An, Jeong-Cheol;Yu, Yeong-Gyu;Choe, Seok-U;Kim, Dong-Yong;Yun, Chang-Hun
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SC
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v.37
no.4
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pp.28-34
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2000
In this paper, a continuous-time filter for low voltage and high frequency applications using fully-balanced current integrators is presented. As the balanced structure of integrator circuits, the designed filter has improved noise characteristics and wide dynamic range since even-order harmonics are cancelled and the input signal range is doubled. Using complementary current mirrors, bias circuits are simplified and the cutoff frequency of filters can be controlled easily by a single DC bias current. As a design example, the 3rd-order lowpass Butterworth filter with a leapfrog realization is designed. The designed fully-balanced current-mode filter is simulated and examined by SPICE using 0.65${\mu}{\textrm}{m}$ CMOS n-well process parameters. The simulation results show 50MHz cutoff frequency, 69㏈ dynamic range with 1% total harmonic distortion(THD), and 4㎽ power dissipation with a 3V supply voltage.
Aeronautics engine cooling is one of the biggest problems that engineers have tried to solve since the beginning of human flight. Systems like radiators should solve this purpose and they have been studied extensively and various solutions have been found to aid the heat dissipation in the engine zone. Special interest has been given to air coolers in order to guide the air flow on engine and lower the high temperatures achieved by the engine in flow conditions. The aircraft companies need faster and faster tools to design their solutions so the development of tools that allow to quickly assess the effectiveness of an cooling system is appreciated. This paper tries to develop a methodology capable of providing such support to companies by means of some application examples. In this work the development of a new methodology for the analysis and the design of oil cooling systems for aerospace applications is presented. The aim is to speed up the simulation of the oil cooling devices in different operative conditions in order to establish the effectiveness and the critical aspects of these devices. Steady turbulent flow simulations are carried out considering the air as ideal-gas with a constant-averaged specific heat. The heat exchanger is simulated using porous media models. The numerical model is first tested on Piaggio P180 considering the pressure losses and temperature increases within the heat exchanger in the several operative data available for this device. In particular, thermal power transferred to cooling air is assumed equal to that nominal of real heat exchanger and the pressure losses are reproduced setting the viscous and internal resistance coefficients of the porous media numerical model. To account for turbulence, the k-${\omega}$ SST model is considered with Low- Re correction enabled. Some applications are then shown for this methodology while final results are shown in terms of pressure, temperature contours and streamlines.
In this paper, we have designed signal conditioning circuitry for piezoresistive pressure sensor. Signal conditioning circuitry consists of voltage reference circuit for sensor driving voltage and instrument amplifier for sensor signal amplification. Signal conditioning circuitry is simulated using HSPICE in a single poly double metal $1.5\;{\mu}m$ BiCMOS technology. Simulation results of band-gap reference circuit showed that temperature coefficient of $21\;ppm/^{\circ}C$ at the temperature range of $0\;{\sim}\;70^{\circ}C$ and PSRR of 80 dB. Simulation results of BiCMOS amplifier showed that dc voltage gain, offset voltage, CMRR, CMR and PSRR are outperformed to CMOS and Bipolar, but power dissipation and noise voltage were more improved in CMOS than BiCMOS and Bipolar. Designed signal conditioning circuitry showed high input impedance, low offset and good CMRR, therefore, it is possible to apply sensor and instrument signal conditioning circuitry.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2006.06a
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pp.99-100
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2006
Silicon-on-insulator(SOI) MOSFET with SiGe/Si heterostructure channel is an attractive device due to its potent use for relaxing several limits of CMOS scaling, as well as because of high electron and hole mobility and low power dissipation operation and compatibility with Si CMOS standard processing. SOI technology is known as a possible solution for the problems of premature drain breakdown, hot carrier effects, and threshold voltage roll-off issues in sub-deca nano-scale devices. For the forthcoming generations, the combination of SiGe heterostructures and SOI can be the optimum structure, so that we have developed SOI n-MOSFETs with SiGe/Si heterostructure channel grown by reduced pressure chemical vapor deposition. The SOI n-MOSFETs with a SiGe/Si heterostructure are presented and their DC characteristics are discussed in terms of device structure and fabrication technology.
In this paper, we design an acoustic meta-material silencer that operates at low frequency to reduce noise in duct. A high refractive index meta-material silencer is demonstrated with a combination of zigzag structured thin waveguide and helmholtz resonator, which reduces the speed of sound. Finite Element Method (FEM) analysis via thermo-viscous acoustic mesh is performed in order to calculate thermo-viscous dissipation in sub-wavelength waveguide. Sound power reflection, transmission and absorption coefficients are obtained utilizing 4-Microphone Method. The results show that cut-off frequency and transmission loss can be controlled through adjusting intervals of the zigzag structures. A wide-band acoustic silencer is also suggested by connecting meta-materials in series or parallel.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.44
no.1
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pp.36-44
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2007
This paper presented a hybrid ternary encoding scheme using 3-valued logic. It can adapt to the delay-insensitive(DI) model. We designed an asynchronous wrapper for the hybrid ternary encoding scheme to communicate with various asynchronous encoding schemes. It reduced about 50% of transmission lines and power consumption compared with the conventional 1-of-4 and ternary encoding scheme. The proposed wrappers were designed and simulated using the $0.18-{\mu}m$ standard CMOS technology. As a result, the asynchronous wrapper operated over 2 GHz communicating with a system bus. Moreover, the power dissipation of the system bus adapted the hybrid ternary encoding logic decreases 65%, 43%, and 36% of the dual-rail, 1-of-4, and ternary encoding scheme, respectively. The proposed data encoding scheme and the wrapper circuit can be useful for asynchronous high-speed and low-power asynchronous interface.
This paper introduces the design or parallel Pipeline high-speed analog-to-digital converter(ADC) for the high-resolution video applications which require very precise sampling. The overall architecture of the ADC consists of 4-channel parallel time-interleaved 10-bit pipeline ADC structure a]lowing 200MSample/s sampling speed which corresponds to 4-times improvement in sampling speed per channel. Key building blocks are composed of the front-end sample-and-hold amplifier(SHA), the dynamic comparator and the 2-stage full differential operational amplifier. The 1-bit DAC, comparator and gain-2 amplifier are used internally in each stage and they were integrated into single switched capacitor architecture allowing high speed operation as well as low power consumption. In this work, the gain of operational amplifier was enhanced significantly using negative resistance element. In the ADC, a delay line Is designed for each stage using D-flip flops to align the bit signals and minimize the timing error in the conversion. The converter has the power dissipation of 280㎽ at 3.3V power supply. Measured performance includes DNL and INL of +0.7/-0.6LSB, +0.9/-0.3LSB.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics C
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v.36C
no.5
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pp.27-37
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1999
A CMOS ReadOut Integrated Circuit (ROlC) for InfraRed Focal Plane Array (IRFPA) detector is presented, which is a key component in uncooled thermal imaging systems. The ROIC reads out signals from $64\times64$ Barium Strontium Titanate (BST) infrared detector array, then outputs pixel signals sequentially after amplifying and noise filtering. Various design requirements and constraints have been considered including impedance matching, low noise, low power dissipation and small detector pitch. For impedance matching between detector and pre~amplifier, a new circuit based on MOS diode structure is devised, which can be easily implemented using standard CMOS process. Also, tunable low pass filter with single~pole is used to suppress high frequency noise. In additions, a clamping circuit is adopted to enhance the signal~to-noise ratio of the readout output signals. The $64\times64$ IRFPA ROIC is designed using $0.65-\mu\textrm{m}$ 2P3M (double poly, tripple metal) N~Well CMOS process. The core part of the chip contains 62,000 devices including transistors, capacitors and resistors on an area of about $6.3-mm\times6.7-mm$.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.49
no.8
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pp.22-26
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2012
This paper introduces a 2.5-Gb/s optical receiver implemented in a standard 1P4M 0.18um CMOS technology for the applications of active optical HDMI cables. The optical receiver consists of a differential transimpedance amplifier(TIA), a five-stage differential limiting amplifier(LA), and an output buffer. The TIA exploits the inverter input configuration with a resistive feedback for low noise and power consumption. It is cascaded by an additional differential amplifier and a DC-balanced buffer to facilitate the following LA design. The LA consists of five gain cells, an output buffer, and an offset cancellation circuit. The proposed optical receiver demonstrates $91dB{\Omega}$ transimpedance gain, 1.55 GHz bandwidth even with the large photodiode capacitance of 320 fF, 16 pA/sqrt(Hz) average noise current spectral density within the bandwidth (corresponding to the optical sensitivity of -21.6 dBm for $10^{-12}$ BER), and 40 mW power dissipation from a single 1.8-V supply. Test chips occupy the area of $1.35{\times}2.46mm^2$ including pads. The optically measured eye-diagrams confirms wide and clear eye-openings for 2.5-Gb/s operations.
Kim Young-Ju;Park Yong-Hyun;Yoo Si-Wook;Kim Yong-Woo;Lee Seung-Hoon
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.43
no.5
s.347
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pp.54-63
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2006
This work proposes a 14b 100MS/s 0.18um CMOS ADC with optimized resolution, conversion speed, die area, and power dissipation to obtain the performance required in the fourth-generation mobile communication systems. The 3-stage pipeline ADC, whose optimized architecture is analyzed and verified with behavioral model simulations, employs a wide-band low-noise SHA to achieve a 14b level ENOB at the Nyquist input frequency, 3-D fully symmetric layout techniques to minimize capacitor mismatch in two MDACs, and a back-end 6b flash ADC based on open-loop offset sampling and interpolation to obtain 6b accuracy and small chip area at 100MS/s. The prototype ADC implemented in a 0.18um CMOS process shows the measured DNL and INL of maximum 1.03LSB and 5.47LSB, respectively. The ADC demonstrates a maximum SNDR and SFDR of 59dB and 72dB, respectively, and a power consumption of 145mW at 100MS/s and 1.8V. The occupied active die area is $3.4mm^2$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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