1 |
G. F. Fine, L. M. Cavanagh, A. Afonja and R. Bibions, Sensors, 10, 5469 (2010).
DOI
|
2 |
N. Yamazoe and N. Miura, Sens. Actuators B, 20, 95 (1994).
DOI
|
3 |
Y. Min, H. L. Tuller, S. Palzer, J. Wollenstein and H. Bottner, Sens. Actuators B, 93, 435 (2003).
DOI
|
4 |
T. Gao and T. H. Wang, Appl. Phys. A, 80, 1451 (2005).
DOI
|
5 |
S. Baruah and J. Dutta, Sci. Technol. Adv. Mater., 10, 013001 (2009).
DOI
|
6 |
C. M. Chen, S. J. Chang, S. P. Chang, M. J. Li, I. C. Chen, T. J. Hsueh and C. I. Hsu, Chem. Phys. Lett., 476, 69 (2009).
DOI
|
7 |
S. Maridha and D. Basak, Semicond. Sci. Technol., 21, 928 (2006).
DOI
|
8 |
J. M. Luther, J. Gao, M. T. Lloyd, O. E. Semonin, M. C. Barad and A. J. Nozik, Adv. Mater., 22, 3704 (2010).
DOI
|
9 |
A. El-Trass, H. El-Shamy, I. El-Mehasseb and M. El-Kemary, Appl. Surf. Sci., 258, 2997 (2012).
DOI
|
10 |
H. Kidowaki, T. Oku and T. Akiyama, J. Phys. Conf. Ser., 352, 012022 (2012).
DOI
|
11 |
L. T. Hoa and S. H. Hur, Phys. Stat. Sol. A, 210, 1213, (2013).
DOI
|
12 |
S. M. Sze and K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed., Wiley, New York (2007), p. 790.
|
13 |
C. Sah, R. N. Noyce and W. Shockley, Proc. IRE, 45, 1228 (1957).
DOI
|
14 |
X. D. Chen, C. C. Ling, S. Fung, C. D. Beling, Y. F. Mai, R. K. Y. Fu, G. C. Siu and P. K. Chu, Appl. Phys. Lett., 88, 132104 (2006).
DOI
|
15 |
Z. Luo, J. H. Hao and J. Gao, Appl. Phys. Lett., 91, 062105 (2007).
DOI
|
16 |
R. W. J. Scott, S. M. Yang, G. Chabanis, N. Coombs, D. E. Williams and G. A. Ozin, Adv. Mater., 13, 1468 (2001).
DOI
|
17 |
S. J. Park, H. Kim and D. Kim, Korean J. Mater. Res., 24, 19 (2014).
DOI
|
18 |
S. C. Naisbitt, K. F. E. Pratt, D. E. Williams and I. P. Parkin, Sens. Actuators B, 114, 969 (2006).
DOI
|
19 |
S. Ahlers, G. Muller and Th. Doll, Encyclopedia of Sensors, p. 413, ed. by C. A. Grimes, E. C. Dickey and M. V. Pishko, American Scientific Publishers (2006).
|