• 에너지공학
• /
• 제7권1호
• /
• pp.65-72
• /
• 1998

이 논문은 극좌표이 선로조류방정식을 이용하여 전압안정성 여유전력을 평가하는 고속계산법을 제안한다. 여기서, 선로조류방정식은 상태변수 Vi, $\delta$i, Vj와 $\delta$i 그리고, 선로정수 r과 x로 구성되는데 극좌표계의 특징을 이용하면 이것은 두 개의 변수 Vi와 Vj를 가진 하나의 식이 된다. 그리고, j 모선이 조류계산에서 전압크기로 지정되는 발전기 또는 slack 모선이라면, 변수 Vi만을 가진 하나의 식 즉, {{{{ { V}`_{i } ^{2 } }}에 대한 2차 방정식으로 정식화된다. 그러므로, 전력조류다근은 간단한 계산을 통해 구할 수가 있는데 이와 같이 구해진 다근은 감도해석 또는 다근의 근접도를 통해 전압안정도를 평가할 수 가 있었다. 또한, 전압안정도 평가시에 중요한 요소인 전력용 콘덴서와 같은 조상설비를 고려하여 전압안정성 여유전력을 평가하는 방법을 개발하였다. 제안한 방법을 시험계통에 적용하여 유효성을 입증하였다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제15권6호
• /
• pp.1338-1342
• /
• 2011

본 연구에서는 차세대 나노소자인 DGMOSFET에서 발생하는 단채널효과 중 하나인 문턱전압특성에 대하여 분석하고자 한다. 특히 포아송방정식을 풀 때 전하분포를 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 이때 가우시안 함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 대하여 문턱전압의 변화를 관찰하고자 한다. 포아송방정식으로 부터 해석학적 전위분포 모델을 구하였으며 이를 이용하여 문턱전압을 구하였다. 문턱전압은 표면전위가 페르미전위의 두배가 될 때 게이트 전압으로 정의되므로 표면전위의 해석학적 모델을 구하여 문턱전압을 구하였다. 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 포텐셜 분포값을 수치해석학적 값과 비교하였다. 결과적으로 본 연구에서 제시한 포텐셜모델이 수치해석학적 시뮬레이션모델과 매우 잘 일치하였으며 DGMOSFET의 도핑분포 함수의 형태에 따라 문턱전압 특성을 분석하였다.

• 전기학회논문지
• /
• 제61권12호
• /
• pp.1872-1876
• /
• 2012

A calculation method of the breakdown voltage for the drain region with the cylindrical structure in LDMOS is proposed. The depletion region of the drain is divided into many smaller regions and the doping concentration of each split region is assumed to be uniformly distributed. The field and potential in each split region is calculated by the integration of the Poisson equation and the ionization integral method is used to compute the breakdown voltage. The breakdown voltage resulted from the proposed method shows the maximum relative error of 2.2% compared with the result of the 2-dimensional device simulation using BANDIS.

• 대한전기학회논문지:전기기기및에너지변환시스템부문B
• /
• 제55권2호
• /
• pp.107-115
• /
• 2006

In this paper, a new speed sensorless control based on an instantaneous reactive power is proposed for the interior permanent magnet synchronous motor(IPMSM) drives. In proposed algorithm, the current observer estimates the line currents and the estimated speed can be yielded from the voltage equation because the information of speed is included in back EMF. To implement speed sensorless control, the current observer is composed by using the voltage equation of the IPMSM in the stationary reference frame fixed to the stator. The estimated speed of the rotor is composed by using the voltage equation of the IPMSM in the rotating reference frame fixed to the rotor The estimated speeds to minimize the speed error compensated by using the instantaneous reactive power. The instantaneous reactive power is calculated on the rotating reference frame fixed to the rotor. The effectiveness of the preposed algorithm is confirmed by the experiments.

• 대한전기학회논문지:전력기술부문A
• /
• 제53권3호
• /
• pp.168-174
• /
• 2004

This paper describes a new fault location algorithm based on the voltage equation at the relaying point using 6-phase current for untransposed 765㎸ parallel transmission lines. The proposed method uses the voltage and current collected at only the local end. By means of 3-phase circuit analysis theory to compensate the mutual coupling effects between parallel lines, the fault location is derived. The fault distance is determined by solving the 2nd distance equation based on KVL(Kirchhoff's Voltage Law). Extensive simulation results using EMTP(Electromagnatic Transients Program) have verified that the error of the fault location achieved is up to 4.56(%) in untransposed parallel transmission lines.

• 대한전기학회논문지
• /
• 제38권6호
• /
• pp.470-476
• /
• 1989

In order to develop a mathematical model which can predict the operating voltage and current of a discharge lamp, the properties and the physical phenomena of a low pressure gas discharge are investigated. Fluorescent lamp which uses a low pressure mercury-argon gas discharge is used in the model development. In a low pressure mercur-argon gas discharge, the continuity equation for each excited atom and electron, and the electron energy balance equation can predict the physical quantities of discharge. By coupling these equations and the circuit equation, the electrical characteristics of the discharge lamp can be predicted. To verify the validity of the suggested model, we calculated the voltage and current of a fluorescent lamp operating with inductor ballast for source frequency of 5KHz, 8KHz, 10KHz, and 13KHz. The results show good agreements in wave forms between the measured voltage and current, and the difference between the measured and calculated one is less than 5%.

• 대한전기학회논문지
• /
• 제43권5호
• /
• pp.711-720
• /
• 1994

A distance relaying algorithm for detecting faults at power transmission line is presented in this paper. The algorithm is based on differential equation from relaton between voltage and current, which is composed of lumped resistance and inductance. During the fault transient state,the voltage and current signals are severely distorted due to the exponentially decaying DC offset and high frequency components, In spite of using small data, the presented integral method to evaluate R and L from voltage and current has high performance against these harmonics including DC offset. Therefore, the presented algorithm can be implemented with only a low order anti-aliasing analog filter and dosen't need any digital filter to remove specific components.

• Journal of information and communication convergence engineering
• /
• 제10권2호
• /
• pp.200-204
• /
• 2012

This study has presented the analysis of breakdown voltage for a double-gate metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) based on the doping distribution of the Gaussian function. The double-gate MOSFET is a next generation transistor that shrinks the short channel effects of the nano-scaled CMOSFET. The degradation of breakdown voltage is a highly important short channel effect with threshold voltage roll-off and an increase in subthreshold swings. The analytical potential distribution derived from Poisson's equation and the Fulop's avalanche breakdown condition have been used to calculate the breakdown voltage of a double-gate MOSFET for the shape of the Gaussian doping distribution. This analytical potential model is in good agreement with the numerical model. Using this model, the breakdown voltage has been analyzed for channel length and doping concentration with parameters such as projected range and standard projected deviation of Gaussian function. As a result, since the breakdown voltage is greatly changed for the shape of the Gaussian function, the channel doping distribution of a double-gate MOSFET has to be carefully designed.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제13권11호
• /
• pp.2373-2377
• /
• 2009

본 연구에서는 3차원 포아송방정식을 이용하여 FinFET의 문턱전압특성을 분석하였다. FinFET는 차세대 나노소자로서 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점 때문에 많은 연구가 진행중에 있다. 이에 FinFET에서 단채널효과로서 잘 알려진 문턱 전압이하 스윙 및 문턱 전압 등을 3차원 포아송방정식의 분석학적 모델로 분석하고자 한다. 나노소자인 FinFET의 구조적 특성을 고찰하기 위하여 채널의 두께, 길이, 폭 등의 크기요소에 따라 분석하였다. 본 논문에서 사용한 분석학적 3차원 포아송방정식의 포텐셜모델 및 전송모델은 여러 논문에서 3차원 수치해석학적 값과 비교하여 그 타당성이 입증되었으므로 이 모델을 이용하여 FinFET의 문턱전압특성 및 문턱전압이하 특성을 분석하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국해양정보통신학회 2009년도 추계학술대회
• /
• pp.928-930
• /
• 2009

본 연구에서는 3차원 포아송방정식을 이용하여 FinFET의 문턱전압특성을 분석하였다. FinFET는 차세대 나노소자로서 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점 때문에 많은 연구가 진행중에 있다. 이에 FinFET에서 단채널효과로서 잘 알여진 문턱전압이하 스윙 및 문턱전압 등을 3차원 포아송방정식의 분석학적 모델로 분석하고자 한다. 나노소자인 FinFET의 구조적 특성을 고찰하기 위하여 채널의 두께, 길이, 폭 등의 크기요소에 따라 분석하였다. 본 논문에서 사용한 분석학적 3차원 포아송방정식의 포텐셜모델 및 전송모델은 여러 논문에서 3차원 수치해석학적 값과 비교하여 그 타당성이 입증되었으므로 이 모델을 이용하여 FinFET의 문턱전압 특성 및 문턱전압이하 특성을 분석하였다.