1 |
Z. Suo, E. Y. Ma, H. Gleskova, and S. Wagner, Appl. Phys. Lett., 74, 1177 (1999).
DOI
ScienceOn
|
2 |
J. Park, J. Hwang, D. Seo, S. Park, D. Moon, and J. Han, J. KIEEME, 16, 1115 (2003).
|
3 |
D. C. Look, Mater. Sci. Eng. B, 80, 383 (2001).
DOI
ScienceOn
|
4 |
H. S. Kang, J. W. Kim, and S. Y. Lee, J. Appl. Phys., 95, 1246 (2004).
DOI
ScienceOn
|
5 |
Y. Chen, H. J. Ko, S. K. Hong, and T. Yao, Appl. Phys Lett., 76, 559 (2000).
DOI
ScienceOn
|
6 |
A. Ohotomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, Yoshida, T. Yasuda, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett., 72, 2466 (1998).
DOI
ScienceOn
|
7 |
Z. Vashaei, T. Minegishi, and T. Yao, J. Cryst. Growth, 306, 269 (2007).
DOI
ScienceOn
|
8 |
S. Sadofev, S. Blumstengel, J. Cui, J. Puls, S. Rogaschewski, P. Schafer, Y. G. Sadofyev, and F. Henneberger, Appl. Phys. Lett., 87, 091903 (2005).
DOI
ScienceOn
|
9 |
X. Chen and J. Kang, Semicond. Sci. Technol., 23, 025008 (2008).
DOI
|
10 |
L. C. Ji, L. Huang, Y. Liu, Y. Q. Xie, F. Liu, A. Y. Liu, and W. Z. Shi, Thin Solid Films, 519, 3789 (2011).
DOI
ScienceOn
|
11 |
W. W. Wensa, A. Yamada, K. Takahashi, M. Yoshino, and M. Konagai, J. Appl. Phys., 70, 7119 (1991).
DOI
|
12 |
S. W. Kang, Y. Y. Kim, C. H. Ahn, S. K. Mohanta, and H. K. Cho, J. Mater. Sci: Mater. Electron., 19, 755 (2008).
DOI
|