• Animal Bioscience
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• 제34권1호
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• pp.20-25
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• 2021

Objective: The objective of the study was to investigate the possibility of utilizing an early litter size trait as an indirect selection trait for longevity and to estimate genetic parameters between sow stayability and litter size at different parities using a linear-threshold model for longevity in Thai Large White (LW) and Landrace (LR) populations. Methods: The data included litter size at first, second, and third parities (NBA1, NBA2, and NBA3) and sow stayability from first to fourth farrowings (STAY14). The data was obtained from 10,794 LR and 9,475 LW sows. Genetic parameters were estimated using the multiple-trait animal model. A linear-threshold model was used in which NBA1, NBA2, and NBA3 were continuous traits, while STAY14 was considered a binary trait. Results: Heritabilities for litter size were low and ranged from 0.01 to 0.06 for both LR and LW breeds. Similarly, heritabilities for stayability were low for both breeds. Genetic associations between litter size and stayability ranged from 0.43 to 0.65 for LR populations and 0.12 to 0.55 for LW populations. The genetic correlation between NBA1 and STAY14 was moderate and in a favorable direction for both LR and LW breeds (0.65 and 0.55, respectively). Conclusion: A linear-threshold model could be utilized to analyze litter size and sow stayability traits. Furthermore, selection for litter size at first parity, which was the genetic trait correlated with longevity, is possible when one attempts to improve lifetime productivity in Thai swine populations.

• 응용통계연구
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• 제36권4호
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• pp.295-307
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• 2023

HAR 모형은 간단한 선형 모형으로 실현 변동성의 장기기억성을 비교적 잘 설명할 수 있어 널리 쓰이고 있다. 하지만, 실현 변동성은 조건부 이분산성, 레버리지 효과, 변동성 집중 등과 같은 복잡한 특징을 보이고 있기에 단순 HAR 모형을 확장할 필요가 있다. 따라서 본 연구는 조건부 이분산성을 설명하는 GARCH 모형에 임계값에 따라 계수가 달라지는 비선형 모형인 임계 HAR 모형(THAR-GARCH)을 제안하고 그 추정 방법 및 예측 성능에 대해서 살펴보고자 한다. 보다 구체적으로 오차항의 등분산 가정을 벗어났기 때문에 모형의 계수를 추정하기 위해서 반복적인 가중최소제곱추정법을 제안하고 모의실험을 통해 일치성을 보였다. 또한 전세계 21개의 주요 주가 지수의 실현 변동성에 대한 예측 오차를 비교함으로써 제안한 GARCH 오차를 가지는 임계 HAR 모형이 일반적으로 더 우수한 예측력을 보임을 확인하였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제12권4호
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• pp.473-481
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• 2012

For a mesa-isolated small geometry SOI MOSFET, the potentials in the silicon film, front, back, and side-wall oxide layers can be derived three-dimensionally. Using Taylor's series expansions of the trigonometric functions, the derived potentials are written in terms of the natural length that can be determined by using the derived formula. From the derived 3-D potentials, the minimum values of the front and the back surface potentials are derived and used to obtain the closed-form expressions for the front and back gate threshold voltages as functions of various device parameters and applied bias voltages. Obtained results can be found to explain the drain-induced threshold voltage roll-off and the narrow width effect of a fully depleted small geometry SOI MOSFET in a unified manner.

• 한국레이저가공학회지
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• 제11권4호
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• pp.13-20
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• 2008

The damage threshold measurement of gold films is carried out with ultrashort-pulse laser. An enhanced two temperature model is developed to encounter the limitation of linear modeling during ultrashort pulse laser ablation. In which the electron heat capacity is calculated using a quantum mechanical approach based on a Fermi-Dirac distribution, temperature-dependent electron thermal conductivity valid beyond the Fermi temperature is adopted, and reflectivity and absorption coefficient are estimated by applying a temperature-dependent electron relaxation time. The predicted damage threshold using the proposed enhanced modelclosely agreed with experimental results, demonstrating the importance of considering transient thermal and optical properties in the modeling of ultrashort pulse laser ablation.

• 산업경영시스템학회지
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• 제36권1호
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• pp.36-43
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• 2013

Many retailer store managers are experiencing the situation where some customers balk at purchasing products if the stock is low. In this paper, we extend the single period newsvendor model in an environment of customer balking behavior occurring at double threshold inventory levels assuming the chance of sales during balking is a discrete function of inventory level. Our analysis is based on the assumption that only the mean and the variance of demand are known, without assuming any specific distributional form. We derive the explicit general expression of optimal order quantity with unknown distribution of demand with double threshold inventory levels of customer balking. Then, we illustrate the concepts developed here through simple numerical examples and conclude the future research topics under balking situation.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
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• pp.818-821
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• 2012

본 연구에서는 이중게이트 MOSFET의 전도중심에 따른 문턱전압의 변화를 분석할 것이다. DGMOSFET에 대한 단채널효과 중 문턱전압의 이동은 정확한 소자동작에 저해가 되고 있다. 문턱전압분석을 위하여 포아송방정식의 분석학적 전위분포를 이용하였으며 이때 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였다. 소자 파라미터인 채널길이, 채널두께, 게이트산화막두께 그리고 도핑농도 등에 대하여 전도중심의 변화에 대한 문턱전압의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 문턱전압특성을 분석할 것이다. 분석결과 문턱전압은 소자 파라미터에 에 대한 전도중심의 변화에 크게 영향을 받는 것을 관찰할 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권11호
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• pp.2511-2516
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• 2012

본 연구에서는 이중게이트 MOSFET의 전도중심에 따른 문턱전압의 변화를 분석할 것이다. DGMOSFET에 대한 단채널효과 중 문턱전압의 이동은 정확한 소자동작에 저해가 되고 있다. 문턱전압분석을 위하여 포아송방정식의 분석학적 전위분포를 이용하였으며 이때 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였다. 소자 파라미터인 채널길이, 채널두께, 게이트산화막두께 그리고 도핑농도 등에 대하여 전도중심의 변화에 대한 문턱전압의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 문턱전압특성을 분석할 것이다. 분석결과 문턱전압은 소자파라미터에 에 대한 전도중심의 변화에 크게 영향을 받는 것을 관찰할 수 있었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2014년도 춘계학술대회
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• pp.741-744
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• 2014

본 연구에서는 비대칭 이중게이트(double gate; DG) MOSFET의 하단 게이트전압에 대한 문턱전압이동 현상에 대하여 분석하였다. 비대칭 DGMOSFET는 4단자소자로서 상단과 하단의 게이트단자에 별도의 전압을 인가할 수 있으므로 하단게이트전압의 변화가 문턱전압에 영향을 미칠 것이다. 그러므로 단채널효과로 알려져 있는 문턱전압이동현상이 하단게이트전압에 의하여 감소할 수 있는지를 관찰하고자 한다. 이를 위하여 문턱전압 이하영역에서의 차단전류모델을 제시하였으며 차단전류가 채널폭 당 $10^{-7}A/{\mu}m$일 경우의 상단게이트 전압을 문턱전압으로 정의하여 채널길이 및 채널두께의 변화에 따라 하단게이트 전압의 변화에 대한 문턱전압의 이동현상을 관찰하였다. 결과적으로 하단게이트전압은 문턱전압이동현상에 커다란 영향을 미치는 것을 알 수 있었으며, 특히 단채널효과가 심각하게 발생하고 있는 채널길이 및 채널두께 영역에서는 더욱 큰 영향을 미치고 있다는 것을 알 수 있었다.

• Journal of the Korean Statistical Society
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• 제30권1호
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• pp.115-125
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• 2001

We consider the threshold autoregressive moving average(TARMA) process and find a sufficient condition for strict stationarity of the proces. Given region for stationarity of TARMA(p,q) model is the same as that of TAR(p) model given by Chan and Tong(1985), which shows that the moving average part of TARMA(p,q) process does not affect the stationarity of the process. We find also a sufficient condition for the existence of kth moments(k$\geq$1) of the process with respect to the stationary distribution.

• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제7권1호
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• pp.57-61
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• 2009

This paper has presented the subthreshold current model of FinFET using the potential variation in the doped channel based on the analytical solution of three dimensional Poisson's equation. The model has been verified by the comparison with the data from 3D numerical device simulator. The variation of subthreshold current with front and back gate bias has been studied. The variation of subthreshold swing and threshold voltage with front and back gate bias has been investigated.