• 제목/요약/키워드: sigma B ($\sigma^{B}$)

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p-EQUIVARIANT SPINC-STRUCTURES

  • Cho, Yong-Seung;Hong, Yoon-Hi
    • 대한수학회보
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    • 제40권1호
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    • pp.17-28
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    • 2003
  • Let X be a closed, oriented, Riemannian 4-manifold with ${{b_2}^+}(x)\;>\;1$ and of simple type. Suppose that ${\sigma}\;:\;X\;{\rightarrow}\;X$ is an involution preserving orientation with an oriented, connected, compact 2-dimensional submanifold $\Sigma$ as a fixed point set with ${\Sigma\cdot\Sigma}\;{\geq}\;0\;and\;[\Sigma]\;{\neq}\;0\;{\in}\;H_2(X;\mathbb{Z})$. We show that if _X(\Sigma)\;+\;{\Sigma\cdots\Sigma}\;{\neq}\;0$ then the $Spin^{C}$ bundle $\={P}$ is not $\mathbb{Z}_2-equivariant$, where det $\={P}\;=\;L$ is a basic class with $c_1(L)[\Sigma]\;=\;0$.

hcp-Mg 입자분산형 Mg-Zn-Ce계 비정질합금의 제조와 기계적 성질 (Production and Mechanical Properties of Mg-Zn-Ce Amorphous Alloys by Dispersion of Ultrafine hcp-Mg Paticles)

  • 김성규;박흥일;김우열;조성명;김영환
    • 한국재료학회지
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    • 제4권8호
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    • pp.847-854
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    • 1994
  • Mg-Zn-Ce계 합금에서 비정질 단상 및 hcp-Mg입자분산형 비정질합금이 20-40%, Zn, 0-10%Ce과 5-20%Zn, 0-5%Ce 의 조성범위에서 각각 생성되었다. 초미세 hcp-Mg입자분산형 $Mg_{85}Zn_{12}Ce_{3}$비정질합금은 급속응고 또는 급속응고리본의 열처리에 의해 Mg입자의 입경을 4-20nm의 범위로 조절할 수 있었으며, 이 범위에서는 밀착굽힘이 가능할 만큼 충분한 인성을 가지고 있었다. 이 합금의 최대인장강도($\sigma_{B}$)와 파단 연신율($\varepsilon_{f}$)은 hcp-Mg입자의 체적분율에 따라서 670-930MPa, 5.2-2.0%의 범위였으며, 최대 비강도($\sigma_{B}$밀도 =$\sigma_{s}$)는 $3.6 \times 10^5N \cdot m/kg$에 달하였다. 이와 같이 Mg입자분산형 비정질 합금의($\sigma_{B}$), ($\sigma_{s}$)그리고 $\varepsilon_{f}$의 최대치가 Mg-Zn-Ce계 비정질합금(690MPa, $2.5 \times 10^5N \cdot m/kg$, 2.5%)보다 월등하게 높다는 것은 주목할 만 하다. 복합상 조직이 형성됨으로서 기계적 강도가 증가하는 것은 동일 조성의 비정질상보다 강한 hcp과포화 고용체의 분산강화에 기인하는 것이라고 고찰되었다.

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Nucleation and growth of vacancy agglomeration in CZ silicon crystals

  • Ogawa, Tomoya;Ma, Minya
    • 한국결정성장학회지
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    • 제9권3호
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    • pp.286-288
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    • 1999
  • When concentration of vacancies in a CZ silicon crystal is defined by molar fraction $X_{B}$, the degree for supersaturation $\sigma$ is given by $[X_{B}-X_{BS}]/X_{BS}=X_{B}/X_{BS}-1=ln(X_{B}/X_{BS})$ because $X_{B}/X_{BS}$ is nearly equal to unity. Here, $X_{BS}$ is the saturated concentration of vacancies in a silicon crystal and $X_{B}$ is a little larger than $X_{BS}$. According to Bragg-Williams approximation, the chemical potential of the vacancies in the crystal is given by ${\mu}_{B}={\mu}^{0}+RT$ ln $X_{B}+RT$ ln ${\gamma}$, where R is the gas constant, T is temperature, ${\mu}^{0}$ is an ideal chemical potential of the vacancies and ${\gamma}$ is and adjustable parameter similar to the activity of solute in a solute in a solution. Thus, ${\sigma}(T)$ is equal to $({\mu}_{B}-{\mu}_{BS})/RT$. Driving force of nucleation for the vacancy agglomeration will be proportional to the chemical potentialdifference $({\mu}_{B}-{\mu}_{BS})/RT$ or ${\sigma}(T)$, while growth of the vacancy agglomeration is proportaional to diffusion of the vacancies and grad ${\mu}_{B}$.

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연산증폭기 공유 기법을 이용한 145μW, 87dB SNR을 갖는 저전력 3차 Sigma-Delta 변조기 (A 145μW, 87dB SNR, Low Power 3rd order Sigma-Delta Modulator with Op-amp Sharing)

  • 김재붕;김하철;조성익
    • 전기전자학회논문지
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    • 제19권1호
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    • pp.87-93
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    • 2015
  • 본 논문에서는 디지털 패스가 없는 연산증폭기 공유 기법을 이용한 $145{\mu}W$, 87dB SNR을 갖는 저전력 3차 Sigma-Delta 변조기를 제안한다. 기존 구조는 아날로그와 디지털 패스를 사용한 구조로 첫 번째 적분기의 계수가 작다는 단점을 지연된 피드포워드 패스를 추가하여 개선하였다. 제안한 구조는 디지털 패스를 제거하여 첫 번째 적분기의 계수를 크게 하였고 연상증폭기 공유 기법을 이용하여 전력소모가 기준 구조보다 적다. 전원전압 1.8V, 신호대역폭 20KHz, 샘플링 주파수 2.8224MHz 조건에서 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 제안한 구조의 시뮬레이션한 결과, SNR(Signal to Noise Ratio)은 87dB, 전력소비는 $145{\mu}W$이다.

COMPOSITION OPERATORS ON THE PRIVALOV SPACES OF THE UNIT BALL OF ℂn

  • UEKI SEI-ICHIRO
    • 대한수학회지
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    • 제42권1호
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    • pp.111-127
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    • 2005
  • Let B and S be the unit ball and the unit sphere in $\mathbb{C}^n$, respectively. Let ${\sigma}$ be the normalized Lebesgue measure on S. Define the Privalov spaces $N^P(B)\;(1\;<\;p\;<\;{\infty})$ by $$N^P(B)\;=\;\{\;f\;{\in}\;H(B) : \sup_{0 where H(B) is the space of all holomorphic functions in B. Let ${\varphi}$ be a holomorphic self-map of B. Let ${\mu}$ denote the pull-back measure ${\sigma}o({\varphi}^{\ast})^{-1}$. In this paper, we prove that the composition operator $C_{\varphi}$ is metrically bounded on $N^P$(B) if and only if ${\mu}(S(\zeta,\delta)){\le}C{\delta}^n$ for some constant C and $C_{\varphi}$ is metrically compact on $N^P(B)$ if and only if ${\mu}(S(\zeta,\delta))=o({\delta}^n)$ as ${\delta}\;{\downarrow}\;0$ uniformly in ${\zeta}\;\in\;S. Our results are an analogous results for Mac Cluer's Carleson-measure criterion for the boundedness or compactness of $C_{\varphi}$ on the Hardy spaces $H^P(B)$.

수동형 적분기(Passive Integrator)를 이용한 저전력 이산시간 Incremental Delta Sigma ADC (Low Power Discrete-Time Incremental Delta Sigma ADC with Passive Integrator)

  • 오군석;김진태
    • 전자공학회논문지
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    • 제54권1호
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    • pp.26-32
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    • 2017
  • 본 논문에서는 설계 요구가 높고, 전력 소모가 높은 opamp를 이용하는 기존의 능동형 적분기를, 수동형 적분기로 대체하여 고속의 저전력, 고해상도 특성을 갖는 incremental delta-sigma ADC를 소개한다. 능동형 적분기에서 수동형 적분기로의 변환을 위해, 기존의 능동형 적분기의 특성을 분석하였다. 이를 바탕으로 opamp의 설계 요구를 낮추고, 더 나아가 opamp를 사용하지 않는 저전력의 수동형 적분기를 제안하였다. 65nm 공정을 이용하여 수동형 적분기로 구성된 1차 single-bit incremental delta-sigma ADC를 설계하였다. Transistor-level 시뮬레이션 결과, 이는 supply 전압이 1.2V인 상황에서 modulator만 0.6uW, digital filter를 포함한 ADC 전체에서 6.25uW를 소모하며 BW 22KHz, SNDR 71dB, dynamic range 74.6dB을 달성하였다.

Anomalous Behavior of the Ethyl Group in the Aminolysis of S-Phenyl Acetate with Benzylamine in Acetonitrile

  • Lee, Ik-Choon;Lee, Hai-Whang;Lee, Byung-Choon;Choi, Jin-Heui
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제23권2호
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    • pp.201-204
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    • 2002
  • The rates of the aminolysis of S-phenyl substituted-acetate series $(RC(=O)SC_6H_4Z$, with R=Me, Et, i-Pr, t-Bu and Bn) with benzylamines $(XC_6H_4CH_2NH_2)$ are not correlated simply with the Taft's polar $({\sigma}^{\ast})$ and/or steric effect constants $(E_s)$ of the substituents due to abnormally enhanced rate of the substrate with R=Et. Furthermore, the cross-interaction constant, ${\rho}x_z$ , is the largest with R=Et. These anomalous behaviors can only be explained by invoking the vicinal bond $({\sigma})$-antibond $({\sigma}^{\ast})$ charge transfer interaction between C-$C{\alpha}$ and C-S bonds. In the tetrahedral zwitterionic intermediate, $T^{\pm}$ , formed with R=Et the vicinal ${\sigma}_{c-c}-{\sigma}^{\ast}_{c-s}$ delocalization is the strongest with an optimum antiperiplanar arrangement and a narrow energy gap, ${\Delta}{\varepsilon}={\varepsilon}_{{\sigma}^{\ast}}-{\varepsilon}_{\sigma}$. Due to this charge transfer interaction, the stability of the intermediate increases (with the concomitant increase in the equilibrium constant K (= $k_a/k_{-a}$)) and also the leaving ability of the thiophenolate leaving group increases (and hence $k_b$ increases) so that the overall rate, $k_n\;=\;Kk_b$, is strongly enhanced. Theoretical support is provided by the natural bond orbital (NBO) analyses at the B3LYP/6-31+$G^{\ast}$ level. The anomaly exhibited by R=Et attests to the stepwise reaction mechanism in which the leaving group departure is rate limiting.