A Study of the Electrical Characteristics of WOx Material for Non-Volatile Resistive Random Access Memory |
Jung, Kyun Ho
(Department of Nano Science & Technology, University of Seoul)
Kim, Kyong Min (Department of Nano Engineering, University of Seoul) Song, Seung Gon (Department of Nano Science & Technology, University of Seoul) Park, Yun Sun (Department of Industrial and management Engineering, Myongi University) Park, Kyoung Wan (Department of Nano Science & Technology, University of Seoul) Sok, Jung Hyun (Department of Nano Science & Technology, University of Seoul) |
1 | W. Y. Chang, Y. C. Lai, T. B. Wu, S. F. Wang, F. Chen, and M. J. Tsai, Appl. Phys. Lett., 92, 022110 (2008). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.2834852] DOI |
2 | S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D.-S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, and I. S. Byun, Appl. Phys. Lett., 85, 5655 (2004). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.1831560] DOI |
3 | C. Rohde, B. J. Choi, D. S. Jeong, S. Choi, J. S. Zhao, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett., 86, 262907 (2005). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.1968416] DOI |
4 | H.S.P. Wong, H. Y. Lee, S. Yu, Y. S. Chen, Y. Wu, P. S. Chen, B. I. Lee, F. T. Chen, and M. J. Tsai, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 100, 1951 (2012). [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/JPROC.2012.2190369] DOI |
5 | Y. M. Kim and J. S. Lee, J. Appl. Phys., 104, 114115 (2008). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3041475] DOI |
6 | Z. Weil, Y. Kanzawa, K. Arita, Y. Katoh, K. Kawai, S. Muraoka, S. Mitani, S. Fujii, K. Katayama, M. Iijima, T. Mikawa, T. Ninomiya, R. Miyanaga, Y. Kawashima, K. Tsuji, A. Himeno, T. Okada, R. Azuma, K. Shimakawa, H. Sugaya, T. Takagi, R. Yasuhara, K. Horiba, H. Kumigashira, and M. Oshima, IEEE International Electron Devices Meeting (Hilton San Francisco, USA, 2008). |
7 | H. Y. Lee, P. S. Chen, T. Y. Wu, Y. S. Chen, F. Chen, C. C. Wang, P. J. Tzeng, C. H. Lin, M. J. Tsai, and C. Lien, IEEE Electron Devices Lett., 30, 703 (2009). [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/LED.2009.2017213] DOI |
8 | E. K. Lai, W. C. Chien, Y. C. Chen, T. J. Hong, Y. Y. Lin, K. P. Chang, Y. D. Yao, P. Lin, S. F. Horng, J. Gong, S. C. Tsai, C. H. Lee, S. H. Hsieh, C. F. Chen, Y. H. Shih, K. Y. Hsieh, R. Liu, and C. Y. Lu, J. Appl. Phys., 49, 04DD17 (2010). |
9 | D. S. Shang, L. Shi, J. R. Sun, B. G. Shen, F. Zhuge, R. W. Li, and Y. G. Zhao, Appl. Phys. Lett., 96, 072103 (2010). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3300637] DOI |
10 | S. J. Jung, J. M. Kong, S. H. Song, K. H. Lee, T. H. Lee, H. S. Hwang, and S. H. Jeon, Appl. Phys. Lett., 99, 142110 (2011). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3621826] DOI |
11 | B. U. Jang, A. I. Inamdara, J. M. Kim, W. Jung, H. S. Im, H. S. Kim, and J. P. Hong, Thin Solid Films, 520, 5451 (2012). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2012.03.111] DOI |
12 | A. R. Lee, Y. C. Bae, G. H. Baek, J. B. Chung, T. S. Kang, J. S. Lee, J. G. Park, H. S. Im, and J. P. Hong, Appl. Phys. Lett., 103, 183510 (2013). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.4828561] DOI |
13 | J. H. Song, A. I. Inamdar, B. U. Jang, K. Y. Jeon, Y. S. Kim, K. H. Jung, Y. M. Kim, H. S. Im, W. Jung, H. S. Kim, and J. P. Hong, Applied Physics Express, 3, 091101 (2010). [DOI: http://dx.doi.org/10.1143/APEX.3.091101] DOI |
14 | S. U. Sharath, T. Bertaud, J. Kurian, E. Hildebrandt, C. Walczyk, P. Calka, P. Zaumseil, M. Sowinska, D. Walczyk, A. Gloskovskii, T. Schroeder, and L. Alff, Appl. Phys. Lett., 104, 063502 (2014). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.4864653] DOI |
15 | S. J. Park, J. P. Lee, J. S. Jang, H. Rhu, H. Yu, B. Y. You, C. S. Kim, K. J. Kim, Y. J. Cho, S. G. Baik, and W. Lee, IOPscience Nanotechnology, 24, 295202 (2013). [DOI: http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/24/29/295202] DOI |
16 | D. S. Shang, Q. Wang, D. Chen, R. Dong, X. M. Li, and W. Q. Zhang, Phys. Rev., B, 73, 245427 (2006). [DOI: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.73.245427] DOI |
17 | T. Nagata, M. Haemori, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, Y. Iwashita, K. Kobayashi, and T. Chikyow, Appl. Phys. Lett., 97, 082902 (2010). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3483756] DOI |
18 | J. M. Kim, D. H. Kim, Y. C. Jo, J. S. Han, H. S. Woo, H. S. Kim, K. K. Kim, J. P. Hong, and H. S. Im, Thin Solid Films, 589, 188 (2015). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2015.05.002] DOI |
19 | Y. C. Jo, J. M. Kim, H. S. Woo, D. H. Kim, J. W. Lee, A. I. Inamdar, H. S. Im, and H. S. Kim, Current Appl. Phys., 14, S93 (2014). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2013.11.016] DOI |
20 | Y. B. Nian, J. Strozier, N. J. Wu, X. Chen, and A. Ignatiev, Phys. Rev. Lett., 98, 146403 (2007). [DOI: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.98.146403] DOI |
21 | Y. E. Syu, T. C. Chang, T. M. Tsai, Y. C. Hung, K. C. Chang, M. J. Tsai, M. J. Kao, and S. M. Sze, IEEE Electron Devices Lett., 32, 545 (2011). [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/LED.2011.2104936] DOI |