• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2003년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.219.1-219
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• 2003

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1996년도 재료학회 추계학술발표회
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• pp.55-55
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• 1996

• 센서학회지
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• 제14권2호
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• pp.63-68
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• 2005

The nano-grained Pd or Pt-doped $SnO_{2}$ thin films were deposited on the alumina substrate at ambient temperature or $300^{\circ}C$ by using an R.F. magnetron sputtering system and then annealed at $650^{\cir}C$ for 1 hour or 4 hours in air. The crystallinity and microstructure of the annealed films were analyzed. A grain size of the thin films was 30 nm to 50 nm. As a result of gas sensitivity measurements to an alcohol vapor of $36^{\circ}C$, the 2 wt.% Pt-doped $SnO_{2}$ thin-film sensor deposited at $300^{\circ}C$ and annealed at $650^{\circ}C$ for 4 hours showed the highest sensitivity.

• 한국세라믹학회지
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• 제39권4호
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• pp.394-400
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• 2002

리튬 이차전지용 부극재료로 미량의 실리콘이 첨가된 주석산화물 박막을 R.F. magnetron sputtering법을 이용하여 제조하였다. 실리콘의 첨가로 인해 주석의 산화상태를 감소시켜서 첫 번째 충방전 동안 비가역성을 감소시키는 전기 화학적 결과를 얻을 수 있었다. 주석 산화물 박막의 결정 배향성은 기판온도가 올라감에 따라서 (110),(101),(211) 면들이 성장하였다. 합성된 박막은 기판온도가 $300^{\circ}C$이고 $Ar:O_2$의 비가 7:3일때, 700mAh/g의 에너지 밀도를 가지며 가장 좋은 가역성능을 보여주었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제39권9호
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• pp.840-845
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• 2002

오존 가스센서는 저가이고 휴대 및 사용이 간편하며 감도가 높고 우수한 선택성을 지닌 반도체식 가스센서가 대안으로 부각되고 있다. 본 연구에서는 R.F. magnetron sputtering법을 이용하여 ITO($In_2O_3 95%,\;SnO_2$ 5%) 박막을 알루미나 기판위에 증착시켰다. 증착시 기판온도는 300$^{\circ}C$와 500$^{\circ}C$였고, 시편의 일부를 공기중 500$^{\circ}C$에서 4시간 동안 열처리하였다. ITO 가스 감지막은 열처리 전${\cdot}$후 모두 결정을 형성하였다. 오존 가스에 대한 감도측정 결과, 300$^{\circ}C$에서 증착한 다음 열처리한 센서에서 가장 높은 감도(1 ppm이하 감지 가능)를 나타내었다. 작동온도가 높을수록 감도는 줄어들었지만 빠른 응답 특성과 안정성을 가졌다.

• 한국진공학회지
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• 제9권1호
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• pp.42-47
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• 2000

The amorphous vanadium oxide thin films for thin-film rechargeable lithium batteries were fabricated by r.f. reactive sputtering at room temperature. As the experimental parameter, oxygen partial pressure was varied during sputtering. At high oxygen partial pressures(>30%), the as-deposited films, constant current charge/discharge characteristics were carried out in 1M $LiPF_6$, EC:DMC+1:1 liquid electrolyte using lithium metal as anode. The specific capacity of amorphous $V_2O_5$ after 200cycles of operation at room temperature was higher compared to crystalline $V_2O_5$. The amorphous vanadium oxide thin film and crystalline film showed about 60$\mu$Ah/$\textrm{cm}^2\mu\textrm{m}$ and about 38$\mu$Ah/$\textrm{cm}^2\mu\textrm{m}$, respectively. These results suggest that the battery capacity of the thin film vanadium oxide cathode strongly depends on the crystallinity.

• 한국표면공학회지
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• 제38권4호
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• pp.144-149
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• 2005

ZnO박막을 R.F. sputtering방법으로 R.F Power와 기판온도를 공정변수로 하여 Si(100)과 $Al_2O_3(0001)$ 기판에 증착하였다. 공정변수에 따른 박막의 미세구조와 잔류응력 및 광학적 특성 등을 평가하였다. 전반적으로 R.F. Power증가에 따른 박막의 미세구조와 잔류응력 및 광학적 특성 등을 평가하였다. 전반적으로 R.F. Power증가에 따른 박막의 미세구조는 결정립이 커지면서 더 거칠어지는 것으로 나타났다. 기판온도 $800^{\cric}C$에서 증착된 박막의 경우, Si기판에 증착한 것보다 $Al_2O_3$기판에 증착된 박막의 막질이 우수한 것으로 나타났다. 박막의 잔류 응류변화는 R.F. Power 보다는 기판온도에 더 의존하는 것으로 나타났다. 대부분의 시편의 잔류응력이 공정변수인 기판온도가 증가할수록 작아지는 것으로 측정되었다. ZnO박막의 열안정성을 평가하기위해 열싸이클링을 실시하였다. 열싸이클링 결과 $Al_2O_3$(0001)기판에 증착된 박막이 Si(100)기판에 증착된 것보다 열안정성이 우수한 것으로 나타났다. PL측정의 경우, $Al_2O_3$기판에 증착된 ZnO박막이 Si기판에 증착된 것보다 UV영역의 발광이 크고 가시광선영역의 발광이 작은것으로 나타났다. 이것은 박막안의 결함이 작아서 낮은 잔류응력을 갖고 있기 때문인 것으로 생각된다.

• 전기학회논문지
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• 제62권7호
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• pp.974-979
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• 2013

$TiO_2$ thin films are fabricated using R.F.sputtering method. $TiO_2$ thin films are coated on $Al_2O_3$ substrate printed IDE(interdigitated electrode). Impedance of thin films decreases according to increase relative humidity and it increases according to decrease measuring frequency. When substrate temperature is room temperature, impedance of thin films is from 45.68[MHz] to 37.76[MHz] within the limits from 30[%RH] to 75[%RH] at 1[kHz]. Whereas when substrate temperature is 100[$^{\circ}C$], impedance of thin films is from 692[kHz] to 539[kHz] within the limits from 30[%RH] to 75[%RH] at 1[kHz]. Impedance variation of thin films is bigger in low frequency regions than in high frequency regions. When substrate temperature is 100[$^{\circ}C$], impedance of thin films is lower than that of room temperature.

• 한국세라믹학회지
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• 제39권8호
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• pp.742-749
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• 2002

R. F. magnetron sputtering법을 이용하여 Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판 위에 $Pb_{1.1}Zr_{0.53}Ti_{0.47}O_3$ target을 사용하여 박막을 제조하였다. Interlayer(PbO, $TiO_2$, PbO/$TiO_2$)층을 삽입함으로써 박막의 결정성을 향상시켰고, 박막의 기판온도도 상당히 낮출 수 있었다. 순수한 PZT에 비하여 interlayer를 삽입한 PZT는 높은 유전상수과 낮은 유전손실 및 높은 누설전류를 가지는 우수한 전기적 특성을 나타내었다. 이러한 PZT 박막과 interlayer 층은 증착온도에서 서로 반응하여 하나의 고용체를 이루지 않고, 각각 독립적인 층으로 존재함을 XPS 분석을 통해 확인하였다. 여러 interlayer중 특히 PbO/$TiO_2$는 우수한 유전특성(${\varepsilon}_r$=414.94, tan${\delta}$=0.0241, Pr=22${\mu}C/cm^2$)을 나타내었고 가장 효과적인 seed로써의 역할을 하였다.

• 열처리공학회지
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• 제19권4호
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• pp.225-229
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• 2006

TiAlN coatings are available in various industry fields as a wear resistant coating for high-speed machining, due to its high hardness, excellent oxidation and corrosion resistance. The corrosion resistance of TiAlN multilayer coatings is better than that of single TiN coatings. Most of TiAlN coated layers were formed by heat treatment of coating layers with a non-stoichiometric $Ti_xAl_{1-x}N$. In this study, TiAlN coated layer was prepared by R.F magnetron sputtering and investigated the thermal behavior for heat treatment at various temperature in tube furnace. The formation of large particles with porous microstructure and phase change from HCP to FCC were observed on coated layer during heat treatment over $850^{\circ}C$ and it reduced the corrosion resistance of coated TiAlN layers.