This study introduces a novel Soft Switching (SS) Pulse Width Modulated (PWM) AC-DC boost converter. In the proposed converter, the main switch is turned on with Zero Voltage Transition (ZVT) and turned off with Zero Current Transition (ZCT). The main diode is turned on with Zero Voltage Switching (ZVS) and turned off with Zero Current Switching (ZCS). The auxiliary switch is turned on and off with ZCS. All auxiliary semiconductor devices are turned on and off with SS. There is no extra current or voltage stress on the main semiconductor devices. The majority of switching energies are transferred to the output by auxiliary transformer. Thus, the current stress of auxiliary switch is significantly reduced. Besides, the proposed converter has simple structure and ease of control due to common ground. The theoretical analysis of the proposed converter is verified by a prototype with 100 kHz switching frequency and 500 W output power. Furthermore, the efficiency of the proposed converter is 98.9% at nominal output power.
The effects of off-state bias stress on the characteristics of p-type poly-Si TFT were investigated. To reduce the gate-induced drain leakage (GIDL) current, the off-state bias stress was changed by varying Vgs and Vds. After application of the off-state bias stress, the Vgs causing GIDL current was dramatically increased from 1 to 10 V, and thus, the Vgs margin to turn off the TFT was improved. The on-current and subthreshold swing in the aged TFT was maintained. We performed a technology computer-aided design (TCAD) simulation to describe the aged characteristics. The aged-transfer characteristics were well described by the local charge trapping. The activation energy of the GIDL current was measured for the pristine and aged characteristics. The reduced GIDL current was mainly a thermionic field-emission current.
넓은 온도 범위에서 고정된 구동 전류로 동작하는 VCSEL(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser) 송신기의 저전류 동작 특성을 살펴보았다. 사용된 VCSEL은 산화형 850 nm 레이서로, $d^2I_{th}/dT^2$값이 약 $1.346\times10^{-4}mA/^{\circ}C^2$으로 문턱전류의 온도의 존성이 비교적 낮은 것이었으며, 데이터 속도는 1.25 Gbps였다. 칩 상태에서의 광출력-전류-전압을 측정하여 $20^{\circ}C$에서의 광출력이 1 mW가 되는 전류를 on 전류로 설정한 후 $-20^{\circ}C$에서 $80^{\circ}C$의 온도 범위에서 $20^{\circ}C$ 간격으로 온도를 바꾸어가며 off 전류의 변화에 따른 turn-on 특성, turn-off 특성 그리고 eye-diagram을 관찰하였고 온도와 off 전류에 따라 eye-diagram에서 rise time, fall time, extinction ratio, timing jitter가 어떻게 변화하는지를 살펴보았다. 그 결과 최소 문턱전류보다 약 $0.1\sim0.2mA$ 정도 낮게 off 전류를 설정하면 $-20^{\circ}C$에서 $80^{\circ}C$의 온도 범위에서 off 전류와 on 전류를 변화시키지 않고 1.25 Gbps에서 송신기로 동작 시킬 수 있음을 확인하였다.
실리콘 기판상에 여러 조건의 전류밀도에서 로듐 도금을 실시하였다. 직류전원의 경우 전류밀도가 증가하면 로듐 표면에 균열이 발생하였다. 잔류응력을 낮추기 위하여 펄스전류를 인가하였다. 펄스전류의 off 시간이 도금층의 잔류응력을 낮추는데 영향을 주었다. 펄스전류의 인가 주기를 5:5로 하였을 경우 균열 없는 로듐 도금층을 얻었다.
Presented herein are the results of the study that was conducted on the electrical characteristics of organic field-effect transistors based on poly(3-hexylthiophene), particularly the thickness and annealing temperature of their active layer is varied. The changes in field-effect mobility and current on/off ratio were explored. It was observed that both increasing annealing temperature from $60^{\circ}C$ to $100^{\circ}C$ and various concentrations influence the trade-off relations between the mobility and current on/off ratio. The surface morphology of the 2-${\mu}m^2$ area with various thicknesses was scanned via atomic-forcemicroscopy(AFM) to verify the relationship between surface morphology, which is related to the thickness of the film, and device performance.
본 연구는 n-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 LDD 길이에 변화를 주며 제조한 후 이에 따른 전기적인 특성을 분석하였다. LDD 구조를 갖는 소자는 LDD 영역에 의한 직렬저항 효과와 드레인 부근의 전계 감소 효과에 의해서 기존의 구조를 가지는 소자에서 볼 수 있었던 Kink 현상이 사라지게 된다. 또한, on전류의 소폭 감소와 함께 큰 폭의 off 전류 감소가 일어나 on/off 전류비가 기존 구조를 갖는 소자보다 크게 증가하게 된다. 이는 LDD 영역에 의한 직렬저항 효과보다 전계 감소 효과가 더 지배적으로 나타나기 때문으로 사료된다.
The water movements in the south sea of Korea are deduced from the distributions of water properties. In summer the flow path of the Tsushima Current is deflected off from the Korean coast; between the coast and the current there exist eddies. Cyclonic eddies are particularly dominant in the southeastern area of Sorido Is. In winter, the sunken coastal water flows out along the bottom toward the southeast, and compensation is made at the surface by the coastward intrusion of off-shore waters. The so-called coastal counter- current of the area seems to be a cyclonic eddy which prevails in summer and autumn.
Composition and microstructure of the tin-zinc alloys electroplated in gluconate bath were studied according to pulse current parameters. The cathode current efficiency increased with both the mean current density and the off-time decrease. Zinc content of the alloy deposits increased with increasing mean current density, while it decreased noticebly with increasing the off-time from 10-30ms to 100-150ms. The preferred orientation of the alloy deposits changed with the increase of peak current density in the sequence of (220)longrightarrow(220)+(420) or (220)+(420)+(321) mixed structure. The equiaxed grain size of the alloy increased with the increase of off-time and the decrease of mean current density.
The application of pulsed electric field was investigated in the crossflow ultrafiltration of BSA (bovine serum albumn) to economize the application time of electric current as well as to avoid inherent problems of long-term application of electric field. During the application of various cyclic patterns of pulsed electric current, the averaged filtration flowrate and the degree of concentration were maintained higher than those obtained in the absence of electric current application. The temperature increase, pH change, and BSA loss by electrodeposition were all negligible during the operation. The averaged filtration flowrate increased as the ON/OFF duration ratio of electric current was higher and as the period of ON/OFF cycle was shorter. The re-establishment of concentration polarization was dependent to the duration of current OFF state and, therefore, a longer duration of OFF state was not favorable in maintaining higher filtration flow rate. Although the averaged filtration flowrate was enhanced as the magnitude of electric current increased, the flowrate enhancement became smaller as the magnitude of current value above which the degree of electrokinetic depolarization is no further improved.
Analyzing electrical degradation of polycrystalline silicon transistor to applicable at several environment is very important issue. In this research, after fabricating p channel poly crystalline silicon TFT (thin film transistor) electrical characteristics were compare and analized that changed by gate bias with first measurement. As a result on and off current was reduced by variation of gate bias and especially re duce ratio of off current was reduced by $7.1{\times}10^1$. On/off current ratio, threshold voltage and electron mobility increased. Also, when channel length gets shorter on/off current ratio was increased more and thresh old voltage increased less. It was cause due to electron trap and de-trap to gate silicon oxide by variation of gate bias.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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