• 스마트미디어저널
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• 제4권3호
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• pp.16-23
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• 2015

IT 기술의 발전으로 인해 데이터 처리 시스템은 많은 양의 데이터를 처리 및 가공해야 한다. 하지만, 기존에 사용되던 온디스크(On-Disk) 시스템으로는 급증하는 데이터를 빠르게 처리하는 데 한계점을 가졌다. 이로 인해 많은 분야에서 하드디스크에 데이터를 저장하는 것이 아닌 속도가 빠른 메모리에 데이터를 저장 및 관리하는 인메모리(In-Memory) 시스템이 도입되고 있다. 하지만, 메모리에 데이터를 관리하는 것은 메모리의 특성 중 하나인 휘발성으로 인해 데이터 손실이라는 위험을 갖기 때문에 항상 결함 허용 기법이 뒤따라야 한다. 결함 허용 기법은 인메모리 시스템의 처리 속도를 낮추는 성능 저하 원인이 된다. 따라서 본 논문에서는 인메모리 시스템의 데이터 사용 특성을 고려하여 핫콜드 데이터로 분류하고, 데이터 영속성 보장을 위한 복합 백업 기법을 제안한다. 제안하는 기법은 영속성을 높이고, 성능 저하 원인을 보완한다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제16권2호
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• pp.1073-1083
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• 2015

본 연구는 분산기억(Transactive Memory )개념을 중심으로 지식성장의 네 가지 과정에 미치는 영향에 대한 실증연구로써, 지식성장의 동태적 과정의 맥락 속에서의 분산기억의 역할을 설명하는데 그 목적을 두고 있다. 연구모형을 검증하기 위하여 130명 팀 구성원을 대상으로 경로분석을 실시한 결과, 팀 분산기억의 측정항목들의 일부가 지식성장에 영향을 미치는 것으로 나타났다. 결과적으로 분산기억과 지식성장은, 특히 팀 수준의 지식성장과 밀접한 관련성을 가지고 있다는 점을 확인하였다. 본 연구는 팀 수준에 머물러있고 팀을 대상으로 연구를 진행하였고, 인지심리학의 팀 분산기억 개념을 도입하여 조직 내부에 팀 단위로 개인지식을 어떻게 접근하고 사용하는지를 이론적으로 설명하고 분석하였다. 지식성장을 촉진하려면 전문지식보다 팀원들 간의 직무관련 지식을 신뢰하여 협력적으로 작업조정을 해야 한다. 또한 관리자들이 팀원들을 가장 적합한 작업위치에 배치함으로 팀원들의 개인지식을 가능한 활용할 수 있으며 팀 성과까지 향상시킬 수 있다는 시사점을 제시할 수 있다.

• 정보보호학회논문지
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• 제21권4호
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• pp.89-100
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• 2011

그간 디지털 포렌식의 활성 시스템 분석 분야의 한 화두는 물리 메모리 이미지 분석이었다. 물리 메모리 분석은 프로세스를 은닉을 하더라도 그 데이터를 물리 메모리에서 확인할 수 있고 메모리에 존재하는 사용자의 행위를 발견할 수 있어 분석 결과의 신뢰성을 높이는 등 디지털 포렌식 분석에 큰 도움이 되고 있다. 하지만 메모리 분석 기술 대부분이 윈도우 운영체제 환경에 초점이 맞추어져 있다. 이는 분석 대상의 다양성을 고려하였을 때 타 운영체제에 대한 메모리 분석이 필요하게 되었음을 의미한다. Mac OS X는 윈도우에 이어 두 번째로 높은 점유율을 가진 운영체제로 부팅 시 커널 이미지를 물리 메모리에 로딩하면서 운영체제가 구동하고 주요 정보를 커널이 관리한다. 본 논문은 Mac OS X의 커널 이미지가 저장하고 있는 심볼 정보를 이용한 물리 메모리 분석 방법을 제안하고, 제안한 내용을 토대로 물리 메모리 이미지에서 프로세스 정보와 마운트된 장치 정보, 커널 버전 정보, 외부 커널 모듈정보(KEXT)와 시스템 콜 목록 정보의 추출 방법을 보인다. 추가적으로 사례 분석을 통해 물리 메모리 분석의 효용성을 입증한다.

• Communications for Statistical Applications and Methods
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• 제9권3호
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• pp.577-594
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• 2002

For the estimation and test of long memory feature in volatilities of stock indices and individual companies semiparametric approach, Geweke and Porter-Hudak (1983), is employed. Empirical study supports the strong evidence of volatility persistence in Korean stock market. Most of indices and individual companies have the feature of long term dependence of volatility. Hence the short memory models are unable to explain the volatilities in Korean stock market.

• 전자공학회논문지C
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• 제35C권8호
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• pp.23-32
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• 1998

In this paper, we propose a memory compiler to genrate embedded RAMs and ROMs for ASIC chips. We design the leaf cells to be compsoed of memory blocks. The compiler is built using tile-based method to simplify routing. The compiler can genrate any memory layouts to satisfy 64 to 4096 words and 4 to 256 bits per word. The technology we used here is 0.8.mu.m single poly double metal CMOS process. The address access time and power consumption are verifie dthrough the HSPICE simulation.

• 대한전자공학회논문지
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• 제25권9호
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• pp.1102-1107
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• 1988

We describe a volume holographic associative memory using photorefractive material and conventional planar mirror. Multiple hologram is generated with two angular multiplexed writing beams and Fourier transformed object beam in Ba Ti O3 crystal at 0.6328 um. Complete image can be recalled successfully by partial input of the original stored image without any additional thresholding and optical feedback process. It is proved that our system is useful for optical implementation of real-time associative memory and location addressable memory.

• Journal of Ginseng Research
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• 제20권3호
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• pp.226-232
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• 1996

This study was performed to investigate the effect of red ginseng extract including some vitamin B groups as test drug on learning and memory in mice. Single and repeated administrations of the test drug improved the acquisition and the process of consolidation in the tests using step-through and step-down apparatus, indicating this test drug improved learning and memory. However, the test drug did not improve scopolamine-induced amnesia. These results suggest that test drug may be useful as a nootropic agent.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제16권4호
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• pp.187-189
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• 2015

A charge-trap flash (CTF) thin film transistor (TFT) memory is proposed at a low-temperature process (≤ 450℃). The memory cell consists of a sputtered oxide-nitride-oxide (ONO) gate dielectric and Schottky barrier (SB) source/drain (S/D) junctions using nickel silicide. These components enable the ultra-low-temperature process to be successfully achieved with the ONO gate stacks that have a substrate temperature of room temperature and S/D junctions that have an annealing temperature of 200℃. The silicidation process was optimized by measuring the electrical characteristics of the Ni-silicided Schottky diodes. As a result, the Ion/Ioff current ratio is about 1.4×10⁵ and the subthreshold swing and field effect mobility are 0.42 V/dec and 14 cm²/V·s at a drain voltage of −1 V, respectively.

• Journal of Information Processing Systems
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• 제14권2호
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• pp.499-509
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• 2018

Recently, hybrid transactional memory (HyTM) has gained much interest from researchers because it combines the advantages of hardware transactional memory (HTM) and software transactional memory (STM). To provide the concurrency control of transactions, the existing HyTM-based studies use a bloom filter. However, they fail to overcome the typical false positive errors of a bloom filter. Though the existing studies use a global lock, the efficiency of global lock-based memory allocation is significantly low in multi-core environment. In this paper, we propose an efficient hybrid transactional memory scheme using near-optimal retry computation and sophisticated memory management in order to efficiently process transactions in multi-core environment. First, we propose a near-optimal retry computation algorithm that provides an efficient HTM configuration using machine learning algorithms, according to the characteristic of a given workload. Second, we provide an efficient concurrency control for transactions in different environments by using a sophisticated bloom filter. Third, we propose a memory management scheme being optimized for the CPU cache line, in order to provide a fast transaction processing. Finally, it is shown from our performance evaluation that our HyTM scheme achieves up to 2.5 times better performance by using the Stanford transactional applications for multi-processing (STAMP) benchmarks than the state-of-the-art algorithms.

• 한국통신학회논문지
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• 제34권9C호
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• pp.880-886
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• 2009

메모리는 최근 많은 전자제품에 이용되면서 많은 연구자들이 메모리에 대한 연구를 진행하고 있다. 그중, 단위 면적당 저장용량을 증가하기 위한 많은 연구들이 진행되고 있는데, 단위 면적당 저장용량을 증가하기 위하여 메모리의 공정의 크기를 줄이는 연구 뿐 아니라, 최근에는 한 셀에 2비트 이상의 데이터를 저장 할 수 있는 멀티 레벨 셀 메모리의 연구가 진행되고 있다. 하지만, 한 셀에 멀티 비트를 저장하게 되면서 다양한 오류들로 인하여 저장된 데이터를 정확히 읽는 데 어려움이 많다. 본 논문에서는 멀티 레벨 셀 메모리의 오류의 요인을 분석하고 그에 대한 멀티 레벨 셀 메모리의 채널을 모델링 하였다.