-structured MOSFET by making use of a simulation method. These three device were assumed to be produced by the LOCOS process and a computer-based analysis(PISCES-2B simulator) was carried out to verify the hot electron-resistant behaviours of the devices. In the present simulation, the channel length of these devises was 1.0$\mu$m and their DC characteristics, such as VS1DT-IS1DT curves, gate and substrate current, potential contours, breakdown voltage and electric field were compared with one another.

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위성용 MMIC 기술 동향 (Technological Trend for Satellite Application MMIC)

  • 원영진;이진호;천용식
    • 항공우주기술
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    • 제7권1호
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    • pp.121-128
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    • 2008
  • 이동 통신 및 위성 통신 분야에 있어서 무선 통신 기술 분야는 무선 환경에서 신호를 보내고 받는 기능을 수행하는 중요한 분야이다. 이러한 무선 통신 분야에서 송수신한을 구성하는 송수신 부품은 RF 시스템의 성능을 좌우한다. 따라서 위성 통신 분야에 있어서 신뢰성을 획득하기 위해서는 고집적화와 소형화를 통한 경쟁력 확보가 필수적인데 이를 위한 기술이 MMIC 이다. MMIC란 RF 부품을 설계하고 제작하는 기술로서 본 논문은 MMIC 기술에 대한 소개와 위성 분야에서의 기술적인 동향과 전망을 기술하고 있다.

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Digital Tuning Analog Component 집적회로의 설계 및 제작 (Design and Fabrication of Digital Tuning Analog Component IC)

  • 신명철;장영욱;김영생;고진수
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제23권6호
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    • pp.923-928
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    • 1986
  • This paper describes the design and fabrication of a high performance digital tuning analog component integrated circuit that contains a television station detector and decoders(H and L types). When the comparator level sampling method is used, this integrated circuit can be used as a stable channel selector for an external circuit with very large signal variation. It has been fabricated using the SST bipolar standard process and its chip size is 2.2x2.1mm\ulcorner As a result, we have succeeded in fabricating the IC that satisfies the D.C characteristics, and the channel station detector and decoder function.

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X-대역 12-W 급 고출력증폭기 MMIC 개발 (Development of A X-band 12 W High Power Amplifier MMIC)

  • 장동필;노윤섭;이정원;안기범;엄만석;염인복;나형기;안창수;김선주
    • 한국군사과학기술학회지
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    • 제12권4호
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    • pp.446-451
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    • 2009
  • In this paper, we described the design and test results of a high output power amplifier MMIC developed by using 0.5um power pHEMT processes on a 6-inch GaAs wafer for the X-band T/R module application. In the MMIC design, we have used a simple on-chip gate active bias technology to compensate the threshold-voltage variation of pHEMT during the fabrication process and 16-to-1 power combining method to achieve the output power over 10watt. The fabricated chip has an output power over 12watts and maximum PAE of 32% over the frequency range of fo +/-750MHz.

우리별 1호에서의 총 방사선 측정 실험 (RESULTS OF THE TOTAL DOSE EXPERIMENT ON KITSAT-1)

  • 이대희;신영훈;민경욱
    • Journal of Astronomy and Space Sciences
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    • 제14권1호
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    • pp.80-86
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    • 1997
  • 지구 주변의 방사선대에 존재하는 고에너지 입자들은 위성계의 전자 재료, 부품, 및 집적 회로 등에 일시적 또는 장기적인 영향을 준다. 따라서 이러한 고에너지 입자들에 의한 우주 방사선 환경에 대한 정보를 아는 것은 매우 중요하다. 총 방사선의 양을 측정하는 장치로서 MOSFET을 개량한 RADFET을 많이 사용하는데, 본 연구에서는 $Co^{60}{\gamma}-ray$를 이용하여 TOT500 RADFET을 보정하였다. 그 결과, 방사선에 대한 RADFET의 특성 곡선 변화가 온도의 변화에 매우 민감한 것을 확인하였다. 또한, 우리별 1호에서의 TDERUF과를 위성의 온도와 비교하였으며, 그 결과 TDE 실험에 나타난 특이한 형상은 지구에 의한 위성의 식 현상에서 비롯된 온도 변화가 주된 원인이었음을 확인하였다.

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적응형 바이어스 조절 회로와 2차 고조파 종단 회로를 이용한 고선형성 고효율 DMB CMOS 전력증폭기 (A Highly Linear and Efficient DMB CMOS Power Amplifier with Adaptive Bias Control and 2nd Harmonic Termination circuit)

  • 최재원;서철헌
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제44권1호
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    • pp.32-37
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    • 2007
  • 고효율과 고선형성을 갖는 DMB CMOS 전력증폭기가 제안되어 있다. 이 논문에서는 0.13-um 표준 CMOS 공정이 적용되어졌고 제안된 전력증폭기의 모든 구성 소자는 출력 정합 회로망과 적응형 바이어스 조절 회로를 포함하여 하나의 칩속에 완전히 집적되어졌다. 효율과 선형성을 동시에 개선시키기 위하여 적응형 바이어스 조절 회로가 드레인 노드에 위치한 2차 고조파 종단 회로와 함께 적용되어졌다. 전력증폭기는 각각 16.64 dBm의 $P_{1dB}$, 38.31 %의 효율 (PAE), 그리고 24.64 dB의 출력 이득을 보였다. 3차 혼변조왜곡 (IMD3)과 5차 혼변조왜곡 (IMD5)은 각각 -24.122 dBc, -37.156 dBc 이다.

고 효율 저 리플 전압 특성을 갖는 모바일용 동기 형 벅 컨버터 (Synchronous Buck Converter with High Efficiency and Low Ripple Voltage for Mobile Applications)

  • 임창종;김준식;박시홍
    • 전기전자학회논문지
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    • 제15권4호
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    • pp.319-323
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    • 2011
  • 본 논문에서는 Mobile 기기의 다양한 기능을 지원하기 위해 사용되는 내부 회로들의 낮은 전압 레벨을 지원하기위해 가장 널리 사용되는 SMPS(Switch Mode Power Supply)방식의 Buck converter를 설계한다. 제안된 Buck converter는 넓은 부하 영역에서 높은 효율을 가지는 것을 목적으로 일반적인 구동 방식인 PWM (Pulse Width Modulation)Mode의 고 효율 저 리플 특성 구현 외에 PFM(Pulse Frequency Modulation) Mode를 적용하여 낮은부하 조건 혹은 부하를 사용하지 않는 대기 시간에서도 고 효율 저 리플 특성을 가지는 Dual mode synchronous buck converter를 설계한다. 이를 위해 본 논문에서는 부하 변동 시에 PWM - PFM Mode로의 효율적인 변환방법 및 저 리플 특성을 위한 방법을 제안한다. 또한 제안된 IC는 Mobile 기기에 부합하는 입력 전압 범위 2.5V-5V를 가지며, 2.5Mhz의 높은 주파수로 동작하여 리플 특성이 양호하고 집적화가 유리하다. 고효율을 위하여 Synchronous Type 설계 및 Dynamic Control 방식을 적용하였다. 보호 기능으로는 회로 동작의 초기 시에 발생하는 Inrush Current를 방지하기 위한 Soft start function 외에 Current limit, Thermal shutdown function, UVLO 회로가 내장되어 신뢰성을 높였다.

나노 첨가제에 따른 Sn-Ag-Cu계 솔더페이스트의 젖음성 및 금속간화합물 (Wettability and Intermetallic Compounds of Sn-Ag-Cu-based Solder Pastes with Addition of Nano-additives)

  • 서성민;스리 하리니 라젠드란;정재필
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제29권1호
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    • pp.35-41
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    • 2022
  • 5G 시대를 맞아, 인공지능, 클라우드 컴퓨팅, 자율주행 차량, 스마트 제조 등의 기술 소요가 증가하고 있다. 전자기기의 고효율을 위해 고집적회로 및 패키징 연구는 중요하다. 전해도금된 솔더는 범프 조성의 균일성에 한계가 있다. 작은 크기의 솔더 파우더로 구성된 솔더 페이스트는 고집적 패키징에 일반적으로 사용되는 솔더 중 하나이다. 솔더 페이스트에 나노 입자를 첨가하거나 기판 표면 마감 처리를 하여 젖음성을 향상시키고, 금속 패드 계면에서 금속간화합물의 성장을 억제하는 연구가 진행중이다. 본 논문은 나노 입자 첨가를 통한 솔더 페이스트의 젖음성 향상과 계면 금속간화합물의 성장을 억제하는 원리에 대하여 설명한다.

바이오포토닉스응용을 위한 MEMS 미세광학소자의 개발 (MEMS Technology for Biophotonic Applications)

  • 정기훈
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2009년도 동계학술발표회 논문집
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    • pp.387-388
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    • 2009
  • 바이오포토닉스는 생물학과 포토닉스의 융합학문으로 특히, 최근 바이오이미징기술, 광바이오센서, 광조절 및 바이오칩의 광학센서시스템 및 광학집게 개발등에 큰 관심을 받고 있고 다양한 융합연구를 창출하고 있다. 미세기전시스템(MEMS: Microelectromechancial system)은 센서나 구동기를 초소형화 하기 위해 매우 유용한 기술로서 지난 10여년간 광통신분야에서 미세광학소자 및 집적광통신 반도체소자개발에 응용되어왔다. 최근 이러한 MEMS 기술을 이용하여 고감도 바이오센서나 고분해능, 실시간 바이오 이미징시스템을 초소형하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 바이오포토닉스 응용을 위한 광학소자의 초소형화 기술의 장점과 응용가능분야에 관해 소개하고자 한다.

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