최근 유비쿼터스 컴퓨팅 환경이 발전함에 따라 u-GIS는 유비쿼터스 컴퓨팅 환경의 핵심 요소 기술로 대두되고 있고 이에 따른 시공간 데이터의 효율적인 관리에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 이러한 u-GIS 환경에서 모바일 장치는 나날이 증가하고 있는 대용량 시공간 데이터를 효율적으로 관리하기에는 어려움을 가지고 있다. 따라서 본 논문은 모바일 장치용 시공간 질의 처리 시스템을 개발하였다. 모바일 장치용 시공간 질의 처리 시스템은 시공간 데이터에 대한 삽입/삭제/갱신/검색을 위한 다양한 시공간 연산자를 제공한다. 그리고 플래시 메모리에 최적화된 시공간 인덱스와 질의 수행 속도를 보장하기 위해 시공간 히스토그램을 이용한 질의 최적화 기능을 제공한다. 마지막으로, 모바일 장치용 시공간 질의 처리 시스템을 가상 시나리오에 적용함으로써 본 시스템이 모바일 환경에서 다양한 u-GIS 응용 분야에 유용하게 활용될 수 있다는 것을 검증하였다.
This paper investigated a new type of low voltage threshold switch (LVTS). As distinguished from the many other types of electronic threshold switches, the LvTS is ; voltage controlled, occurs at low voltages ($V_{2}$ $O_{5}$lV devices. The average low threshold voltage < $V_{LVT}$>=218 mV (standard deviation =24mV~kT/q, where T=300K), and was independent of the device area (x100) and amorphous oxide occurred in an ~22.angs. thick interphase of the V/amorphous- $V_{2}$$O_{5}$ contacts. At $V_{LVT}$ there was a transition from an initially low conductance (OFF) state into a succession of quantized states of higher conductance (ON). The OFF state was spatically homogeneous and dominated by tunneling into the interphase. The ON state conductances were consistent with the quantized conductances of ballistic transport through a one dimensional, quantum point contact. The temeprature dependence of $V_{LVT}$, and fit of the material parameters (dielectric function, barrier energy, conductivity) to the data, showed that transport in the OFF and ON states occurred in an interphase with the characteristics of, respectively, semiconducting and metallic V $O_{2}$. The experimental results suggest that the LVTS is likely to be observed in interphases produced by a critical event associated with an inelastic transfer of energy.rgy.y.rgy.
최근 전력소모와 읽기 성능이 우수한 Solid state disk(SSD)가 많이 사용되고 있으나 가격이 고가이고 삭제 및 쓰기 연산의 효율이 낮은 것이 단점이다. 이것을 보완하기 위한 저장장치의 일종이 하이브리드 하드디스크 (H-HDD: Hybrid Hard disk drive)인데 하드디스크 내부에 플래시 메모리(NVCache: Non-volatile Cache)를 장착하여 디스크블록의 캐시로 사용한다. 본 논문에서는 H-HDD의 저전력과 응답시간을 향상시키기 위해 NVCache의 선반입 및 관리 기법을 제안한다. 제안하는 기법은 NVCache를 읽기 캐시를 위주로 사용하고 쓰기캐시는 디스크 헤드와 스핀들의 상황에 따라 쓰기 연산을 지원한다. 읽기 캐시의 경우 시간적, 지역적 지역성을 동시에 고려하여 선반입을 통해 응답시간과 전력 소모를 감소시키고 쓰기 캐시의 경우 디스크 스핀들의 동작 상태에 따라 NVCache에 쓰기를 실시하여 저전력과 응답성을 향상시키고자한다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제6권1호
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pp.52-58
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2006
Single-electron transistor (SET)-based logic cells and SET/FET hybrid integrated circuits have been fabricated on SOI chips. The input-output voltage transfer characteristic of the SET-based complementary logic cell shows an inverting behavior where the output voltage gain is estimated to be about 1.2 at 4.2K. The SET/FET output driver, consisting of one SET and three FETs, yields a high voltage gain of 13 and power amplification with a wide-range output window for driving next circuit. Finally, the SET/FET literal gate for a multi-valued logic cell, comprising of an SET, an FET and a constant-current load, displays a periodic voltage output of high/low level multiple switching with a swing as high as 200mV. The multiple switching functionality of all the fabricated logic circuits could be enhanced by utilizing a side gate incorporated to each SET component to enable the phase control of Coulomb oscillations, which is one of the unique characteristics of the SET-based logic circuits.
In this study, we observed current-voltage characteristics of the MIM (metal-insulator-metal) structure. The $WO_x$ material was used between metal electrodes as the oxide insulator. The structure of the $Al/WO_x/TiN$ shows bipolar resistive switching and the operating direction of the resistive switching is clockwise, which means set at negative voltage and reset at positive voltage. The set process from HRS (high resistance state) to LRS (low resistance state) occurred at -2.6V. The reset process from LRS to HRS occurred at 2.78V. The on/off current ratio was about 10 and resistive switching was performed for 5 cycles in the endurance characteristics. With consecutive switching cycles, the stable $V_{set}$ and $V_{reset}$ were observed. The electrical transport mechanism of the device was based on the migration of oxygen ions and the current-voltage curve is following (Ohm's Law ${\rightarrow}$ Trap-Controlled Space Charge Limited Current ${\rightarrow}$ Ohm's Law) process in the positive voltage region.
[상실의 시대], [1Q84]로 잘 알려진 무라카미 하루키는 신작으로 다시 주목 받는 작가다. '색체와 기억'에 '란 신작을 통해 퇴색되어만 가는 기억의 인간 탐구를 보여준 하루키의 전작 <태엽 감는 새 연대기>에서 의상을 통해 캐릭터 정서와 그 변화하는 역사를 관찰한다. 본 연구는 다양한 신체표상을 통해 스스로를 타자로 재생산하거나 변신하고 있는 캐릭터를 시각화한 의상 묘사에 주목한다. 등장인물은 의상을 통해 새로운 자신의 존재성립의 의지로 내세우거나. 또 그 '표면'을 매개로 그때까지의 자신과 다른 자기를 표현하려는 시도로 도구화한다. 자신이 타인에게 어떻게 보이고 싶은지에 대해 형성된 신체는, 다양한 사회적 성명을 주장하는 경우가 된다. 신체를 형성하는 것에 의해 자기를 형성하는 실천도 가능해지는 것이다. 이에 본 논문은 등장인물의 내면과 외견에 강한 관련을 설정, 특히 의상을 등장인물의 캐릭터를 나타내는 소설적 장치로 인식하였다. 그 결과 작품 속에서 직접적, 혹은 상징적으로 묘사되고 있는 신체와 의상의 체계를 구체화하고 그 의미의 상징교환의 구조를 파악 한다.
작은 크기의 고기능성 휴대용 전자기기 수요의 급증에 따라 기존에 사용되던 수평구조의 2차원 칩의 크기를 줄이는 것은, 전기 배선의 신호지연 증가로 한계에 도달했다. 이러한 문제를 해결하기 위해 칩들을 수직으로 적층한 뒤, 수평 구조의 긴 신호배선을 짧은 수직 배선으로 만들어 신호지연을 최소화하는 3차원 칩 적층기술이 새롭게 제안되었다. 3차원 칩의 개발을 위해서는 기존에 사용되던 반도체 공정들뿐 아니라 실리콘 관통 전극 기술, 웨이퍼 박화 기술, 웨이퍼 정렬 및 본딩 기술 등의 새로운 공정들이 개발되어야 하며 위 기술들의 표준 공정을 개발하기 위한 노력이 현재 활발히 진행되고 있다. 현재까지 4~8개의 단일칩을 수직으로 적층한 DRAM/NAND 칩, 및 메모리 칩과 CPU 칩을 한꺼번에 적층한 구조의 성공적인 개발 결과가 보고되었다. 본 총설에서는 이러한 3차원 칩 적층의 기본 원리와 구조, 적층에 필요한 중요 기술들에 대한 소개, 개발 현황 및 앞으로 나아갈 방향에 대해 논의하고자 한다.
개인용 일반적 용도의 컴퓨터는 탁상용에서 태블릿 PC나 PDA와 같은 이동가능한 모바일 디바이스로 발전되어 왔다. 반도체 분야의 기술혁신은 그러한 형태적 요소를 진보된 입출력장치들과 함께 상당히 강력한 프로세서와 메모리 부시스템으로 패키징을 하는 것을 가능하게 하였다. 마침내 이들 부시스템들은 작게 구성되어 입을 수 있는 컴의 형태로 만들어질 수 있게 되었다. 입을 수 있는 컴퓨터는 최근 유비쿼터스 환경에서 차세대 PC로서 주의를 얻게 되었으며 입을 수 있는 컴퓨팅기술은 더욱 더 실현 가능한 것이 되었고 소비시장과 산업에 걸쳐 더 많은 관심을 받게 되었다. 본 논문에서는 기존에 개발된 입을 수 있는 내장형 시스템 플랫품에 멀티미디어와 네트워크 기능을 강화하여 진보된 입을 수 있는 내장형 플렛폼인 WPS(Wearable Personal Station)을 제안하고 개발했다. 본 논문은 이러한 WPS의 형태, 전체적인 구성, 기능 그리고 응용프로그램에 관한 것들을 설명한다. 또한 본 논문에서는 미래의 직관적인 사용자 인터페이스와 잘 디자인된 응용들을 갖춘 차세대 컴퓨터 플랫폼의 형태에 대해 논의한다.
모바일 디바이스에서 얻을 수 있는 로그 데이타는 의미 있고 실속 있는 다양한 개인 정보를 담고 있다. 그러나 메모리 용량과 연산 능력의 제한, 분석의 어려움으로 인해 이러한 정보들은 무시되고 있는 것이 일반적이다. 모바일 환경의 이러한 어려움을 극복하기 위해 로그 데이타를 분산된 모듈에서 분석하여 사용자에게 의미 있는 정보인 특이성을 탐지하는 새로운 방법을 제안한다. 제안하는 방법은 불확실한 상황에서의 추론 정확도를 향상시키기 위해 베이지안 확률 접근 방법을 채택하고 있다. 새로운 협력적 모듈형 기술은 모바일 디바이스의 제한된 자원을 가지고 효율적으로 연산하기 위해 베이지안 네트워크를 모듈로 나눈다. 인공 데이타와 실제 데이타를 이용한 실험에서 인공 데이타의 경우 약 84%의 정확률과 약 76%의 재현률을 보였으며, 실제 데이타에서는 부분 일치를 포함하여 약 89%의 일치율을 보였다.
KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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제5권10호
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pp.1862-1878
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2011
With the advances in wireless communication technology and the advent of smartphones, research on location-based services (LBSs) is being actively carried out. In particular, several spatial index methods have been proposed to provide efficient LBSs. However, finding an optimal indexing method that balances query performance and index size remains a challenge in the case of wireless environments that have limited channel bandwidths and device resources (computational power, memory, and battery power). Thus, mechanisms that make existing spatial indexing techniques more efficient and highly applicable in resource-limited environments should be studied. Bitmap-based Spatial Indexing (BSI) has been designed to support LBSs, especially in wireless broadcast environments. However, the access latency in BSI is extremely large because of the large size of the bitmap, and this may lead to increases in the search time. In this paper, we introduce a Selective Bitmap-based Spatial Indexing (SBSI) technique. Then, we propose an Adaptive Bitmap-based Spatial Indexing (ABSI) to improve the tuning time in the proposed SBSI scheme. The ABSI is applied to the distribution of geographical objects in a grid by using the Hilbert curve (HC). With the information in the ABSI, grid cells that have no objects placed, (i.e., 0-bit information in the spatial bitmap index) are not tuned during a search. This leads to an improvement in the tuning time on the client side. We have carried out a performance evaluation and demonstrated that our SBSI and ABSI techniques outperform the existing bitmap-based DSI (B DSI) technique.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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