• 한국음향학회지
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• 제16권3호
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• pp.106-113
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• 1997

본 논문에서는 저전압 아날로그-디지털 혼성모드 신호처리를 위한 3V CMOS 연속시간 완전균형 적분기가 설계되었다. 설계된 완전균형 적분기의 기본구조는 NMOS와 PMOS 트랜지스터를 이용한 상보형 회로이며, 이러한 상보형 회로는 적분기의 트랜스컨덕턴스를 증가시킬수 있는 장점이 있다. 그리고 트랜스컨덕턴스의 증가는 적분기의 단위이득 주파수, 폴 그리고 영점을 증가시킨다. 소신호해석과 SPICE 시뮬레이션을 통해 기존의 적분기들과 비교하여 이러한 개선점들을 증명하였다. 0.8 3V CMOS CMOS 공정 파라미터를 이용하여 완전균형 상보형 적분기의 응용회로로서 3차 능동 지역통과 필터를 설계하였다.

• 전기전자학회논문지
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• 제21권2호
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• pp.154-157
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• 2017

본 논문에서는 하나의 입력 전압을 받아 두 개의 출력전압을 가지는 LDO 레귤레이터를 제안한다. 두 개의 출력은 각각의 피드백단을 갖는다. 또한 각각의 피드백 단은 서로 피드백 루프를 공유하며, 서로 피드백 루프를 공유 할 시 서로 미치는 영향을 최소화 하기 위하여 피드백 역할을 하는 PMOS를 추가하여 Load Transient Response를 완화 시켰다. 또한 하나의 바이어스 회로와 하나의 패스 트랜지스터를 사용함으로써 기존 두 개의 출력전압을 얻기 위해 두 개의 LDO 레귤레이터를 사용할 때 대비 면적이 절반으로 줄어들었다.

• ETRI Journal
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• 제39권3호
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• pp.373-382
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• 2017

A new internally compensated low drop-out voltage regulator based on the cascoded flipped voltage follower is presented in this paper. Adaptive biasing current and fast charging/discharging paths have been added to rapidly charge and discharge the parasitic capacitance of the pass transistor gate, thus improving the transient response. The proposed regulator was designed with standard 65-nm CMOS technology. Measurements show load and line regulations of $433.80{\mu}V/mA$ and 5.61 mV/V, respectively. Furthermore, the output voltage spikes are kept under 76 mV for 0.1 mA to 100 mA load variations and 0.9 V to 1.2 V line variations with rise and fall times of $1{\mu}s$. The total current consumption is $17.88{\mu}V/mA$ (for a 0.9 V supply voltage).

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권1호
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• pp.67-74
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• 2000

개선된 조건 합 가산기를 이용한 저전력 고속 $54{\times}54$-bit 곱셈기를 설계했다. 지연시간을 감소시키기 위해, Booth's Encoder 없이 높은 압축 율을 갖는 압축기들과 Carry 발생블록을 분리시킨 108-bit 조건 합 가산기를 제안하였다. 또한, 지연시간과 전력소모를 최적화하기 위해 패스 트랜지스터로직을 사용한 설계기법을 제안하였다. 제안된 곱셈기는 기존 곱셈기구조에 비해 약 12%의 지연시간과 5%의 전력소모가 감소하였으며, 0.65${\mu}m$ CMOS(Single-poly, triple-metal)공정을 사용하여 $6.60{\times}6.69mm^2$의 칩 크기와 공급전압 3.3V에서 13.5ns의 지연시간을 갖는다.

• 전기전자학회논문지
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• 제7권1호
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• pp.56-62
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• 2003

본 논문에서는 유한체 $GF(2^2)$상에서의 가산기와 승산기를 전류모드인 T-gate를 이용하여 설계하였다. 제시된 회로는 전류 모드에서 동작하는 T-gate의 조합으로 가산 연산과 승산 연산을 수행하는 연산기를 설계하였다. T-gate는 전류 미러와 전송 게이트로 구성되며 4치 T-gate를 설계, 이를 이용하여 $GF(2^2)$의 가산기와 승산기를 1.5um CMOS 공정을 사용하였다. 전원전압은 DC 3.3V이며 단위 전류는 15uA이다. 본 논문에서 제시한 전류 모드 CMOS 연산기는 T-gate의 배열에 의한 모듈성의 이점을 가지고 있으므로 다치 T-gate를 구현하여 다치 연산기를 쉽게 구현할 수 있게 하였다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제18권5호
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• pp.257-260
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• 2017

In this paper, we present the design of a 4.5 V low dropout (LDO) voltage regulator implemented in the 130 nm CMOS process. The design uses a two-stage cascaded operational transconductance amplifier (OTA) as an error amplifier, with a body bias technique for reducing dropout voltages. PMOS is used as a pass transistor to ensure stable output voltages. The results show that the proposed LDO regulator has a dropout voltage of 32.06 mV when implemented in the130 nm CMOS process. The power dissipation is only 1.3593 mW and the proposed circuit operates under an input voltage of 5V with an active area of $703{\mu}m^2$, ensuring that the proposed circuit is suitable for low-power applications.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료 반도체 세라믹
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• pp.291-294
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• 2003

The circuit substrate was made from the Low Temperature Cofired Ceramics(LTCC) that a $\varepsilon_\gamma$ was 7.8. Accumulated Varactor and the low noise transistor which were a Surface Mount Device-type element on LTCC substrate. Let passive element composed R, L, C with strip-line of three dimension in the multilayer substrate circuit inside, and one structure accumulate band-pass filter, resonator, a bias line, a matching circuit, and made it. Used Screen-Print process, and made Strip-line resonator. A design produced and multilayer-type VCO(Voltage Controlled Oscillator), and recognized a characteristic with the Spectrum Analyzer which was measurement equipment. Measured multilayer structure VCO is oscillation frequency 1292[MHz], oscillation output -28.38[dBm], hamonics characteristic -45[dBc] in control voltage 1.5[V], A phase noise is -68.22[dBc/Hz] in 100 KHz offset frequency. The oscillation frequency variable characteristic showed 30[MHz/V] characteristic, and consumption electric current is approximately 10[mA].

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제21권11호
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• pp.981-986
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• 2008

The conventional IGBT has two problems to make the device taking high performance. The one is high on state voltage drop associated with JFET region, the other is low breakdown voltage associated with concentrating the electric field on the junction of between p base and n drift. This paper is about the structure to effectively improve both the lower on state voltage drop and the higher breakdown voltage than the conventional IGBT. For the fabrication of the circular trench IGBT with the circular trench layer, it is necessary to perform the only one wet oxidation step for the circular trench layer. Analysis on both the on state voltage drop and the breakdown voltage show the improved values compared to the conventional IGBT structure. Because the circular trench layer disperses electric field from the junction of between p base and n drift to circular trench, the breakdown voltage increase. The on state voltage drop decrease due to reduction of JFET region and direction changed of current path which pass through reversed layer channel. The electrical characteristics were studied by MEDICI simulation results.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1993년도 하계학술대회 논문집 A
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• pp.254-257
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• 1993

This paper presents a new method to implement Hebbian learning method on artificial neural network. In hebbian learning algorithm, complexity in terms of multiplications is high. To save the chip area, we consider a new learning circuit. By calculating similarity, or correlation between $X_i$ and $O_i$, large portion of circuits commonly used in conventional neural networks is not necessary for this new hebbian learning circuit named COR. The output signals of COR is applied to weight storage capacitors for direct control the voltages of the capacitors. The weighted sum, ${\Sigma}W_{ij}O_j$, is realized by multipliers, whose output currents are summed up in one line which goes to learning circuit or output circuit. The drain current of the multiplier can produce positive or negative synaptic weights. The pass transistor selects eight learning mode or recall mode. The layout of an learnable six-neuron fully connected Hopfield neural network is designed, and is simulated using PSPICE. The network memorizes, and retrieves the patterns correctly under the existence of minor noises.

• 정보처리학회논문지A
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• 제14A권3호
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• pp.147-150
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• 2007

본 논문에서는 작은 점유면적과 저 전력 소모 특성을 갖도록 CPL(Complementary Pass-Transistor Logic) 논리구조의 전가산기에 저 전압 스윙 기술을 적용하여 16$\times$16 비트 병렬 곱셈기를 설계하였다. 회로구성상 CPL 논리구조는 CMOS 논리구조에 비해 NMOS 트랜지스터만을 사용하기 때문에 작은 면적을 소비한다. 저 전압 스윙 기술은 회로에 공급되는 전압보다 낮은 전압 레벨에서 출력 동작을 하여 전력 소모를 감소시키는 기술이다. 본 논문에서는 전가산기의 출력 단에 사용되는 인버터에 저 전압 스윙 기술을 적용하여 저 전력 소모 특성을 갖는 16$\times$16 비트 병렬 곱셈기를 설계하였다 설계한 회로는 17.3%의 전력 소모 감소와 16.5%의 전력소모와 지연시간의 곱(Power Delay) 감소가 이루어졌다.