The adsorption of proteins on the surface of glass slides is essential for the construction of protein chips. Here, we report that a Histidine (His)-tagged protein protein has been efficiently adsorbed on glass coated with nickel. A variety of nickel chloride-coated plates were prepared by the spin-coating method and adsorbed to the His-tagged protein. When the protein was adsorbed onto the surface of a variety of nickel chloride-coated glass slides, the efficiency of protein adsorption was dependent upon the coating conditions such as nickel chloride concentration, the spin speed and the drying temperature. The slides appropriate for protein adsorption were obtained when the slides were coated with 11%(w/w) of $NiCl_2$ at the spin speed of 4000 rpm for 20 sec and then dried at higher than 40°C. The physical properties of their nickel chloride thin layer were characterized by scanning electron microscopy. x-ray diffraction and atomic force microscopy, finding that the nickel chloride particles were around 10 nm in diameter and uniformly crystallized at 101 faces. These results show that nickel chloride-coated slides prepared by the spin-coating method are utilizable for the construction of Histagged protein chips.
We present the rectifying and nitrogen monoxide (NO) gas sensing properties of an oxide semiconductor heterostructure composed of n-type zinc oxide (ZnO) and p-type copper oxide thin layers. A CuO thin layer was first formed on an indium-tin-oxide-coated glass substrate by sol-gel spin coating method using copper acetate monohydrate and diethanolamine as precursors; then, to form a p-n oxide heterostructure, a ZnO thin layer was spin-coated on the CuO layer using copper zinc dihydrate and diethanolamine. The crystalline structures and microstructures of the heterojunction materials were examined using X-ray diffraction and scanning electron microscopy. The observed current-voltage characteristics of the p-n oxide heterostructure showed a non-linear diode-like rectifying behavior at various temperatures ranging from room temperature to $200^{\circ}C$. When the spin-coated ZnO/CuO heterojunction was exposed to the acceptor gas NO in dry air, a significant increase in the forward diode current of the p-n junction was observed. It was found that the NO gas response of the ZnO/CuO heterostructure exhibited a maximum value at an operating temperature as low as $100^{\circ}C$ and increased gradually with increasing of the NO gas concentration up to 30 ppm. The experimental results indicate that the spin-coated ZnO/CuO heterojunction structure has significant potential applications for gas sensors and other oxide electronics.
The In2S3 thin films of tetragonal structure and In2O3 films of cubic structure were synthesized by a spin coating method from the organometallic compound precursor triethylammonium indium thioacetate ($[(Et)_3NH]^+[In(SCOCH_3)_4]^-$; TEA-InTAA). In order to determine the electron mobility of the spin-coated TEA-InTAA films, thin film transistors (TFTs) with an inverted structure using a gate dielectric of thermal oxide ($SiO_2$) was fabricated. These devices exhibited n-channel TFT characteristics with a field-effect electron mobility of $10.1cm^2V^{-1}s^{-1}$ at a curing temperature of $500^{\circ}C$, indicating that the semiconducting thin film material is applicable for use in low-cost, solution-processed printable electronics.
The BST thin films to composite (Ba$\sub$x/Sr$\sub$l-x/)TiO$_3$ using sol-gel method were fabricated on Pt/Ti/SiO$_2$/Si substrate. The thin film capacitor to be ferroelectric materials was investigated by structural and electrical properties. BST solution was composited by moi ratio, and then spin-coated (from 3 times to 5 times coating on Pt/SiO$_2$/Si substrate. Thickness of BST ceramics thin films are about 2600∼2800[${\AA}$] in 3 times deposition. The property of leakage current was stable when the applied voltage was 3[V]. Leakage current of 3 times coated BST thin film was 10$\^$-9/∼10$\^$-11/[A] at 0∼3[V].
Kim, Min-Kyung;Ryu, Soo-Ryeon;Noda, Isao;Jung, Young-Mee
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제32권11호
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pp.4005-4010
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2011
We investigated thermal behavior of spin-coated films of P(HB-co-HHx)/PEG blends by using infraredreflection absorption (IRRAS) spectroscopy and 2D correlation spectroscopy. Based on 2D IRRAS correlation spectra, we could determine the sequence of spectral intensity changes with increasing temperature that PEG band changes first and then a band for crystalline component of P(HB-co-HHx) changes before a band for amorphous component. The intensities of bands for PEG and amorphous P(HB-co-HHx) were changed greatly as PEG weigh % of P(HB-co-HHx)/PEG blends increased. Transition temperatures of P(HB-co-HHx)/PEG blends were successfully determined by 2D gradient mapping method. The transition temperature of spincoated films of 98/2 and 90/10 P(HB-co-HHx)/PEG blends and 80/20 P(HB-co-HHx)/PEG blend determined by 2D gradient map are, respectively, about 137.5 and $132.5^{\circ}C$. Furthermore, P(HB-co-HHx)/PEG blends show an additional transition temperature that have been interpreted in terms of different lamellar thicknesses in spin coated films.
Solution processed conjugated molecules enable to manufacture various electronic devices by unconventional and cost effective patterning methods as screen or gravure printing. Spin-coating is the most popularly used method to form conjugated polymeric film for various electronic devices. The coating method has certain disadvantages such as a large amount of unwanted wastes, difficulty forming a film with a large area, and impossible to apply roll-to-roll manufacturing. We present here a promising alternative coating method, bar-coating for conjugated polymer film and OLED with the bar coated light emitting layer. In this papers, we show atomic force microscope images of spin- and bar-coated Poly[(9,9-di-n-octylfluorenyl-2,7-diyl)-alt-(benzo[2,1,3]thiadiazol-4,8-diyl)] (F8BT) films on substrate. The bar-coated film showed a slight lower RMS roughness (1.058 [nm]) than spin-coated film (1.767 [nm]). It means the bar-coating is suitable method to form light emitting layers in OLEDs. By using bar-coating process, an OLED obtained with 4.7 [cd/A] in maximum current efficiency.
We report growth of vertically well-aligned zinc oxide (ZnO) nanorods on indium-tin oxide (ITO)/glass substrates using a simple aqueous solution method at low temperature via control of the ZnO seed layer morphology. ZnO nanoparticles acting as seeds are pre-coated on ITO-coated glass substrates. by spin coating to control distribution and density of the ZnO seed nanoparticles. ZnO nanorods were synthesized on the seed-coated substrates in a dipping process into a main growth solution. It was found that the alignment of ZnO nanorods can be effectively manipulated by the spin-coating speed of the seed layer. A grazing incidence X-ray diffraction pattern shows that the ZnO seed layer prepared using the higher spin-coating speed is of uniform seed distribution and a flat surface, resulting in the vertical growth of ZnO nanorods aligned toward the [0001] direction in the main growth process.
Dye-sensitized solar cell (DSC) has been considered as a possible alternative to current silicon based p-n junction photovoltaic devices due to its advantages of high efficiency, simple fabrication process and low production cost. Numerous researches for high efficient DSC in the various fields are under way even now. Among them, the compact layer, which prevents the back electron transfer between transparent conductive oxides and the redox electrolyte, is fabricated by various methods such as a ZnO dip-coating, $TiCl_4$ dip-coating, and Ti sputtering. In this study, we tried to fabricate the $TiO_2$ compact layer by the spin-coating method using aqueous $TiCl_4$ solution. The effect of the spin-coating method was checked as compared with conventional dip-coating method. As a result, DSC with a spin-coated compact layer had 33.4% and 6% better efficiency than standard DSC and DSC with a dip-coated compact layer.
This study reports an alternative method for measuring the magnetoresistance of unpatterned magnetic tunnel junctions similar to the current-in-plane tunneling (CIPT) method. Instead of using microprobes, a series of point contacts with different spacings are coated on the top surface of the junctions and R-H loops at various spacings are then measured by the usual four-point probe method. The values of magnetoresistance and resistance-area products can be obtained by fitting the measured data to the CIPT theoretical model. The test results of two types of junctions were highly similar to those obtained from standard CIPT tools. The proposed method may help to accelerate the process for evaluating the quality of magnetic tunnel junctions when commercial CIPT tools are not accessible.
용액 공정 기반으로 유기 전자소자를 제작할 시, 회전 도포 방법을 이용하는데 이 방법의 단점 중의 하나는 후속 회전 도포할 때 용액 속의 용매에 의해 이미 제작된 유기 박막을 물리적 또는 화학적인 손상을 입힐 수 있다는 것이다. 이러한 문제들로 인해 후속적인 박막 제조에 사용될 수 있는 용매의 종류는 매우 제한적일 수 밖에 없다. 본 논문에서는 기존에 알려진 용매들의 적절한 조합으로 인해 다층 박막 제작이 가능함을 보이고, 이를 이용하여 용액 공정 기반 유기 트랜지스터를 제작하여 성능의 향상을 보일 것이다. 트랜지스터의 구조는 하부 게이트 하부 접촉 (bottom gate, bottom contact) 구조로 제작되었고 게이트 절연체는 강유전체 고분자로 제작되었는데 한 번의 회전 도포 방법과 두 번의 회전 도포 방법으로 동일 두께를 형성하여 두 트랜지스터를 제작, 드레인 전압에 따른 소스-드레인 전류를 비교하였다. 그 결과 소스-게이트 누설 전류 감소 효과가 있었고, ON 상태에서의 소스-드레인 전류의 상승효과도 관찰되었다. 전류-전압 그래프로부터 계산된 이동도는 약 2.7배 증가되었다. 그러므로 용액 공정 기반 전계효과 트랜지스터를 제작할 시, 게이트 절연체를 다층 구조로 제작하면 성능 향상에 이점이 많다는 것을 알 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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