This paper presents a 3-dimensional diffusion simulation with adaptive solution strategy. The developed diffusion simulator VLSIDIF-3 was designed to re-refine areas where difference of doping concentration between any of two nodes of each element is greater than tolerance and redo diffusion process until error is tolerable. Numerical experiment in low doping diffusion problem showed that this adaptive solution strategy is very efficient in both memory and time, and expected this scheme would be more powerful in complex diffusion model.

The defect formation energy of boron nitride (BN) nanotubes is investigated using molecular-dynamics simulation. Although the defect with tetragon-octagon pairs (4-88-4) is favored in the flat cap of BN nanotubes, BN clusters, and the growth of BN nanotubes, the formation energy of the 4-88-4 defect is significantly higher than that of the pentagon-heptagon pairs (5-77-5) defect in BN nanotubes. The 5-77-5 defect reduces the effect of the structural distortion caused by the 4-88-4 defect, in spite of homoelemental bonds. The instability of the 4-88-4 defect generates the structural transformation into BNNTs with no defect at about 1500 K.

The responses of hypothetical silicon nanotubes under torsion have been investigated using an atomistic simulation based on the Tersoff potential. A torque, proportional to the deformation within Hooke's law, resulted in the ribbon-like flattened shapes and eventually led to a breaking of hypothetical silicon nanotubes. Each shape change of hypothetical silicon nanotubes corresponded to an abrupt energy change and a singularity in the strain energy curve as a function of the external tangential force, torque, or twisted angle. The dynamics of silicon nanotubes under torsion can be modelled in the continuum elasticity theory.

400~450nm 파장 범위의 청색광을 검출하는 Si 포토다이오드에서 $SiO_2$, $Si_{3}N_{4}$, $SiO_{2}/Si_{3}N_{4}$를 광반사 방지막으로 사용하는 경우 광반사 방지막의 두께에 따른 표면 광반사 손실을 이론적으로 계산하였다. 400~450nm 청색 파장에서 $SiO_2$, $Si_{3}N_{4}$ 단일막에 대한 최소 광반사 손실은 각각 $d(SiO_2)=700~750{\AA}$ 와 $d(Si_{3}N_{4})=500${\AA}$에서 나타났으며, $SiO_{2}/Si_{3}N_{4}$ 이중막에 대한 최소 광반사 손실은 $d(SiO_{2}/Si_{3}N_{4})=750{\AA}/(180~200){\AA}$에서 나타났다.

반도체 집적도가 높아지고 웨이퍼가 대구경화 됨에 따라 새로운 이송 장비의 개발이 필요하게 되었다. 본 연구에서는 이송장비의 새로운 개념인 공기부상 방식의 낱장이송 시스템을 설계하고 부상 노즐의 크기에 따른 부상 높이를 평가하였으며 그 결과 동일한 부상용 유량을 사용할 경우 0.5 mm 보다 0.8 mm 노즐이 부상 높이가 더 높고 에너지 절약적인 측면에서 유리함을 밝혔다. 또한 웨이퍼 이송용 추진 노즐의 배치에 따른 웨이퍼 이송 속도의 변화를 측정하여 동일 유량에서 추진속도가 훨씬 증가된 형상인 Type B(노즐 집중형)를 결정할 수 있었으며, 제조장비와 이송장비를 연결시켜주는 인터페이스에서의 웨이퍼 안정성을 평가한 결과 평균 16초 이내에 매우 안정된 공기부상 방식의 웨이퍼 낱장이송 시스템을 구현할 수 있었다.

최근 MEMS 기술의 비약적인 발달로 인해 미세 가공 기술을 이용하여 높은 종횡비를 갖는 각종 전기소자나 엑츄에이터 들의 제작에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 금속 구조물을 형성하기 위해서 전해도금의 방식이 널리 쓰여지고 있는데, 이에 본 논문에서는 니켈 전해도금을 위한 장치를 제작하고, 온도, pH, 교반 및 전류밀도 등에 따른 영향을 조사하였다.

Scales, accumulated on semiconductor equipment parts during device fabrication processes, often lower equipment lifetime and production yields. Thus, many equipments parts have be cleaned regularly. In this study, an attempt to establish an effective process for the removal of scales on the sidewall of collimators in the chamber of sputter is made. The EDX analysis revealed that the scales are composed of Ti and TiN with the colummar structure. It was found that the heat-treatment at 700 for 1 min. after the oxide removal in the HF solution, and then etching in the HNO3 : H2SO4 : H2O =4:2:4 solution for 5.5 hrs at 67 was the most effective process for the scale removal.

We report $EU^{2+}$ activated green phosphor $Ba_{2}CaMgSi_{2}O_{8}:Eu^{2+}$. The phosphor absorbs ultroviolet radation and emits a green visible light. The phosphors were synthesized by conventional solid state reaction method. The high purity $BaCO_3$, $CaCO_3$, MgO, $SiO_2$, $Eu_{2}O_{3}$ were used as raw materials. The raw materials were mixed thoroughly with an appropriate amount of ethanol in an agate mortar and then dried at $90^{\circ}C$ for 2 hours. The mixture was sintered at $900^{\circ}C$ for 2 hours and reheated at the mild reducing atmosphere 5% $H_2$ gas mixed with 95% $N_2$ gas at about $900^{\circ}C$ to $1200^{\circ}C$ for 2 hours. The photoluminescence spectra of the phosphor powders were measured by a fluorescent spectrophotometer. The crystal structure of phosphor powders were investigated by X -ray diffractometer.

각종 전자기기의 소형화, 고성능화 요구에 따라 회로 또는 기판의 고집적화에 따른 대안으로 도입된 COF(Chip On Film)공정에서 PI(polyimide)/buffer layer/Cu의 접착력 개선을 목적으로 본 연구가 진행 되었다. 그리고 buffer layer로써 Cr을 증착 할 때 부착력의 개선을 목적으로 개질처리를 할 때는 RF plasma장비를 사용하였다. 실험 변수로는 peel strength에 대한 buffer layer의 종류와 증착시간, 표면 개질처리시 $O_2$/Ar비이다. Buffer layer의 종류에 따른 접착력은 Cr보다 Ni이 우수하였고 peel strength와 Cu THK는 같은 buffer layer의 증착 structure에서 비례 관계를 나타냈으며, Cr의 증착 시간과 Cu의 증착 시간을 변수로 peel strength test한 값은 Cr증착시간이 30초, Cu증착시간이 20분일때 40g/mm로 최적의 접착력이 나타났다. 증착전 PI의 개질 처리시 $O_2$/Ar 유량비에 따른 peel strength값은 $O_2$/Ar유량비가 증가 할수록 향상되었으며, 2/5에서 최고값인 58g/mm가 나타났다. 그 이상에서는 오히려 감소하였다.

본 논문은 He-Ne-Xe의 삼원가스를 사용하는 ac-PDP에서 어드레싱 시간을 줄이고 휘도를 높이기 위하여 기존의 ADS(Address Display period Separated) 구동 방식에서 어드레스 구간을 변형하였다. 즉, 어드레스 구간에 기존의 사각 파형 대신에 기울기 파형을 사용하여 그 영향을 고찰하였다. 또, 기울기파의 경사를 변화시키면서 그 때의 벽전하와 방전전류, 휘도, 효율을 측정하고 그 결과를 고찰하였다. 그 결과, 벽전하의 양이 25%, 휘도가 14%, 효율이 13% 증가하였고, 방전응답시간을 줄일 수 있었다.

본 연구에서는 쏠더를 이용한 새로운 웨이퍼 레벨 실장 기술을 제안하였고 순수 주석도금이 쏠더로서 이용되었다. 제안된 실장 기술의 가장 큰 차별성은 레고 조립처럼 어셈블리 한 후에 쏠더 리프로우를 통해 측면 접합한다는 것이다. 이런 측면 접합 기술은 기본적으로 표면 상태에 매우 둔감하다는 장점과 비아를 통한 전기적 연결 시 끝 단의 노칭(notching)에 의한 전기적 연결 끊김 문제를 해결할 수 있다. 접합강도는 전단 응력을 측정하여 평가하였고, 실장의 기밀성(Hermeticity)는 가압 헬륨 측정법을 통해서 평가되었다. 실험결과로부터 본 실장 기술은 고 수율 웨이퍼 레벨 실장 기술의 대안이며 실행 가능함을 확인할 수 있었다.

본 연구에서는 반도체 세정 챔버 내부에서 회전 척을 사용하는 기판의 세정 공정에서 세정장치와 건조장치를 분리하지 알고 일체화하는 기술을 연구하는 한편, 초음파 세정기술을 이용하여, 세정에 사용되는 약액을 절감하는 방법도 연구하였다. UWA(Ultrasonic Water and Clean Air) system은 초음파 진동부, 초순수 공급부 그리고 clean air공급부를 모듈화 하였다. UWA system으로 공급된 초순수에 70～130kHz범위의 초음파가 더하여지고 반도체 기판 위에 분사되면 기판 위의 미세 파티클을 세정하는 효과를 갖는다. 세정 후 연속적으로 clean air를 분사하여 기판 위의 수분을 완전히 제거한다. Particle 세정 작업을 실시한 후 표면을 검사하여 정밀세정 능력을 확인하였다.

Semiconductor Wet Station has a very important place in semiconductor process. It is important that to discharge chemical with fit concentration and temperature using chemical supply system for clean process. The chemical supply system which is used currently is not only difficult to make a fit mixing rate of chemical which is need in clean process, but also difficult to make fit concentration and temperature. Moreover, it has high stability but it is inefficient spatially because its volume is great. We propose In-line System to improve system with implement analysis of fluid and thermal transfer on chemical supply system and understand problem of system.

극자외선 리소그래피(EUV lithography) 기술은 50nm 이하의 선폭을 가지는 차세대 소자 제작에 있어서 선도적인 기술 중 하나이다. EUVL 에서 필수적인 요소중의 하나가 mirror 로 사용되는 blank mask 이다. Blank mask 에 있어서 가장 중요한 요소는 반사도이다. 이 blank mask 는 Si substrate 위에 반사를 위한 Mo/Si pair 가 40pair 이상 적층되어있다. Blank mask 는 매우 청결해야한다. 만약 결함이 있다면 blank mask 에는 치명적이다 결함은 blank mask 에 있어서 반사도를 떨어뜨리는 주 요소이기 때문이다. 그 결함에는 amplitude defect 과 phase defect 이 있다. FIB 에서는 amplitude defect 을 수정하는 것이 가능하다. 우리는 FIB 를 이용하여 mage mode, spot mode, bar rotation mode 를 사용하여 amplitude defect을 수정하였다. 그리고, 그 결과 효과적으로 amplitude defect을 수정하였다.

반도체 소자의 마킹 / 표면 검사에 대한 적응적 reference 데이터 자동 획득 알고리즘과 검사에서의 실시간 정합 알고리즘을 개발하여, 모든 반도체 소자의 마킹 / 표면 검사에 대한 오류를 검출할 수 있는 마킹 / 표면 검사 시스템을 개발한다.

현재 반도체 및 LCD 제조분야에 적용되는 공정장비, 이송시스템에는 고성능, 고생산성이 요구되고 있는 추세이다 기존의 선형이송시스템은 구동원으로 서보모터(Servo Motor)를 사용하고 있으며, 기계적 동력전달장치를 사용하여 직선운동을 하는 구조로 되어있어 마찰소음, Position Error 등의 발생요인이 많은 단점을 가지고 있다. 반면에 선형전동기(Linear Motor)를 이송시스템의 구동원으로 사용하면 기계적 동력전달장치가 생략되어 기존의 선형이송시스템이 가지고 있는 단점들의 개선효과가 크며 유지보수면에서도 유리한 점이 많다. 본 연구에서는 2,500[N]급 영구자석 여자 횡자속 선형전동기를 설계, 개발하였으며, 이를 적용한 추진모듈을 개발하였다. 본 연구에서 개발된 횡자속 선형전동기 적용 추진모듈은 LCD 제조분야의 Stocker, RGV, Index, OHS, OHT 등을 비롯하여 타 산업분야의 선형이송시스템으로의 가능하다.

본 연구에서는 MOCVD 반응기의 온도분포가 필름 성장률에 미치는 영향에 대해 분석하였다. 온도해석에는 반응기 벽면의 전도열전달과 기체의 대류열전달이 포함되었다. 또 서셉터와 실험에 사용된 그래파이트 평판 사이의 웨이퍼 미세 간극을 해석에 포함하여 반응기 내부의 온도를 예측하였다. 정밀한 온도해석을 통해 얻은 반응기의 온도 분포를 이용하여 GaAs와 InP의 필름성장률을 해석하였으며 그 결과 미세 틈새가 GaAs의 필름 성장률에 영향을 미치는 것을 확인하였다.

Power inductor is usually used in the field of the power circuit of a cellular phone, TFT LCD module etc.. This paper presents the development process of Power Inductor Full Automation Winding/Welding System for TFT LCD. This process, the process algorithm, high precision welding current control, design of welding head, high speed, high precision feeding mechanism, and user interface process control program technologies are included.

Problems of overlap errors and sidelobe printing by the design rule reduction in the lithography process using attenuated phase-shifting masks(attPSM) have been serious. Overlap errors and sidelobes can be simultaneously solved by the rule-based correction using scattering bars with the rules extracted from test patterns. Process parameters affecting the attPSM lithography simulation have been determined by the fitting method to the process data. Overlap errors have been solved applying the correction rules to the metal patterns overlapped with contact/via. Moreover, the optimal insertion rule of the scattering bars has made it possible to suppress the sidelobes and to get additional pattern fidelity at the same time.

Linear motor can directly apply to the system needed linear mot ions without rotary mot ions. To control a high-speed and high-resolution, the development of the linear motors is recently required in the high-integrated and speed process industry. This paper presents vibration analyses as well as measurement standards of the newly developed linear motors through analyzing the vibration characteristics and thermal behaviors of the advanced products. Vibration experiments are conducted for identifying the hysteresis and vibration level during operation. They are also included in the modal test to analyze the vibration. Analytic data using Finite Element Method (FEM) are compared with the results of the modal. Loss of temperature generated the linear motor leads to a serious deformation within its parts. The thermal behaviors are very important factor in linear motor. The FEM and experiments make it possible to understand these characteristics.

Rotating Compensator Ellipsometry에 회전하는 시편 홀더를 갖추었을 때 uniaxial한 시편의 광축과 retardance를 측정하는 것이 매우 간단해진다. 이것은 Dual Rotating Compensator Transmission Ellipsometry의 self-calibration과정과 흡사하기 때문이다. 기존의 ellipsometry가 광학 부품들의 입사면에 대한 방위각을 찾는 복잡한 calibration과정과 비등방성 시편의 고속축의 방향을 찾아야 하는 수고를 필요로 하지만 rotating sample and compensator ellipsometry는 self-calibration과 자동으로 고속축의 방향을 찾기 때문에 매우 편리하다. 우리는 이 기술를 정렬된 액정display panel에 적용하여 ~$0.4^{\circ}$ 의 작은 retardance 간을 측정할 수 있었다.

본 논문에서는 P-type (100)Si 기판위에 RF magnetron sputtering법으로 완충층용 MgO 박막을 $500\AA$ 증착한 후 제작된 MgO/Si 기판위에 BST 박막을 증착하였다. 증착 시 기판온도는 $400^{\circ}C$ 작업가스 $AR:O_2:=80:20$, 작업진공 10mtorr에서 RF 파워를 25W, 50W, 75W로 변화하면서 증착하여 최적의 RF 파워조건을 확립하였다. XRD 측정결과 25W에서 증착된 BST 박막은 배향성이 보이지 않는 비정질 형태로 성장되었고 50W에서 증착된 박막의 결정특성이 가장 양호하였다. I-V측정결과 모든 샘플에서 $\pm150KV/cm$에서 $10^{-7}A/\textrm{cm}^2$이하의 양호한 누설전류특성을 나타내었고 C-V측정 결과 역시 50W에서 증착된 BST 박막의 비유전율이 약 305로서 가장 우수한 특성을 보여주었다.

This paper is an overview of the experimental work using a Planar Magnetic Levitation Stage System structure proposed by Dr. Won-Jong Kim in his PhD thesis. Based on his results, we built an Experimental Test Stand (ETS), which enabled us to get accustomed with the new technology and to create new control structures and algorithms. The ETS is controlled by a powerful controller made of 4 DSPs mastered by a PC. This controller structure increases the controller bandwidth up to 10 kHz leading to a better emulation of an analog controller and leaving enough room for further development. Based on analyzing all the factors that can affect the performances of the system, we achieved a great accurate positioning performance of sub-nanometer RMS value.

현장 용접 실무자의 경우 익숙한 업무라 하더라도 때로는 시행착오를 겪을 수 있고, 또는 익숙한 용접 작업을 벗어나 새로운 조건으로 용접을 수행해야 하는 경우도 있다. 이 경우 복잡한 용접 기준과 방법을 전산 정보화 하여 마른 시간에 가장 적합한 용접 방법과 용접 조건을 제공해 줄 수 있다면 현장작업의 합리화에 기여 할 수 있을 것이다. 본 연구에서는 이러한 시도로서 연강용접에 국한하여 용접 조건 설정에 관한 전문가의 지식을 전산 정보화 하여 현장 용접 실무자가 쉽게 새로운 용접 조건을 찾는데 도움을 주는 지적 결정 시스템을 구축하고자 하였다.

본 연구는 차세대 반도체 칩 패키징 재료로 검토되고 있는 열가소성 수지(Thermoplastic resin)의 사출성형에 있어서의 불량과 그에 따른 해결책을 Visual Basic을 이용하여 전산 정보화함으로써 성형 불량 대책을 제공하는 지적 결정 시스템을 개발하였다. 체계적인 기술이 정립되어 있지 않는 플라스틱 성형의 문제점을 최소화하고 재료비 절감 설계 납기일 단축, 제품 품질 향상을 그 목적으로 하고 있다.

In design stage of high precision manufacture/inspect ion FAB building, it is necessary to investigate the vibration allowable limits of high precision equipment and to study a structure dynamic characteristics of C/R and Sub-structure in order to provide a structure vibration environment to satisfy thess allowable limits. The aim of this study is to investigate the dynamic characteristics of PC-Type mock-up structures designed for next TFT LCD FAB through vibration measurement and analysis procedure, therefore, to provide a proper dynamic structure design for high precision manufacture/inspection work process, which satisfy thess allowable limits.

본 연구에서는 고밀도로 백색 발광다이오드를 웨이퍼 상에 제작하기 위한 제조공정에 필요한 포토마스크를 제작하는 연구를 수행하였다. 발광다이오드 한 개의 패턴을 웨이퍼상에 연속적으로 배열하여 이를 병렬로 연결하는 금속배선을 고려하였다. AutoCAD의 DWG 파일로 캐드작업을 수행하여 이를 DXF 파일로 변환하였으며, 레이저빔으로 스켄하여 소다라임 유리판 위에 크롬을 식각함으로써 포토마스크를 제작하였다. 이는 기존에 제작된 개별칩 형태의 발광다이오드 제작공정을 집적공정화함으로써 웨이퍼상에서 전면 발광하는 조명광원의 구조를 갖는다. 또한 이를 활용하여 백색 발광다이오드 집적칩을 제작하려 한다.

4 ～ 20 nm 범위의 입자들이 갖는 전기적 특성을 이용하기 위하여 이들 입자를 300mm 웨이퍼 위에 균일하게 증착시키는 기술을 개발하고자 하였다. 이를 위하여 나노 임자의 증착 장비 개발에 필요한 증착 장비내 유동장 해석 및 온도 구배장 해석을 수행하였다. 증착 장비 입구의유량이 3 1pm, 4 nm인 경우, 입자의 확산력만을 고려하였을 때, 대부분의 입자들은 웨이퍼 표면이 아닌 벽면으로의 부착이 98% 정도 일어났다. 그러나 입자의 열영동 및 전기영동을 고려한 경우, 100% 웨이퍼 표면에 증착되는 것을 알 수 있었다. 따라서 입자의 확산력 이외의 외력(열영동, 전기영동)을 이용하면 웨이퍼 표면에의 증착 효율을 상승시킬 수 있을 것으로 판단된다.

폐슬러지 실리콘과 흑연의 혼합물에 물을 주입하고 열처리하여, 마이크론 크기의 이산화 실리콘 구형입자를 제조하였다. 제조된 이산화 실리콘의 직경은 균일하고 약 $1.7\mu\textrm{m}$이다. 탄화 실리콘이 이산화 실리콘 구형입자와 함께 존재하였으며, 그 모양은 휘스커와 다면체였다. 폐슬러지 실리콘과 탄소의 혼합물을 고온에서 열처리하면 일산화 실리콘 기체가 생성된다. 물이 산소의 공급원으로 주입되면 일산화 실리콘 기체는 산소와 반응하여 이산화 실리콘 고체가 형성될 수 있다. 실리콘 공급원으로 일산화 실리콘이 반응기 내에 균일하게 분포하고 물을 주입하여 이산화 실리콘이 형성되는 메커니즘은 액상에서 수산화 실리콘 구형입자를 형성하는 메커니즘과 유사하다.

This paper focuses on lossy medical image compression methods for medical images that operate on two-dimensional(2D) integer wavelet transform. We offer an application of the Set Partitioning in Hierarchical Trees(SPIHT) algorithm to medical images, using a 2D wavelet decomposition and a 2D spatial dependence tree. The wavelet decomposition is accomplished with integer wavelet filters implemented with the lifting method, where careful scaling and truncations keep the integer precision small and the transform unitary. We have tested our encoder on medical images using different integer filters. Results show that our algorithm with certain filters performs as well and is sometimes better lossy coding using 2D integer wavelet transforms on medical images.

Miniaturization is the central theme in modern fabrication technology. Many of the components used in modern products are becoming smaller and smaller. The direct write FIB technology has several advantages over contemporary micromachining technology, including better feature resolution with low lateral scattering and capability of maskless fabrication. Therefore, the application of FIB technology in micro fabrication has become increasingly popular. In recent model of FIB, however the feeding system has been a very coarse resolution of about a few $\mu\;\textrm{m}$. It is not unsuitable to the sputtering and the deposition to make the high-precision structure in micro or macro scale. Our research is the development of nano stage of 200mm strokes and 10nm resolutions. Also, this stage should be effectively operating in ultra high vacuum of about $1\times10^{-7}$ torr. This paper presents the concept of nano stages and the discussion of the material treatment for ultra high vacuum.

The application of focused ion beam (FIB) technology in micro/nano machining has become increasingly popular. Its use in micro/nano machining has advantages over contemporary photolithography or other micro/nano machining technologies such as small feature resolution, the ability to process without masks and being accommodating for a variety of materials and geometries. This paper was carried out some experiments of the micro plasma electrode fabrications using FIB. The sputtering of FIB has one major problem that is redeposited by sputtered material including $Ga^+$ ion source. Therefore we have verified the effect of the reposition by EDX. And the optimal condition is suggested to machine the micro plasma electrode.

본 연구에서는 마이크로파용 유전재료로서 널리 사용되고 있는 BNT($BaO-Nd_{2}O_{3}-TiO_{2}$)계 세라믹스를 기본조성으로 하고, 저융점의 phoshpate계 유리 프릿의 첨가를 통해 LTCC(Low Temperature Cofired Ceramic)에 적용 가능한 유전율을 가진 조성을 개발 하고자, $70P_{2}O_{5}-5B_{2}O_{3}-(25-x)BaO-xNa_{2}O$ 유리를 제조 및 특성을 평가하였다. 또한, BNT계 세라믹스에 glass frit을 5 - 15 wt% 범위에서 첨가하고, $800 - 950^{\circ}C$의 온도범위에서 소결하여 제조된 유리-세라믹 복합체의 소결특성 및 유전특성을 조사하였다.

Bias인가된 Hot filament CVD방법을 이용해 Ni을 RF sputtering법으로 고속도강에 피복하여 중간층으로 한후 다이아몬드 박막을 피복할 때 기판온도. Bias인가효과 및 계면층의 특성을 조사하였다. 증착시 Bias인가 할 경우 필라멘트에서 전자방출이 촉진되어 다이아몬드 핵생성과 성장을 촉진하였으며 본 실험에서 최적조건은 증착압력 20~40 torr, Bias인가전압 200V, 기판온도 $700^{\circ}C$로 나타났으며 강에의 다이아몬드 박막 형성시 Ni은 중간층으로써 적합한 원소로 나타났다.

$C_{2}H_{2}/NH_{3}/H_{2}$ 의 혼합기체를 Ni 및 Co 촉매 금속에 열분해하여 탄소 나노튜브를 성장하여 구조적 특성을 SEM, TEM 및 Ramann으로 분석을 하였는 바, 성장된 탄소 나노튜브의 직경은 40~100nm 이었으며 모양은 구불구불하며 무질서하게 배열되었다. 탄소 나노튜브로부터의 전계 방출 특성은 통상적인 전계 방출기구에 기인됨을 알 수 있었다. 또한 인가 전압의 증가에 따라 탄소 나노튜브로 부터의 방출된 전류밀도와 휘도는 증가하였으며, $2.5 V/\mu\textrm{m}$의 전계에서는 $3.6 mA/\textrm{cm}^2$의 전류밀도 값을 갖고 있었으며, $0.8\textrm{cm}^2$의 면적에 성장된 탄소 나노튜브로부터 $56 cd/\textrm{m}^2$의 발광 강도를 보였다.

냉음극관(CCFL) 램프를 이용한 멀티램프 구동용 인버터를 제작 한 후 이를 이용하여 휘도 $20,000 cd/\textrm{m}^2$, 휘도 균일도 85%의 장비용 백라이트를 제작하였다. 이러한 고휘도, 높은 휘도 균일도의 직하방식 백라이트를 이용하여 기존의 형광등을 이용한 검사장비 보다 고휘도, 박형의 장수명 백라이트를 제작하였다.

21C 정보화시대를 맞이하여 반도체 산업이 급속하게 발전함에 따라 컴퓨터를 활용한 효율성이 높은 유틸리티 관리 시스템(New Utility Management System) 기술이 중요시되는 추세이다. 본 연구에서는 유틸리티 관리시스템의 한 부분인 냉수 시스템에 대해 정상상태 유동해석을 통하여 각 구성 요소에서의 유량 및 압력, 온도를 제공할 수 있는 컴퓨터해석시스템을 구현하였다. 효율성 증대를 위해 펌프 위치에 따른 시스템 변화를 파악하여 시스템에 영향을 크게 미칠 수 있는 펌프 즉, 가동하면 효율적인 펌프를 결정하였으며 최적의 리턴라인(Return Line) 위치를 설계하였다. 이 결과는 운전 및 관리의 효율성 증대와 에너지 절감을 위하여 매우 유익한 활용이 가능하다.

투명전극용 ZnO 박막을 펄스레이저 증착방법으로 형성한 후 산소압력과 기판온도에 따른 결정학적, 전기적 특성을 조사하였다. $200^{\circ}C$의 기판온도에서 증착한 ZnO 박막은 C축의 0002 방향으로 우선 배향한 결정구조를 보여주었다. 산소 압력이 10 mTorr 일때 반가폭(FWHM)은 $0.34^{\circ}$의 값을 나타내었다. ZnO 박막의 캐리어 농도는 약 $4\times$10^{20}$\textrm{cm}^3$ 으로 산소농도에는 크게 영향을 받지 않았으며, 약 $5\times10^{-4}{\Omega}cm$ 의 저항율을 나타내었다.

This study presents the combined effect of electric field application and mechanical compressive stress loading on deformation in a multilayer ceramic actuator, designed with stacking 0.2($PbMn_{1/3}Nb_{2/3}O_{3}$)-0.8($PbZr_{0.475}Ti_{0.525}O_{3}$) ceramics and Ag-Pd electrode, alternately. The deformation behaviors were attributed to relative $180^{\circ}$domain, determined by pre-loaded compressive stress and electric field. The non-linearity of piezoelectricity and strain are dependent upon the young's modulus resulting from the domain reorientation.

반도체 가공공정에서 웨이퍼의 정렬이나 각종 초정밀 가공에서 가공물의 각도를 미체 조정하기 위한 초정밀 메커니즘을 제안하였다. 일반적으로 각도를 결정하는 메커니즘은 기어를 이용한다. 기어를 이용할 경우 회전 분해능을 높일 수 있으나 기어의 백래쉬에 의한 오차가 있어 보다 높은 정밀도를 구현하기가 어렵다. 본 논문에서는 직접구동(direct drive) 방식과 이중서보(dual servo) 방식을 이용하여 기어를 사용하지 않고 회전 스테이지를 구현하였다.