공초점 자가 간섭 현미경은 측정 광학계에 복굴절 물질을 사용하여 반사된 빛에 대해 간섭 현상을 일으키는 것을 특징으로 한다. 이 간섭을 자가 간섭이라고 부르는데, 이는 시편의 한 점에서 반사되어 나온 빛이 간섭을 일으키기 때문에 붙여진 이름이다. 공초점 자가 간섭 현미경의 점 확산 함수는 종래의 공초점 현미경의 점 확산 함수와 자가 간섭의 곱으로 나타나며, 자가 간섭의 주기가 종래의 공초점 현미경의 점 확산 함수의 중심폭보다 작은 경우 점 확산 함수의 중심폭이 작아져서 수평 방향으로의 분해능이 향상되게 된다. 이러한 분해능 향상 정도를 측정하기 위하여 지름이 100nm 인 금으로 된 비드를 사용하였다. 측정된 결과는 전산모사한 결과와 잘 일치하며 공초점 자가 간섭 현미경에서 2배의 분해능 향상을 보여준다.

공초점 주사 현미경(Confocal Scanning Microscope, CSM)은 Bio-cell 및 특정 형태를 가지는 object의 고분해능 3차원 영상복원이 가능하여 3차원 측정장비로 주로 사용된다. 특히 LCD 패널 및 반도체 웨이퍼의 불량 검사 장비로의 활용이 가능하여 3차원 영상으로부터 불량 여부와 원인을 알아낼 수 있다. 하지만 생산 공정에서 불량 검사를 하기 위해서는 고속, 고품질의 성능이 요구된다. 따라서 이 논문에서는 공초점 주사 현미경을 이용하여 고분해능으로 고속, 고품질의 3차원 영상복원을 할 때 어떠한 조건이 요구되는지 알아보고 시뮬레이션 하도록 하겠다.

This paper describes on the fabrication and characteristics of a 3C-SiC (Silicon Carbide) micro pressure sensor for harsh environment applications. The implemented micro pressure sensor used 3C-SiC thin-films heteroepitaxially grown on SOI (Si-on-insulator) structures. This sensor takes advantages of the good mechanical properties of Si as diaphragms fabricated by D-RIE technology and temperature properties of 3C-SiC piezoresistors. The fabricated pressure sensors were tasted at temperature up to $250^{\circ}C$ and indicated a sensitivity of 0.46 mV/V*bar at room temperature and 0.28 mV/V*bar at $250^{\circ}C$. The fabricated 3C-Sic/SOI pressure sensor presents a high-sensitivity and excel lent temperature stability.

This paper describes a novel processing technique for fabrication of polymer-derived SiCN (silicone carbonitride) microstructures for super-temperature MEMS applications. PDMS (polydimethylsiloxane) mold is fabricated on SU-8 photoresist using standard UV photolithographic process. Liquid precursor is injected into the PDMS mold. Finally, solid polymer structure is cross-linked using HIP (hot isostatic pressure) at $400^{\circ}C$, 205 bar Optimum pyrolysis and anneal ins conditions are determined to form a ceramic microstructure capable of withstanding over $1400^{\circ}C$. The fabricated SiCN ceramic microstructure has excel lent characteristics, such as shear strength (15.2 N), insulation resistance ($2.163{\times}10^{14}\;{\Omega}$) and BDV (min. 1.2 kV) under optimum process condition.

유기 반도체로서 트랜지스터에 사용되기 위해서 유기절연막은 $SiO_2$ 표면을 유기물로 처리하여 $SiO_2$ 박막 표면의 화학적 특성을 변화시키고 절연특성을 개선 함으로서 단위 소자의 특성을 개선시키고 있다. 그래서 $SiO_2$ 표면 위에 OTS를 처리하여 누설전류를 측정하였다. OTS처리함량에 따라서 누설전류가 흐르는 경향성은 다르게 나타났으며, 0.2% 처리된 박막에서 누설전류는 가장 적게 나타났다.

Long lasting phosphor materials are in great demand for their applications in the area of light emitting diodes (LEDs), commercial displays and warning signals. After glow longevity, brightness, photo-resistance and chemical and environment stability are most important qualities that are desired for these materials. Alumina as host lattice with various rare earth elements has been found to be good at the same time inexpensive material for the synthesis of the phosphor materials. This communication explored the effect of mixed rare earth metal on the luminescence properties of these materials for the first time. Various permutations and combinations of $Sr^{2+}$ and $Ba^{2+}$ have been investigated in order to achieve robust and high luminescence characteristics in the tailored phosphor materials.

펄스 플라즈마 원자층 증착 방법 (PPALD : Pulse Plasma Atomic Layer Deposition)을 이용하여 이원계 박막인 W-N 박막을 ILD layer인 TEOS 위에 제조하였다. 실험은 $WF_6$와 $NH_3$ 가스의 순차적 주입과 $N_2$ 가스를 이용한 purging으로 이루어지며 $NH_3$ 가스 주입 시에 pulse plasma가 적용되었다. 일반적인 ALD 증착 기구를 그대로 따르는 PPALD 방법에 의해 제조된 W-N 박막은 N-H 플라즈마 초기 표면 처리에 의해 형성된 박막 위에 증착 하였다. 증착된 박막의 텅스텐과 질소의 비율이 2:1로 균일하였고 $700^{\circ}C$의 열처리에도 안정한 특성을 보였다.

(5n,5n) CNT 로 이루어져 있는 삼중벽 CNT(Carbon Nano Tube) 오실레이터의 진동을 분자동역학 시뮬레이션을 통해 연구하였다. 삼중벽 CNT 오실레이터의 진동수는 이중벽 CNT 오실레이터의 진동수보다 더 높은 것으로 관찰되었다.

디스플레이 산업에 이용되는 적층판(layered plates)의 결합공정 중 냉각공정에서 열팽창계수의 차이로 인해 잔류응력이 발생하고 심하면 적층판에 크랙(crack)이 발생한다. 본 연구에서는 적층판의 결합공정을 대상으로 현상을 분석하고 이 과정을 시뮬레이션하는 해석 프로그램을 개발하였다. 또한 이를 토대로 향후의 새로운 제품에 대해서도 크랙과 같은 문제점을 최소화 할 수 있는 신뢰성 있는 공정 셋업을 제시하기 위해 차원감소법(dimension reduction method)과 근사화 방법인 반응표면법(response surface method), 순차적 근사최적화 기법(Sequential Approximate Optimization, SAO)을 이용하여 신뢰성기반의 강건최적설계를 하였다.

본 논문에서는 블록터보로드를 사용하는 OFDM 시스템에서 오류정정 능력을 향상시키기 위하여 블록터보코드를 디코딩하는데 있어 채널상태정보(CSI)를 이용하는 새로운 알고리듬을 제안한다. 새로운 디코딩 알고리듬은 레일레이 페이딩 환경에서 채널정보를 사용하지 않는 기존의 디코딩 알고리듬과 비교를 하였으며 실험결과 새롭게 제안된 시스템의 경우 1 회 반복 복호에서 CSI 값을 적용하지 않은 기존의 복호 시스템의 4 회 반복 복호한 경우보다도 $3.SdB\;{\sim}\;5dB$의 성능 향상을 보임으로써 반복 복호의 시간을 70% 이상 감소시킬 수 있었다. 따라서 블록터보코드를 반복 복호하는 경우에 CSI 값을 적용한 시스템이 뛰어난 성능 향상과 더불어 반복 복호 시간을 줄임을 알 수 있었다.

본 논문은 PCB(printed circuit board)에 납땜이 되어 장착된 부품들의 들뜸 상태 검사 알고리즘에 관한 연구이다. 전자산업의 발달로 제품이 소형화, SMD화, 고집적화가 함께 추구되고 있으며, 특히 리드(lead)의 fine-pitch화 현상으로 인해 부품의 들뜸 상태 검사의 중요성은 매우 부각되고 있다. 따라서 본 논문에서는 2차원 포인터 레이저 거리센서를 이용하여 PCB위에 장착된 부품의 들뜸 상태를 검사하고자 한다. 이를 위해 레이저 측정용 장치를 제작하여 부품의 들뜸 검사 알고리즘의 유용성 및 들뜸의 상태 판단 여부를 확인하였다. 본 논문에서 사용한 기준 부품은 각칩 형태로 된 저항, 커패시터와 BGA 및 QFP이며 이 부품들을 이용하여 리드와 바디의 들뜸 상태를 검사하였다. 검사 기준으로 리드의 들뜸은 Scan Teaching 방식을 이용하였으며, 바디의 들뜸은 단차 Teaching 방식을 이용하였다.

본 연구에서는 높은 비저항을 갖는 ZnO 박막 증착 방법 및 특성의 안정성 향상 방안을 강구하였다. 그 결과 상온에서 $O_2/Ar$ 비율을 1로 설정하는 것이 최적 조건임을 확인하였다. 또한 열처리 이 전에 30% $H_2O_2$로 처리하는 것이 특성 안정성 향상의 한 가지 방안임을 알 수 있었다. 본 연구의 결과를 토대로 증착조건에 따른 박막특성 변화를 설명하는 모델을 제시하였다.

ITO/Ag/AZO and AZ0/Ag/ITO multi-layer films deposited on glass substrate by RF magnetron sputtering have a much better electrical properties than ITO and AZO single-layer films. The multi-layer structure was consisted of three layers of ITO, Ag and AZO. The optimum working pressure of AZO layers deposition was determined to be $1.0{\times}10^{-2}$ torr for high optical transmittance and good electrical conductivity. The electrical and optical properties of sub/IT0/Ag/AZO were higher than those of sub/AZ0/Ag/ITO multi-layer films.

The ITO thin films were prepared by FTS (Facing Targets Sputtering) system on polycarbonate (PC) substrate. The ITO thin films were deposited with a film thickness of 100nm at room temperature. As a function of sputtering conditions, electrical and optical properties of prepared ITO thin films were measured. The electrical and optical characteristics of the ITO thin films were evaluated by Hall Effect Measurement (EGK) and UV-VIS spectrometer (HP), respectively. From the results, the ITO thin film was deposited with a resistivity $8{\times}10^{-4}[{\Omega}-cm]$ and transmittance over 80%.

Preparing AZO thin films on the polymer substrate has been widely studied Because AZO thin film has the potential applications. In this study, we prepared AZO thin films on polyethersulfon (PES) at room temperature. The AZO thin films were prepared at $O_2$ gas flow rate of 0.05 and sputtering power of 100W with different film thickness by facing targets sputtering method. The electrical, optical and crystallographic properties of AZO thin films were measured by Hall Effect measurement system, UV/VIS spectrometer, SEM and XRD. From the results, we obtained AZO thin films with a low resistivity, a transmittance of over 80% and c-axis preferred orientation.

RF 스퍼터링법을 이용하여 AZO(Al 2wt%, ZnO 98wt%)박막을 glass위에 증착한 후 증착 시간과 증착 압력에 따른 면저항, roughness 및 광투과도를 조사하였다. 본 연구에서 AZO박막의 면 저항은 4-point probe(Guardian, 402S)으로 측정하였으며 광투과도는 IR-VIS-UV spectrophotometer로 측정하였다. AZO 박막을 20분 증착하는 동안, 아르곤 flow양이 50, 100, 150sccm일 때 면저항은 $20\;{\Omega}/{\square}$이고, 200sccm일 때 $3744\;{\Omega}/{\square}$였다. AZO 박막의 두께를 일정하게 증착하는 동안, 아르곤 flow양이 50sccm일 때 면저항은 $49.6\;{\Omega}/{\square}$이고 100, 150, 200sccm일 때 $38{\Omega}/{\square}$였으며, 광투과도는 모두 80%이상을 보였다. Roughness는 각각 4.1nm, 7.6nm, 5.2nm, 16.9nm였다.

Multi-component $ZnO-In_2O_3-SnO_2$ thin films have been prepared by RF magnetron co-sputtering using targets composed of $In_3Sn_4O_{12}$(99.99%) [1] and ZnO(99.99%) at room temperature. $In_3Sn_4O_{12}$ contains less In than commercial ITO, so that it lowers cost. Working pressure was held at 3 mtorr flowing Ar gas 20 sccm and sputtering time was 30 min. RF power ratio [RF1 / (RFI + RF2)] of two guns in sputtering system was varied from 0 to 1. Each RF power was varied $0{\sim}100W$ respectively. The thickness of the films was $350{\sim}650nm$. The composit ion concentrations of the each film were measured with EPMA, AES and XPS. The low resistivity of $1-2\;{\times}\;10^3$ and an average transmittance above 80% in the visible range were attained for the films over a range of ${\delta}\;(0.3\;{\leq}\;{\delta}\;{\leq}\;0.5)$. The films also showed a high chemical stability with time and a good uniformity.

본 연구에서는 웨이브릿과 신경망을 결합하여 플라즈마 고장을 감시하기 위한 시계열 모델을 개발하였다. 본 기법은 플라즈마 증착장비에 의해 수집된 18 개의 센서정보에 적용하여 평가하였다. 이산치 웨이브릿(Discrete Wavelet Transformation)은 장비에서 수집된 센서정보의 전 처리를 위해 이용되었다. 시계열 모델의 성능은 과거와 미래정보의 함수로 평가하였다. 수집된 18 개의 센서정보에 대한 모델성능 비교를 위해 표준화된 성능평가지표가 적용되었다. 평가결과, 본 기법에 의해 개발된 시계열 모델은 대략 4% 정도의 예측에러를 보였다.

본 논문은 반도체 장비 및 디스플레이 장비에서 적용되는 네트워크 통신 규약인 SECS 통신 프로토콜을 TCP/IP 소켓 프로그램을 이용하여 구현한다. 특히 호스트와 장비간의 통신에 문제가 발생하여 데이터 전송이 누락되었을 때 이를 장비에 보관한 후에 통신이 복구되었을 때 다시 호스트에게 전송할 수 있는 스풀링 기능을 구현하여 통신장애의 누락되는 데이터를 다시 전송할 수 있도록 한다. 그리고 윈도우 프로그램을 기반으로 하나의 드라이버 프로그램에서 호스트(액티브) 측과 장비(패시브) 측을 선택하여 사용 가능하게 구현한다.

OLED TV의 실현뿐만 아니라 생산성 향상을 위한 OLED의 유리기판의 대면적화가 요구되고 있다. 그러나 대면적 유리 기판은 얇은 두께로 인해 조작이 매우 어렵다. 이 연구는 굽힘지지의 새로운 대면적 유리 기판의 조작방법으로 유리 기판의 처짐을 최소화 하려 한다. 또한 대면적 유리기판의 최소 처짐을 위해 다양한 실험이 수행되고 있다. 이 새로운 유리 기판의 조작방법은 OLED 디스플레이의 제조과정에 사용될 수도 있다.

본 연구에서는 웨이브릿 기법을 응용한 플라즈마 장비를 감시하는 기법을 보고한다. 소자제조업체에서 가동중인 플라즈마 증착장비에서 센서정보를 수집하였으며, 이를 이산치 웨이브릿을 이용하여 변환 시킨 후, 민감도 측정을 위해 고안된 메트릭 (Metric)을 적용하였다. 총 18개의 센서정보에 대하여 민감도를 계산하였으며, 민감도는 $21{\sim}300%$ 범위에서 증진하였다. 특이 센서패턴을 제외하고는 Raw 데이터에 비해 75% 이상의 민감도를 향상시켰으며, 이는 본 기법이 플라즈마 센서정보의 고장에 대한 민감도를 증진하는데 효과적임을 보여 준다.

본 연구에서는 반도체 플라즈마 장비 감시를 위한 CUSUM 제어 차트 설계기법에 관해 연구하였다. CUSUM 제어차트에 관여하는 설계변수의 다양한 조합에 대하여 플라즈마 장비의 감시 성능을 평가하였다. 평가를 위해 RF 정합망 감시시스템을 이용하여 플라즈마 임피이던스 정합에 관여하는 정합변수에 대한 실시간 데이터를 수집하였으며, 여기에는 임피이던스와 상위치에 대한 전기적 정보, 그리고 반사전력에 대한 정보가 포함된다. 평가결과, 설계변수의 조합에 대하여 감시 성능이 크게 달랐지만, 각 센서 정보의 감시 성능을 증진시키는 설계변수의 조합이 있었음을 확인하였으며, 이는 각 종 다양한 센서정보 별 CUSUM 제어 차트의 설계가 필요함을 의미한다.

본 연구에서는 플라즈마 상태를 조기에 예측하는 기법을 개발하였다. 본 기법은 신경망 시계열 모델, CUSUM 제어 차트, 그리고 Dempster Schafer 전문가 시스템을 결합하여 개발하였다. 시계열 모델은 과거와 미래정보의 조합을 통해 그 예측성능을 최적화하였다. 본 기법은 소자제조업체에서 가동중인 PECVD 장비에서 수집된 센서정보에 적용하여 평가하였으며, 플라즈마의 정상과 고장 상태를 조기에 정확히 예측할 수 있었다. 소자제조업체에서 본 기법을 적용할 때, 장비 생산성과 소자수율의 증진에 기여할 수 있다.

전기도금 방법으로 유리기판 위에 제작한 코일과 영구자석을 이용하여 초소형발전기를 제작하였다. 여러 크기의 코일 구조를 설계하여 마스크를 제작하였으며, $4.5\;{\mu}m$, $7\;{\mu}m$ 두께의 코일을 제작하였다. 광학현미경과 SEM(투사전자현미경)을 사용하여 제작된 코일의 구조를 분석하였다. 발생한 전기에너지를 진동주파수의 함수로 측정하였다. 또한 모터의 회전운동을 진동운동과 유사한 선형운동으로 변환하는 시스템을 제작하였고, 초소형 발전기 특성측정에 사용하였다. 1 Hz에서 8 Hz까지 진동주파수를 변화시켜 특성을 측정하였고, 진동에 의해 발생된 전압 값과 채배정류된 전압 값을 비교하였다. 본 연구의 목적은 쓸모없이 버려지는 진동에너지를 유용한 전기에너지로 변환하는 초소형발전기 소자를 제작하는 것이다.

[ $500^{\circ}C$ ]에서 30초 동안 급속 열처리 하여 니켈실리사이드를 형성하고 니켈실리사이드의 후속 공정시의 열 안정성을 개선 시키기 위해 $SiO_2$ 박막을 FECVD로 증착하였다. 실리사이드의 열 안정성은 면저항 측정을 통하여 평가하였다. 후속 열처리 시 $SiO_2$ 보호층을 증착한 경우 열 안정성이 개선 되었다. 이 이유를 알아보기 위해 열처리 전후의 스트레스를 측정하였다. 그 결과 후속열처리 시 $SiO_2$ 보호층이 없을 때는 열처리 전과 후의 스트레스 큰 차이가 없었으나 $SiO_2$ 보호층이 있을 매는 스트레스가 크게 감소하였다. 이 스트레스의 감소가 니켈실리사이드의 응집현상을 억제하여 니켈실리사이드의 열 안정을 개선시키는 이유라고 판단된다.

Dielectric properties of glass-ceramics with fresnoite(Ba2TiSi208) crystals have been investigated in xK20-(33.3-x)BaO-16.7TiO2-50SiO2 ($0{\leq}x{\leq}20mol%$) glasses. The glassy nature was analyzed by differential thermal analyses and glass-ceramics was variable and control table by the processing parameters like time and temperature. Dielectric constant was measured over a temperature from 125K to 425k at frequencies form 100Hz to 1MHz, and laid in the range 16-10. Piezoelectric constant d33 was measured using a YE2703A d33meter and changed from 5.9 to 4.8pCN-1 with x contents. The spontaneous polarization Ps estimated from the hysteresis at ${\pm}1.2kV$ was ${\sim}0.3\;{\mu}C/cm2$ at room temperature.

21C 정보화시대를 맞이하여 반도체 산업이 급속하게 발전함에 따라 컴퓨터를 활용만 효율성이 높은 유틸리티 관리 시스템(New Utility Management System) 기술이 중요시 되는 추세이다. 본 연구에서는 반도체 공정의 가스 케비넷 또는 BSGS(Bulk Specity Gases System) 등에 사용되는 실린더 등의 교체 후 Tubing 등에 남아있는 잔여가스를 효과적으로 제거하기 위한 잔여가스제거 지적결정시스템을 구현하였다. 이를 통하여 각 공정에 필요한 독성가스의 종류에 따른 퍼지가스의 종류 및 횟수를 결정하였으며, 이 결과는 운전 및 관리의 효율성 증대와 에너지 절감을 위하여 매우 유익하게 활용될 것이다.

본 연구에서는 기존의 레이저 변위센서 대신 접촉형 변위센서를 이용하여 마스크-기판간 갭 간격 및 평형 조절 장치를 구현함으로써 기판의 표면 상태에 관계없이 정확한 마스크-기판간 갭의 조정, 평형 유지가 가능하도록 하였다.

광학적으로 우수한 특성을 지닌 유리는 온도에 민감한 대표적 점탄성 재료로서 역학적 열적 거동에 대한 충분한 이해와 해석이 평판 영상장치 제조공정에서 불량의 원인을 제거하고 공정 최적화를 하는데 중요하다. 본 연구에서는 평판 영상장치 제조공정에서 발생하는 문제들 중 하나인 열수축 현상(열처리 공정 전후 유리의 치수가 변하는 현상)을 소다라임 유리에 대해서 전산모사 하였으며, 유리의 구성방정식으로 구조이완 모델을 이용하였다.

With the help of the development of digital-multimedia in the middle of 1990's, FDP(Flat Panel Display) had attracted considerable attention. Collimation proximity exposure system that transfers the pattern on wafer or glass exactly using mask and light with appropriate wavelength is core process in semiconductor and liquid display element. The performances of resolution required in precision exposure system are evaluated by resolving power, depth of focus and storage area. Most of development has targeted on these three factors. The optical design including lamp house has played an important role on the performance of exposure process. In this study, we evaluate the cooling system, concerning on exposure device with mercury lamp among the kernel equipment for the production of LCD, to prevent the instability of lighting due to long term accumulation of excessive heating inside the lamp house. Numerical analysis is conducted on full-scale model. The characteristics of three-dimensional flow, pressure and temperature distribution on exposure system are graphically depicted to estimate the whole cooling system for lamp house and to establish the design criteria.

Non-contact transportation of a large-sized glass plate using air cushion for the sputtering system of liquid crystal display panel was considered. The gas is injected through multiple small holes to maintain the force for levitating glass plate. Complex flow field and resulting pressure distribution on the glass surface was numerically studied to design the air injection pad. The exhaust hole size was varied to obtain evenly distributed pressure distribution at fixed diameter of the injection hole. Considering the force for levitating glass plate, the diameter of the exhaust hole of 30 to 40 times of the gas injection hole was recommended.

반도체의 고집적화와 LCD의 대형화로 인해 웨이퍼 및 LCD 검사용 스테이지의 성능 향상이 요구된다. 본 논문에서는 고속의 검사속도, 서브마이크론의 검사 정밀도, 그리고 대행정 구동을 위한 이중 서보 시스템을 제안하였다. 이중 서보 시스템은 선형모터로 구동되고 공기베어링으로 가이드 되는 조동 구동부와 보이스 코일 모터(VCM)로 구동되고 공기베어링으로 가이드 되는 미세 구동부로 구성된다. 검사 효율을 향상시키기 위한 고속 세틀링을 위한 제어기로서 시간 최적 제어 기법과 시간 지연 제어기를 결합한 모드 변경 제어기를 제안하고 이중 서보 시스템에 구현하여 성능을 평가하였다.

Micro vibration isolation, typically originated from ground, is always a prime concern for the nano-measurement instruments such as Atomic Force Microscopes. A four mount active vibration isolation system is proposed in this paper. Modeling and control of such a four mount system as analyzed. Combined active-passive isolation principle is used for vibration isolation by mounting the instrument on a passively damped isolation system made of Elastomer along with the active stage in parallel that consists of very soft actuation system, the Voice Coil Motor. The active stage works in combination with the passive stage for working as a very low frequency vibration attenuator.

ITO(indium tin oxide)/glass 기판 위에 PEDOT:PSS[poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate)]와 PVK[poly(N-vinyl carbazole)] 고분자 물질을 정공 주입 및 수송층으로, 발광층으로 PFO-poss[Poly(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl) end capped with POSS]를 사용하여 스핀코팅법과 열 증착법으로 ITO/PEDOT:PSS/PVK/PFO-poss/LiF/Al 구조의 고분자 발광 다이오드를 제작하였다. PFO-poss 유기발광 층의 열처리 조건 (온도, 시간)이 PLED 소자의 전기적, 광학적 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 1 wt%의 농도를 갖는 PFO-poss 유기물 발광 층을 200C 온도로 3시간 열처리 할 경우 11 V 인가전압에서 $1497\;cd/m^2$의 최대 휘도를 나타내었다. 동일온도에서 열처리 시간을 1시간에서 3시간으로 증가시킬 경우 휘도의 증가와 함께 발광 개시온도가 감소하는 경향을 보여주었다. 또한 열처리 온도와 시간을 증가시킬 경우 제2발광피크인 excimer 피크가 크게 나타났으며 청색에서 황색 발광 쪽으로 천이되는 경향을 나타내었다.

Lithography 장비의 국내 기술개발 수준은 선진사에 비해 많이 뒤져있다고 볼 수 있다. 최근 디스플레이 산업의 폭발적인 성장과 더불어 보다 확실하고 안정적인 생산을 위해서는 Lithography 장비의 국산화 기술개발이 시급한 상황이다. 현재 시중에 나와 있는 제품의 경우 Mask holder part의 과도한 중량으로 인해 교체의 어려움이 있고 그로 인해 장비의 자동화에 걸림돌이 되고 있는 상황이다. 이에 따라 Mask holder part의 교체를 양호하게 하기 위해 질량을 줄이고 처짐이 적게 발생할 수 있도록 형상을 최적화 시키는 것에 목적을 두고 실험계획법 중의 하나인 Taguchi method를 활용하여 Mask holder part의 형상을 최적화하였다.

A promising capacitor, which has conformable step coverage and good uniformity of thickness and composition, is needed to manufacture high-density non-volatile FeRAM capacitors with a stacked cell structure. In this study, ferroelectric $Bi_{3.61}Nd_{0.39}Ti_3O_{12}$ (BNT) thin films were prepared on $Pt(111)/Ti/SiO_2/Si$ substrates by the liquid delivery system MOCVD method. In these experiments, $Bi(ph)_3$, $Nd(TMHD)_3$ and $Ti(O^iPr)_2(TMHD)_2$ were used as the precursors and were dissolved in n-butyl acetate. The BNT thin films were deposited at a substrate temperature and reactor pressure of approximately $600^{\circ}C$ and 4.8 Torr, respectively. The microstructure of the layered perovskite phase was observed by XRD and SEM. The remanent polarization value (2Pr) of the BNT thin film was $31.67\;{\mu}C/cm^2$ at an applied voltage of 5 V.

Ferroelectric $Bi_{3.35}Sm_{0.65}Ti_3O_{12}(BST)$ thin films were deposited on $Pt(111)/Ti/SiO_2/Si(100)$ substrates by a sol-gel spin-coating process. In this experiments, $Bi(TMHD)_3$, $Sm_5(O^iPr)_{13}$, $Ti(O^iPr)_4$ were used as precursors, which were dissolved in 2-methoxyethanol. Thereafter, the thin films with the thickness, of 240nm were annealed from 600 to $720^{\circ}C$ in oxygen atmosphere for 1 hr, and post-annealed in oxygen atmosphere for 1 hr after deposition of Pt electrode to enhance the electrical properties. The remanent polarization and coercive voltage of the BST thin films annealed at $720^{\circ}C$ were $19.48\;{\mu}C/cm^2$ and 3.40 V, respectively, and a fatigue-free characteristics. As a result, Sm-substituted bismuth titanate films with good ferroelectric properties and excellent fatigue resistance are useful candidates for ferroelectric memory applications.

본 논문에서는 리프팅 기반의 DWT 구조의 단점을 개선하고자 플립핑(Flipping)기법과 5 단 파이프라인 구조(5 Stage Pipeline)를 적용하여 임계경로가 획기적으로 줄어든 1 차원 DWT 구조를 제안하고 이를 활용하여 JPEG2000 표준의 손실 압축 모드에서 이용되는 9/7 필터계수의 2 차원 DWT 를 수행 할 수 있도록 열 방향 DWT 처리기를 설계하였다. 2 차원 DWT 는 1 차원 DWT 의 처리 결과에 대해 열상의 열(Column) 방향으로 2 차원 처리를 수행해야 하므로 1 차원 결과를 저장하기 위한 한 영상 사이즈 만큼의 메모리 버퍼를 필요로 한다. 기존 $N^2$이 필요하던 메모리 사이즈를 14N으로 줄인 2차원 구조를 제안한다.

Effect of coulomb friction and backlash on the single loop posit ion control has been studied for the precision position control. We studied and showed the limit cycle on the single loop system which used a ball screw that had the backlash. Also, We made an inner loop with a classical velocity and torque controller which was forcing the $i_d$ current to be zero by using a permanent-magnet synchronous motor and composed the outer loop with linear sensor for sensing a position of the loader. We have been shown a good result by using the dual loop through numerical simulation method.

In the process of accurate manufacture and measurement, it is necessarily required to isolate external or internal vibration due to external disturbance and internal actuators. The higher vibration isolation system gets damping around resonance, the better it is generally. This paper analyzes the performance of an existing passive air-spring for vibration isolation table by rising experiment and simulation. Optimal design for a passive air spring can be obtained by fluting the size of the orifice. Also design for an active isolation system is carried out by applying PID controller and considering non-linearity of pneumatic characteristics with help of look-up table. We have developed the act ive vibration isolation table wi th the bet ter isolation performance.

2파장 백색 발광층의 구성에서 청색 재료로 GDI602 또는 GDI602: GDI691(2%)을, 황색 재료로 Alq3:Rubrene(10%)를 사용하여 새로운 백색 유기발광다이오드를 제작하고 이들의 특성을 분석하였다. 제작된 소자들은 12V의 구동전압에서 GDI602/A1q3:Rubrene(10%) 발광층을 갖는 경우 약 $950\;Cd/m^2$의 휘도와 0.8 lm/W의 효율을, GDI602:GDI691(2%)/Alq3:Rubrene 발광층을 갖는 경우 약 $1800\;Cd/m^2$의 휘도와 1.2 lm/W의 효율을 나타내었다. 또한 발광 스펙트럼의 특성으로는 인가전압에 따라 중심파장의 위치는 일정하나 2파장 사이의 상대적 세기가 변화되었으며, 인가전압이 증가할 경우 CIE 색좌표가 청색 방향으로 다소 이동되었다. GDI602/ Alq3:Rubrene(10%) 발광층을 갖는 소자의 경우 9V에서 x=0.33, y=0.32로, GDI602:GDI691(2%)/Alq3:Rubrene 발광층을 갖는 소자의 경우 6V에서 x=0.32, y=0.33으로 순수 백색광에 가까운 특성이 얻어졌다.

In this paper, we fabricated drag force type and pressure difference type gas flow sensor with dry etching technology which used Deep RIE(reactive ion etching) and etching stop technology which used SOI(silicon-on-insulator). we fabricated four kinds of sensor, which are cantilever, paddle type, diaphragm, and diaphragm with orifice type. Both cantilever and paddle type flow sensors have similar sensitivity as 0.03mV/V kPa. Sensitivity of the fabricated diaphragm and diaphragm with orifice type sensor were relatively high as about 3.5mV/V kPa, 1.5mV/V kPa respectively.