In this study, fluorinated ethylene propylene (FEP) nanoparticle as an adhesive for fabricating a three-dimensional multilayered microfluidic device was studied. The formation of evenly distributed FEP nanoparticles layer with 3 ㎛ in thickness on substrates was achieved by simple spin coating of FEP dispersion solution at 1500 rpm for 30 s. It is confirmed that FEP nanoparticles transformed into a hydrophobic thin film after thermal treatment at 300 ℃ for 1 hour, and fabricated polyimide film-based microfluidic device using FEP nanoparticle was endured pressure up to 2250 psi. Finally, a three-dimensional multilayered microfluidic device composed of 16 microreactors, which are difficult to fabricate with conventional photolithography, was successfully realized by simple one-step alignment of FEP coated nine polyimide films. The developed three-dimensional multilayered microfluidic device has the potential to be a powerful tool such as high-throughput screening, mass production, parallelization, and large-scale microfluidic integration for various applications in chemistry and biology.
Choi, Hyo Jin;Lee, Min Sang;Kim, Hong Seung;Ahn, Hyung Soo;Jang, Nak Won
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.34
no.4
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pp.256-261
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2021
Indium-doped Mg0.05Zn0.95O thin films were deposited on glass substrates by a sol-gel method. Three types of indium precursors such as indium chloride, indium acetate, and indium nitrate were used as doping sources. Physical properties of fabricated thin films were analyzed through XRD (x-ray diffraction), UV-vis spectrophotometer, Hall effect measurement, and EDS (energy dispersive x-ray spectroscopy). All In-doped thin films grown in this study exhibited a preferred orientation of (002) with over 80% transmittance. The results showed that the Mg0.05Zn0.95O thin film from indium chloride as the indium precursor has higher crystallinity and transmittance with lower resistivity when compared with those from other indium precursors.
We demonstrate an effect of annealing temperature on imprinting process of BiLaO thin film for liquid crystal alignment. BiLaO prepared sol-gel process was deposited by spin coating on a glass substrate, and then transferred to a pre-fabricated aligned pattern which is fabricated on a silicon wafer by laser interference lithography. Thin film was annealed at different temperature of 100, 150, 200, and 250 ℃. From the polarized optical microscopy analysis, the liquid crystal orientation was not uniform at the annealing temperature of 200 ℃ or lower and the uniform liquid crystal alignment characteristics were confirmed at the annealing temperature of 250 ℃. From atomic force microscopy, the pattern was not transferred at a temperature of 200 ℃ or lower. In contrast, the pattern was transferred at 250 ℃. Anisotropy of the thin film was obtained by the alignment pattern transferred at a temperature of 250 ℃, and the liquid crystal molecules could be evenly oriented on the thin film. Therefore, it was confirmed that the liquid crystal alignment process by the imprinting process of the BiLaO oxide film was affected by the annealing temperature.
Cheon, Min Jong;Kim, Soaram;Nam, Giwoong;Yim, Kwang Gug;Kim, Min Su;Leem, Jae-Young
Korean Journal of Metals and Materials
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v.49
no.7
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pp.583-588
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2011
$Cd_xZn_{1-x}O$ thin films were grown on quartz substrates by using the sol-gel spin-coating method. The mole fraction, x, of the $Cd_xZn_{1-x}O$ thin films was controlled from 0 to 1 by changes in the content ratio of the cadmium acetate dehydrate [$Cd{(CH_3COO)}_2{\cdot}2H_2O$] and zinc acetate dehydrate [$Zn{(CH_3COO)}_2{\cdot}2H_2O$]. The effects of the mole fraction on the morphological, structural, and optical properties of the $Cd_xZn_{1-x}O$ thin films were investigated by scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD), and UV-visible spectroscopy. The $Cd_xZn_{1-x}O$ thin films exhibited the polygonal surface morphology and their grain size was increased ranging from 42.1 to 63.9 nm with the increase in the mole fraction. It was observed that the absorption bandgap of the $Cd_xZn_{1-x}O$ thin films decreased from 3.25 to 2.16 eV as the mole fraction increased and the Urbach energy ($E_U$) values changed inversely to the optical bandgap of the $Cd_xZn_{1-x}O$ thin films.
Kim, Injoo;Kim, Yonghwa;Cho, Younghak;Kim, Sungdong
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.29
no.2
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pp.121-127
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2022
Micro-LED is a light-emitting diode smaller than 100 ㎛ in size. It attracts much attention due to its superior performance, such as resolution, brightness, etc., and is considered for various applications like flexible display and VR/AR. Micro-LED display requires a mass transfer process to move micro-LED chips from a LED wafer to a target substrate. In this study, we proposed a vacuum chuck method as a mass transfer technique. The vacuum chuck was fabricated with MEMS technology and PDMS micro-mold process. The spin-coating approach using a dam structure successfully controlled the PDMS mold's thickness. The vacuum test using solder balls instead of micro-LED confirmed the vacuum chuck method as a mass transfer technique.
A spin coating process for RRAM, which is a TiN/TiO2/FTO structure based on a PTC sol solution, was developed in this laboratory, a method which enables low-temperature and eco-friendly manufacturing. The RRAM corresponds to an OxRAM that operates through the formation and extinction of conductive filaments. Heat treatment was selected as a method of controlling oxygen vacancy (VO), a major factor of the conductive filament. It was carried out at 100 ℃ under moisture removal conditions and at 300 ℃ and 500 ℃ for excellent phase stability. XRD analysis confirmed the anatase phase in the thin film increased as the heat treatment increased, and the Ti3+ and OH- groups were observed to decrease in the XPS analysis. In the I-V analysis, the device at 100 ℃ showed a low primary SET voltage of 5.1 V and a high ON/OFF ratio of 104. The double-logarithmic plot of the I-V curve confirmed the device at 100 ℃ required a low operating voltage. As a result, the 100 ℃ heat treatment conditions were suitable for the low voltage driving and high ON/OFF ratio of TiN/TiO2/FTO RRAM devices and these results suggest that the operating voltage and ON/OFF ratio required for OxRAM devices used in various fields under specific heat treatment conditions can be compromised.
Bae, Jun Ho;Ham, Seong Su;Park, Sung Cheol;Park, and Kwi-Il
Journal of Sensor Science and Technology
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v.31
no.5
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pp.312-317
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2022
Piezoelectric energy harvesting has attracted increasing attention over the last decade as a means for generating sustainable and long-lasting energy from wasted mechanical energy. To develop self-powered wearable devices, piezoelectric materials should be flexible, stretchable, and bio-eco-friendly. This study proposed the fabrication of stretchable piezoelectric composites via dispersing perovskite-structured BaTiO3 nanoparticles inside an Ecoflex polymeric matrix. In particular, the stretchable piezoelectric sensor array was fabricated via a simple and cost-effective spin-coating process by exploiting the piezoelectric composite comprising of BaTiO3 nanoparticles, Ecoflex matrix, and stretchable Ag coated textile electrodes. The fabricated sensor generated an output voltage of ~4.3 V under repeated compressing deformations. Moreover, the piezoelectric sensor array exhibited robust mechanical stability during mechanical pushing of ~5,000 cycles. Finite element method with multiphysics COMSOL simulation program was employed to support the experimental output performance of the fabricated device. Finally, the stretchable piezoelectric sensor array can be used as a self-powered touch sensor that can effectively detect and distinguish mechanical stimuli, such as pressing by a human finger. The fabricated sensor demonstrated potential to be used in a stretchable, lead-free, and scalable piezoelectric sensor array.
High critical current density. $J_c$ over $1MA/cm^2$ at 77 K in a self field was successfully achieved from the YBCO film prepared on (100) $SrTiO_3$ single-crystal substrates by the TFA-MOD process. Unlike a normal TFA-MOD process, we prepared the TFA precursor solution by dissolving YBCO powder into the trifluoroacetic acid. A significant amount of the second phases, including $BaF_2$, was observed in the films fired at $700-725^{\circ}C$ for 2 h under $P(O_2)=10^{-3}$ atm and $P(H_2O)=4.2%$, most probably due to an insufficient reaction time, and hence $T_c$ was greatly degraded. However the films fired at $750-800^{\circ}C$ for 2 h were composed of strongly c-axis oriented YBCO grams without any second phases. and exhibited the $T_c$ values of 89.5 ~ 91 K with a sharp transition. With increasing the firing temperature from 750 to $800^{\circ}C$ average grain size of YBCO was increased and grain connectivity was enhanced. The highest $J_c$ value of $1.1MA/cm^2$ was obtained from the YBCO film fired at $800^{\circ}C$.
Spinel $LiNi_xMn_{2-x}O_4$ thin films were synthesized up to x = 0.9 by a sol-gel method employing spin-coating. The Ni-substituted films were found to maintain cubic structure at low x but to exhibit tetragonal structure for $x{\geq}0.6$. Such cubic-tetragonal phase transition indicates that $Ni^{3+}(d7)$ ions with low-spin $(t_{2g}^6,e_g^1)$ state occupy the octahedral sites of the compound, thus being subject to the Jahn-Teller distortion. By x-ray photoelectron spectroscopy both $Ni^{2+}$ and $Ni^{3+}$ ions were detected. Optical properties of the $LiNi_xMn_{2-x}O_4$ films were investigated by spectroscopic ellipsometry (SE) in the visible?ultraviolet range. The measured dielectric function spectra by SE mainly consist of broad absorption structures attributed to charge-transfer (CT) transitions, $O^{2-}(2p){\rightarrow}Mn^{4+}(3d)$ for 1.9 $(t_{2g})$ and $2.8{\sim}3.0$ eV $(e_g)$ structures and $O^{2-}(2p){\rightarrow}Mn^{3+}(3d)$ for 2.3 $(t_{2g})$ and $3.4{\sim}3.6$ eV $(e_g)$ structures. Also, sharp absorption structures were observed at about 1.6, 1.7, and 1.9 eV, interpreted as due to d-d crystal-field transitions within the octahedral $Mn^{3+}$ ion. The strengths of these absorption structures are reduced by the Ni substitution. Rapid reduction of the CT transition strength involving the eg states for x = 0.6 is attributed to the reduced wavefunction overlap between the $e_g$ and the $O^{2-}(2p)$ states due to the tetragonal extension of the lattice constant by the Jahn-Teller effect.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.222-222
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2012
Metal oxide gas sensors based on semiconductor type have attracted a great deal of attention due to their low cost, flexible production and simple usability. However, most works have been focused on n-type oxides, while the characteristics of p-type oxide gas sensors have been barely studied. An investigation on p-type oxides is very important in that the use of them makes possible the novel sensors such as p-n diode and tandem devices. Monoclinic cupric oxide (CuO) is p-type semiconductor with narrow band gap (~1.2 eV). This is composed of abundant, nontoxic elements on earth, and thus low-cost, environment-friendly devices can be realized. However, gas sensing properties of neat CuO were rarely explored and the mechanism still remains unclear. In this work, the neat CuO layers with highly ordered mesoporous structures were prepared by a template-free, one-pot solution-based method using novel ink solutions, formulated with copper formate tetrahydrate, hexylamine and ethyl cellulose. The shear viscosity of the formulated solutions was 5.79 Pa s at a shear rate of 1 s-1. The solutions were coated on SiO2/Si substrates by spin-coating (ink) and calcined for 1 h at the temperature of $200{\sim}600^{\circ}C$ in air. The surface and cross-sectional morphologies of the formed CuO layers were observed by a focused ion beam scanning electron microscopy (FIB-SEM) and porosity was determined by image analysis using simple computer-programming. XRD analysis showed phase evolutions of the layers, depending on the calcination temperature, and thermal decompositions of the neat precursor and the formulated ink were investigated by TGA and DSC. As a result, the formation of the porous structures was attributed to the vaporization of ethyl cellulose contained in the solutions. Mesoporous CuO, formed with the ink solution, consisted of grains and pores with nano-meter size. All of them were strongly dependent on calcination temperature. Sensing properties toward H2 and C2H5OH gases were examined as a function of operating temperature. High and fast responses toward H2 and C2H5OH gases were discussed in terms of crystallinity, nonstoichiometry and morphological factors such as porosity, grain size and surface-to-volume ratio. To our knowledge, the responses toward H2 and C2H5OH gases of these CuO gas sensors are comparable to previously reported values.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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