• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권9호
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• pp.676-680
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• 2010

In this paper, Fin-type silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) flash memory are fabricated and the electrical characteristics are analyzed. Compared to the planar-type SONOS devices, Fin-type SONOS devices show good short channel effect (SCE) immunity due to the enhanced gate controllability. In memory characteristics such as program/erase speed, endurance and data retention, Fin-type SONOS flash memory are also superior to those of conventional planar-type. In addition, Fin-type SONOS device shows improved SCE immunity in accordance with the decrease of Fin width. This is known to be due to the fully depleted mode operation as the Fin width decreases. In Fin-type, however, the memory characteristic improvement is not shown in narrower Fin width. This is thought to be caused by the Fin structure where the electric field of Fin top can interference with the Fin side electric field and be lowered.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제27권11호
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• pp.760-765
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• 2014

MgZnO has attracted a lot of attention for flexible device. In the flexible substrate, the crystal structure of the thin films as well as the surface morphology is not good. Therefore, in this study, we studied on the effects of the oxygen pressure on the structure and crystallinity of $Mg_{0.3}Zn_{0.7}O$ thin films deposited on PES substrate by using pulsed laser deposition. We used X-ray diffraction and atomic force microscopy in order to observe the structural characteristics of $Mg_{0.3}Zn_{0.7}O$ thin films. The crystallinity of $Mg_{0.3}Zn_{0.7}O$ thin films with increasing temperature was improved, Grain size and RMS of the films were increased. UV-visible spectrophotometer was used to get the band gap energy and transmittance. $Mg_{0.3}Zn_{0.7}O$ thin films showed high transmittance over 90% in the visible region. As increased working pressure from 30 mTorr to 200 mTorr, the bandgap energy of $Mg_{0.3}Zn_{0.7}O$ thin film were decreased from 3.59 eV to 3.50 eV.

• 한국진공학회지
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• 제21권3호
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• pp.171-177
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• 2012

본 연구에서는 Mn을 첨가시킨 $LiNbO_3$ 단 결정을 기술하는 스핀 해밀토니언으로 계의 고유치를 구하고, 이를 이용하여 자기 감수성을 온도 의존성으로 조사하였다. 선형응답이론에 기초한 Argyres-Sigel의 투영연산자 방법을 이용하여 계의 자체 에너지함수를 유효한 항까지 계산하였다. 초 미세구조 효과를 고려한 온도 의존성의 역 자기 감수성은 온도의 증가에 따라 그 효과가 더욱 크게 나타나는 것으로 조사되었다. 자체에너지 함수의 실수 부분인 선 너비는 온도의 증가에 따라 감소하는데 이는 온도의 증가로 인해 $Nb^{5+}$와 $Li^+$ 이온들이 산소 층과 다른 인접한 산소 층 쪽으로 이동하기 때문인 것으로 보인다.

• 열처리공학회지
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• 제20권5호
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• pp.237-242
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• 2007

Friction coefficient of SM45C steel was surprisingly reduced with $H_2S$ and $C_3H_8$ gas during plasma sulf-nitriding. During the plasma sulf-nitriding, 100-700 sccm of $H_2S$ gas and 100 sccm of $C_3H_8$ gas were added and working pressure and temperature were 2 torr, $500-550^{\circ}C$, respectively. As $H_2S$ gas amount increased over 500 sccm, flake-like structures were developed on top of the nitriding layer and grain size of the nitriding layer were about 100 nm. The friction coefficient for the sample treated plasma sulf-nitriding under $N_2-H_2S$ gas was 0.4 - 0.5. The structure became more finer and amorphous-like along with $N_2-H_2S-C_3H_8$ gas and the nano-sized surface microstructures resulted in high hardness and significantly low friction coefficient of 0.2.

• 한국항행학회논문지
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• 제20권1호
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• pp.65-71
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• 2016

양자점 셀룰라 오토마타 (QCA; quantum-dot cellular automata)는 나노 규모의 크기와 낮은 전력 소비로 각광받고 있으며, CMOS 기술의 규모의 한계를 극복할 수 있는 대체 기술로 떠오르고 있다. 현재까지 QCA상에서 설계된 BCD-3초과 코드는 확장성을 고려하지 않았으며 대규모 회로 설계에는 적합하지 않았다. 이를 해결하기 위해 본 논문에서는 확장성을 고려한 BCD-3초과 코드 회로를 설계한다. 확장이 가능한 구조를 설계하기 위해 확장된 교차부 구조를 이용하여 입력과 출력의 흐름을 제어하고, 출력되는 값들의 동기화를 위해 5입력 다수결 게이트를 이용한다. 설계한 구조에 대해 QCADesigner를 이용하여 시뮬레이션을 수행한 후 그 결과에 대해 유효성을 검증한다. 제안된 구조는 기존의 URG BCD-3초과 코드변환기와 비교하여 32개의 게이트를 줄이며 빈 공간의 비율 또한 7% 감소시켰다. 또한 확장성이 고려되지 않은 기존의 QCA BCD-3초과 코드 변환기가 회로 확장 시 필요한 7개의 클럭을 1개의 클럭으로 줄였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제42권7호
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• pp.5-12
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• 2005

본 논문에서는 결합된 슈뢰딩거-푸아송 방정식과 전류연속방정식을 셀프-컨시스턴트하게 계산함으로써, 나노-스케일 center-channel (CC) double-gate (DG) MOSFET 디바이스의 전기적 특성 및 구조해석에 관한 연구를 시행하였다. 10-80 nm 게이트 길이의 조건에서 수행한 CC-NMOS의 시뮬레이션 결과를 DG-NMOS 구조에서 시행한 시뮬레이션 결과와의 비교를 통하여 CC-NMOS 구조에서 나타나는 CC 동작특성 메커니즘과, 이로 인한 전류 및 G$_{m}$의 상승을 확인하였다. 문턱 전압 이하 기울기, 문턱 전압 롤-오프, 드레인 유기 장벽 감소의 파라미터를 통하여 단채널 효과를 최소화하기 위한 디바이스 최적화를 수행하였다. 본 나노-스케일 전계 효과 트랜지스터를 위한 2차원 양자역학적 수치해석의 관한 연구를 통하여, CC-NMOS를 포함한 DG-MOSFET 구조가 40나노미터급 이하 MOSFET 소자의 물리적 한계를 극복하기 위한 이상적인 구조이며, 이와 같은 나노-스케일 소자의 해석에 있어서 양자역학적 모델링 및 시뮬레이션이 필수적임을 알 수 있었다.

• 한국자기학회지
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• 제18권5호
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• pp.190-194
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• 2008

FePd 합금박막을 스퍼터링법으로 초격자 박막의 형태로 제작하고 기판온도, 조성변화에 따른 미세구조 및 자기적 특성을 분석하였다. FePd 합금박막의 규칙화를 위한 열처리 온도를 FePt의 열처리 온도에 비해 $150^{\circ}C$ 낮추는데 성공하였다. 또한 FePd 규칙화 합금 박막은 화학양론적 조성일 때 장범위 규칙도는 가장 높은 값을 가졌으며(Fe조성 50 at.%, S = 0.79), 자기이방성 에너지는 Fe 조성이 약간 낮은 조성에서(Fe조성 48 at.%, $K_U=1.6{\times}10^7\;erg/cm^3$) 가장 높은 값을 나타내었다. 이것은 FePd 합금박막의 조성이 장범위 규칙도와 수직자기이방성에 직접적으로 영향을 미친다는 것을 나타낸다.

• 대한치과의사협회지
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• 제48권2호
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• pp.106-112
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• 2010

아직까지 나노관련 기술이 티타늄 임플란트에 직접적으로 사용되는 부분이 상당히 미약하다. 하지만, 수직으로 정렬된 구조를 가지는 티타니아 나노튜브는 생체 내 대부분의 임플란트 재료로 사용되는 티타늄의 차세대 개발에 있어서 가장 중요한 영향을 미칠 것이다. 본문에 설명되어 있는 내용들 뿐 만이라, 티타니아 나노튜브는 파골세포의 골 흡수성 방지, 줄기세포의 특정 성체세포로의 분화, 연골세포의 재분화, 간세포를 이용한 생물 반응기(bio-reactor) 개발 등 생체재료의 여러 분야에서 많이 연구되고 있다. 특히, 줄기세포에 관한 연구는 차세대 임플란트 개발에 있어서 가장 중요한 연구 분야 중의 하나로서, 골을 형성하는 조골세포와 골을 파괴하는 피골세포 모두 줄기세포 로부터 만들어진다는 것을 유념해야 할 것이다. 만약, 티타니아 나노튜브의 독특한 나노구조를 이용하여 줄기세포의 조골세포로의 직접 분회를 제어하는 기술이 개발되어 상업화된다면, 이 기술을 기반으로 하여 현 재까지 개발된 모든 표면 증착 및 코팅 기술을 새롭게 이용하는 차세대 티타늄 임플란트의 개발을 위한 초석이 되리라고 본다.

• Composites Research
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• 제32권6호
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• pp.388-394
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• 2019

그래핀의 저차원 구조에서 기인하는 우수한 전기적/기계적 특성을 지닌 3차원 그래핀 나노 구조체는 높은 다공성과 비표면적을 가지고 있기 때문에 전기화학 에너지 저장 전극 물질로 각광을 받고 있다. 또한 도파민은 카테콜아민 구조를 갖고 있어 다양한 유무기 재료와의 결합력이 뛰어나고, 소수성 재료를 친수성으로 개질시킬 수 있는 다기능 소재이다. 이에 본 연구에서는 도파민을 3차원 그래핀 나노 구조체에 코팅하여, 전해질과의 젖음성을 증대시켜 전기화학 전극의 비축전용량을 개선하고, 3차원 나노 네트워크 간 결합력을 올려 기계적 압축 특성을 증가시키고자 하였다. 연구 결과, 도파민이 코팅된 3차원 그래핀 나노 구조체는 전기화학 비축전용량이 51.5%, 압축 응력은 59.6%로 증가하는 높은 개선 효과를 나타내었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제29권6호
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• pp.245-250
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• 2019

라디오주파수 분말 스퍼터링 방법으로 sapphire (0001) 기판 위에 Sn을 함유한 β-Ga₂O₃(β-Ga₂O₃ : Sn) 나노와이어를 증착하였다. 후열처리 공정의 가스 분위기가 나노와이어 형상의 변화에 미치는 영향을 연구하였다. 800℃에서 진공 중 열처리 과정에서, as-grown 나노와이어는 다공성 구조로 전이하였다. 비화학양론 Ga₂O_3-x는 화학양론 Ga₂O₃로 바뀌고, Sn원자는 응집하여 나노클러스터를 형성한다. Sn 나노클러스터는 증발하여 Sn 원자의 함량은 1.31에서 0.27 at%로 감소하였다. Sn원자의 증발로 인하여 나노와이어 표면에 다수의 기공이 형성되고, 이는 β-Ga₂O₃ : Sn 나노와이어의 체적대비 표면적 비율을 증가시킨다.