Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)

The Korea Institute of Information and Commucation Engineering (한국정보통신학회)
권호 표지

Analysis of Threshold Voltage Characteristics for FinFET Using Three Dimension Poisson's Equation

3차원 포아송방정식을 이용한 FinFET의 문턱전압특성분석

  • Han, Jihyung (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
  • Jung, Hakkee (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
  • Lee, Jaehyung (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
  • Jeong, Dongsoo (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
  • Lee, Jongin (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
  • Kwon, Ohshin (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University)
  • 한지형 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 정학기 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 이재형 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 정동수 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 이종인 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 권오신 (군산대학교 전자정보공학부)
  • Published : 2009.10.29
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Abstract

In this paper, the threshold voltage characteristics have been alanyzed using three dimensional Poisson's equation for FinFET. The FinFET is extensively been studing since it can reduce the short channel effects as the nano device. We have presented the short channel effects such as subthreshold swing and threshold voltage for FinFET, using the analytical three dimensional Poisson's equation. We have analyzed for channel length, thickness and width to consider the structural characteristics for FinFET. Using this model, the subthreshold swing and threshold voltage have been analyzed for FinFET since the potential and transport model of this analytical three dimensional Poisson's equation is verified as comparing with those of the numerical three dimensional Poisson's equation.

본 연구에서는 3차원 포아송방정식을 이용하여 FinFET의 문턱전압특성을 분석하였다. FinFET는 차세대 나노소자로서 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점 때문에 많은 연구가 진행중에 있다. 이에 FinFET에서 단채널효과로서 잘 알여진 문턱전압이하 스윙 및 문턱전압 등을 3차원 포아송방정식의 분석학적 모델로 분석하고자 한다. 나노소자인 FinFET의 구조적 특성을 고찰하기 위하여 채널의 두께, 길이, 폭 등의 크기요소에 따라 분석하였다. 본 논문에서 사용한 분석학적 3차원 포아송방정식의 포텐셜모델 및 전송모델은 여러 논문에서 3차원 수치해석학적 값과 비교하여 그 타당성이 입증되었으므로 이 모델을 이용하여 FinFET의 문턱전압 특성 및 문턱전압이하 특성을 분석하였다.

Keywords