• 대한전자공학회논문지SD
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• 제44권1호
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• pp.76-83
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• 2007

본 논문에서는 한 개의 전하공유 커패시터와 계층적 비트라인을 이용한 저전력 롬을 제안하였다. (single charge-sharing capacitor ROM: SCSC-ROM) 제안된 SCSC-ROM은 전하공유 커패시터와 계층적 비트라인으로 비트라인의 전력소모를 크게 줄였다. 한 개의 전하공유 커패시터를 이용한 전하공유 기법으로 비트라인의 swing 전압을 크게 낮춤으로써 비트라인에서의 전력소모를 줄였다. 이때, 전하공유 커패시터를 dummy 비트라인으로 구현하여 노이즈에 강할 뿐만 아니라 설계를 쉽게 하였다. 계층적 비트라인 기법으로 비트라인의 커패시턴스를 줄임으로써 전력소모를 더욱 줄였다. 또한, 계층적 워드라인 디코더를 제안하여 컨트롤과 프리디코더에서 소모되는 전력을 줄일 수 있었다. 시뮬레이션 결과에서 $4K{\times}32$비트의 SCSC-ROM의 소모전력은 기존의 롬의 37%로 줄었다. 칩은 $0.25{\mu}m$ CMOS 공정으로 제작되었고, 2.5V의 240MHz 동작에서 8.2mW를 소모하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2013년도 추계학술대회
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• pp.375-378
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• 2013

본 논문에서는 EEPROM이나 MTP 등의 NVM 메모리 IP 설계에 필요로 하는 PVT(Process-Voltage-Temperature) 변동에 둔감한 기준전압(Reference Voltage) 회로를 설계하였다. 매그나칩반도체 $0.18{\mu}m$ EEPROM 공정을 이용하여 설계된 BGR(Bandgap Reference Voltage) 회로는 wide swing을 갖는 캐스코드 전류거울 (cascode current-mirror) 형태의 저전압 밴드갭 기준전압발생기 회로를 사용하였으며, PVT 변동에 둔감한 기준전압 특성을 보이고 있다. 최소 동작 전압은 1.43V이고 VDD 변동에 대한 VREF 민감도(sensitivity)는 0.064mV/V이다. 그리고 온도 변동에 대한 VREF 민감도는 $20.5ppm/^{\circ}C$이다. 측정된 VREF 전압은 평균 전압이 1.181V이고 $3{\sigma}$는 71.7mV이다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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• pp.979-982
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• 2003

Due to the differential transmission technique and low voltage swing, LVDS has been widely used for high speed transmission with low power consumption. This paper presents the design and implementation of interface circuits for 1.5Gb/s operation in 0.35um CMOS technology. The interface circuit ate fully compatible with the low-voltage differential signaling(LVDS) standard. The LVDS proposed in this paper utilizes a sense amplifiers instead of the conventional differential pre-amplifier, which provides a 1.5Gb/s transmission speed with further reduced driver output voltage. Furthermore, the reduced driver output voltage results in reducing the power consumption.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제16권4호
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• pp.187-189
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• 2015

A charge-trap flash (CTF) thin film transistor (TFT) memory is proposed at a low-temperature process (≤ 450℃). The memory cell consists of a sputtered oxide-nitride-oxide (ONO) gate dielectric and Schottky barrier (SB) source/drain (S/D) junctions using nickel silicide. These components enable the ultra-low-temperature process to be successfully achieved with the ONO gate stacks that have a substrate temperature of room temperature and S/D junctions that have an annealing temperature of 200℃. The silicidation process was optimized by measuring the electrical characteristics of the Ni-silicided Schottky diodes. As a result, the Ion/Ioff current ratio is about 1.4×10⁵ and the subthreshold swing and field effect mobility are 0.42 V/dec and 14 cm²/V·s at a drain voltage of −1 V, respectively.

• 한국환경과학회지
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• 제23권5호
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• pp.943-962
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• 2014

Industrial gas drying, dilute gas mixtures purification, air fractionation, hydrogen production from steam reformers and petroleum refinery off-gases, etc are conducted by using adsorptive separation technology. The pressure swing adsorption (PSA) has certain advantages over the other methods, such as absorption and membrane, that are a low energy requirement and cost-effectiveness. A key component of PSA systems is adsorbents that should be highly selective to a gas being separated from its mixture streams and have isotherms suitable for the operation principle. The six standard types of isotherms have been examined in this review, and among them the best behavior in the adsorption of $CO_2$ as a function of pressure was proposed in aspects of maximizing a working capacity upon excursion between adsorption and desorption cycles. Zeolites and molecular sieves are historically typical adsorbents for such PSA applications in gas and related industries, and their physicochemical features, e.g., framework, channel structure, pore size, Si-to-Al ratio (SAR), and specific surface area, are strongly associated with the extent of $CO_2$ adsorption at given conditions and those points have been extensively described with literature data. A great body of data of $CO_2$ adsorption on the nanoporous zeolitic materials have been collected according to pressure ranges adsorbed, and these isotherms have been discussed to get an insight into a better $CO_2$ adsorbent for PSA processes.

• 대한의용생체공학회:의공학회지
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• 제31권3호
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• pp.227-233
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• 2010

This study analyzed performance according to kick point and stiffness of Soft-$golf^{TM}$ shaft. This research team developed soft-$golf^{TM}$ as a new fusion sports with similar motions with golf and it can be learned safely for all age groups in 2002. The head of Soft-$golf^{TM}$ club is made of zinc alloy and has a mesh or a grid structure, and shaft uses carbon graphite to reduce the total weight of the club. To improve carry distance and to assure consistency of a ball during Soft-$golf^{TM}$ swing, this study manufactured shaft with various kick points (low, middle and high) and stiffness (stiff, regular, lady, morelady) and analyzed a swing motion with characteristics of each shaft presented in a dynamic condition such as a ball's speed, a head's torsion angle and a ball's deviation with ProAnalyst program through a high-speed camera taking pictures using a swing machine robot system(Robo-7). From all of the results, this study determined an appropriate shaft of Soft-$golf^{TM}$.

• 융합정보논문지
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• 제11권7호
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• pp.104-110
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• 2021

본 핀 채널 전계 효과 트랜지스터에서 낮은 소스/드레인 직렬 저항을 위한 새로운 선택적 산화 방식을 제안하였다. 이 방법을 이용하면, gate-all-around 구조와 점진적으로 증가되는 형태의 소스/드레인 확장영역을 갖는 핀 채널 MOSFET를 얻을 수 있다. 제안된 트랜지스터는 비교 소자에 비해 70% 이상의 소스/드레인 직렬 저항의 감소를 얻을 수 있다. 또한, 제안된 소자는 단채널 효과를 억제하면서도 높은 구동 전류와 전달컨덕턴스 특징을 보인다. 제작된 소자의 포화전류, 최대 선형 전달컨덕턴스, 최대 포화 전달컨덕턴스, subthreshold swing, 및 DIBL은 각각 305 ㎂/㎛, 0.33 V, 13.5 𝜇S, 76.4 𝜇S, 78 mV/dec, 62 mV/V의 값을 갖는다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2015년도 추계학술대회
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• pp.451-454
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• 2015

본 논문에서는 저전압, 저전력 회로에 적합하고, $0.35{\mu}m$ 공정을 이용한 3가지의 OTA를 제시한다. 첫 번째는 1V의 공급전압과 $1.774{\mu}W$의 소비전력을 사용하며 모든 트랜지스터들이 strong inversion 영역에서 동작한다. Bulk 입력으로 인해 줄어든 gm을 보상하기 위해서 Gm-enhancement 기법을 사용하였고, 저전압으로 동작하는 Wide swing current mirror, Class-A output을 적용하였다. 두 번째는 0.8V의 공급전압과 52nW의 소비전력을 사용하여 112dB의 높은 이득을 가지는 2-stage OTA이다. Current mirror는 두 개의 MOS의 Gate를 묶는 Composite Transistor 구조를 사용하여 마치 Cascode와 같은 효과를 주어 출력저항을 높여주었다. 세 번째는 0.6V의 공급전압과 160nW의 소비전력을 사용하여 77dB의 이득을 가지는 2-stage OTA이다. 두 번째 증폭 단에 추가적인 바이어스전압이 필요하지 않으면서 증폭할 수 있도록 Common Gate 구조로 구현하여 Level Shift 기능을 사용하였다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 1997년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.739-742
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• 1997

A remote drum grappling device coupled to the anti-swing crane has been developed by KAERI to cope with problems involved in manually treating low level waste drums. In order for this grappling device to be operated effectively, multi-sensors including CCD camera were employed. As an activity representation scheme of the device, Extended State Machine (ESM) was used to descibe its operation sequences. The performance testing of the device was conducted successfully, and consequently its application could be extendable to industrial operation environment.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 추계학술대회 논문집 학회본부 B
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• pp.621-623
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• 1998

We implemented PanelLlnk digital flat panel display transmitter supporting SXGA($1280{\times}1024$) resolution. It can transmit data through 10m cable at XGA($1024{\times}768$) resolution and through 7m cable at SXGA($1280{\times}1024$). We also found resistor value to get stable display image by low voltage differential signal swing control.