• 전기전자학회논문지
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• 제18권4호
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• pp.586-592
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• 2014

본 논문에서는 DT-CMOS(Dynamic Threshold voltage Complementary MOSFET) 스위칭 소자를 사용한 DC-DC Buck 컨버터를 제안하였다. 높은 효율을 얻기 위하여 PWM 제어방식을 사용하였으며, 낮은 온 저항을 갖는 DT-CMOS 스위치 소자를 설계하여 도통 손실을 감소시켰다. 제안한 Buck 컨버터는 밴드갭 기준 전압 회로, 삼각파 발생기, 오차 증폭기, 비교기, 보상 회로, PWM 제어 블록으로 구성되어 있다. 삼각파 발생기는 전원전압(3.3V)부터 접지까지 출력 진폭의 범위를 갖는 1.2MHz의 주파수를 생성하며, 비교기는 2단 증폭기로 설계되었다. 그리고 오차 증폭기는 70dB의 이득과 $64^{\circ}$의 위상여유를 갖도록 설계하였다. 또한 제안한 Buck 컨버터는 current-mode PWM 제어회로와 낮은 온 저항을 갖는 스위치를 사용하여 100mA의 출력 전류에서 최대 95%의 효율을 구현하였으며, 1mA 이하의 대기모드에도 높은 효율을 구현하기 위하여 LDO 레귤레이터를 설계하였으며, 또한 2개의 IC 보호 회로를 내장하여 신뢰성을 확보하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2007년도 추계종합학술대회
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• pp.761-764
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• 2007

본 논문은 저전압 차동 신호 방식 (Low-Voltage Differential Signaling, LVDS)의 응용을 위한 차동 전송 접속 경로의 분석 및 설계 최적화 방법을 제안한다. 차동 전송 경로 및 저전압 스윙 방법의 발전으로 인해 LVDS 방식은 데이터 통신 분야, 고 해상도 디스플레이 분야, 평판 디스플레이 분야에서 매우 적은 소비전력, 개선된 잡음 특성 및 고속 데이터 전송률을 제공한다. 본 논문은 차동 flexible printed circuit board (FPCB) 전송선에서 선 폭, 선 두께 및 선 간격과 같은 전송선 설계 변수들의 최적화 기법을 이용하여 직렬 접속된 전송선들에서 발생하는 임피던스 부정합과 신호 왜곡을 감소시키기 위해 개선 모델과 새로이 개발된 수식을 제안한다. 이러한 차동 FPCB 전송선의 고주파 특성을 평가하기 위해 주파수 영역에서 full-wave 전자기 시뮬레이션, 시간 영역 시뮬레이션 및 S 파라미터 시뮬레이션을 각각 수행하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2013년도 추계학술대회
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• pp.357-360
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• 2013

고속 저전력 모바일 응용분야를 위한 1.8V 2-Gb/s SLVS 송신단을 제안한다. 제안하는 송신단은 데이터 전송을 위한 4-lane 송신단, 소스 동기 클럭 방식을 위한 1-lane 송신단, 그리고 8-phase 클럭 발생기로 구성된다. 제안하는 SLVS 송신단은 50 mV에서 650 mV의 출력 전압 범위를 가지며 고속 동작 모드와 저전력 모드를 제공한다. 또한, signal integrity를 개선하기 위한 출력 드라이버의 임피던스 교정 기법이 제안된다. 제안하는 SLVS 송신단은 1.8V의 공급 전압을 가지는 $0.18-{\mu}m$ 1-poly 6-metal CMOS 공정을 이용하여 구현된다. 구현된 SLVS 송신단의 데이터 jitter의 시뮬레이션 결과는 2-Gb/s의 데이터 전송속도에서 8.04 ps이다. 1-lane을 위한 SLVS 송신단의 면적과 전력소모는 각각 $422{\times}474{\mu}m^2$와 5.35 mW/Gb/s이다.

• 대한기계학회논문집B
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• 제41권8호
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• pp.505-510
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• 2017

본 논문에서는 다양한 견관절 장애 증상에 적용할 수 있는 보급형 상지 재활 로봇의 설계를 다룬다. 견관절의 회전에 수반되는 관절 중심의 위치변화를 추종하고, 사용자의 상지와 장치의 무게를 상쇄하는 3자유도 견관절 추종 및 중력보상 메커니즘을 구현하였다. 다양한 방향의 어깨 재활 동작을 구현할 수 있도록 구동축의 방향을 변환하는 메커니즘을 설계하여, 견관절에 대한 구동기의 상대적인 오리엔테이션을 변화시킴으로써 대표적인 5가지 견관절 동작을 수행할 수 있었다. 동시에 재활 운동 중의 견관절의 위치 변화를 추종하여 자연스러운 견관절 운동을 구현할 수 있었다. 최소의 구동기를 사용하는 보급형 로봇으로도 다양한 견관절 질환에 효과적으로 대응할 수 있음을 확인하였다.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제9권5호
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• pp.1654-1659
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• 2014

Tunneling field-effect transistors (TFETs) are very applicable to low standby-power application by their virtues of low off-current ($I_{off}$) and small subthreshold swing (S). However, low on-current ($I_{on}$) of silicon-based TFETs has been pointed out as a drawback. To improve $I_{on}$ of TFET, a gate-all-around (GAA) TFET based on III-V compound semiconductor with InAs/InGaAs/InP multiple-heterojunction structure is proposed and investigated. Its performances have been evaluated with the gallium (Ga) composition (x) for $In_{1-x}Ga_xAs$ in the channel region. According to the simulation results for $I_{on}$, $I_{off}$, S, and on/off current ratio ($I_{on}/I_{off}$), the device adopting $In_{0.53}Ga_{0.47}As$ channel showed the optimum direct-current (DC) performance, as a result of controlling the Ga fraction. By introducing an n-type InGaAs thin layer near the source end, improved DC characteristics and radio-frequency (RF) performances were obtained due to boosted band-to-band (BTB) tunneling efficiency.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제37권5호
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• pp.1190-1199
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• 2020

본 연구의 목적은 골프 입문자들을 대상으로 12주간 훈련을 통하여 수행한 스윙에서 유효타에 미치는 변인들을 분석하고, 이를 통하여 골프 입문자들의 페어웨이 안착을 위한 유효타 요인의 기초자료를 제공하고자 한다. 본 연구의 대상은 골프 경험이 없는 입문자로 대학생 20명이 연구에 참여하였다(연령: 21.35±1.69yrs, 신장: 176.75±7.99cm, 체중: 70.70±9.76kg). 모든 대상자에게 12주간 골프 지도법에 따른 프로그램을 실시하였고, 12주차에 트랙맨 4를 이용하여 골프 스윙 시 유효타에 미치는 변인들을 산출하였다. 트랙맨 자료는 클럽 변인과 볼 변인으로 구분하여 유효타에 영향을 미치는 변인을 알아보기 위하여 이분형 로지스틱 회귀분석을 실시하였다. 클럽 변인에서 높은 다이나믹로프트(p<.01)와 낮은 페이스앵글(p<.05)은 유효타에서 나타났고, 볼 변인에서 빠른 볼스피드(p<.01), 큰 스매시팩터(p<.001), 높은 런치앵글(p<.001), 많은 스핀레이트(p<.001)도 유효타에서 나타났다. 클럽 변인의 이분형 로지스틱 회귀분석 결과, 클럽스피드(p<.05)와 다이나믹로프트(p<.01)가 증가하면 유효타의 가능성이 증가하였고, 페이스앵글(p<.001)이 증가하면 유효타의 가능성이 감소하였다. 클럽 변인에서 유효타의 영향력은 다이나믹로프트, 페이스앵글, 클럽스피드 순으로 나타났다. 볼 변인에서는 런치앵글(p<.05)이 증가하면 유효타의 가능성이 증가하였고, 런치디렉션(p<.05)이 증가하면 유효타의 가능성이 감소하였다. 볼 변인에서 유효타의 영향력은 런치앵글, 런치디렉션 순으로 나타났다. 결과를 토대로 유효타의 확률을 증가시키기 위한 조건으로, 지속적인 연습을 통하여 스윙 시 높은 다이나믹로프트와 낮은 페이스앵글 구사를 통한 클럽스피드 증가가 필요하고, 이를 통하여 런치앵글 증가와 런치디렉션 감소를 통하여 유효타의 확률이 증가될 것으로 사료된다.

• Journal of Information Display
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• 제6권2호
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• pp.16-18
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• 2005

Hybrid insulator pentacene thin film transistors (TFTs) are fabricated with thermally grown oxide and cross-linked polyvinylalcohol (PVA) including surface treatment by dilute ploymethylmethacrylate (PMMA) layer on $n^+$ doped silicon wafer. Through the optimization of $SiO_2$ layer thickness in hybrid insulator structure, carrier mobility is increased to more than 35 times than that of the TFT which has only a gate insulator of $SiO_2$ at the same electric field. The carrier mobility of $1.80cm^2$/V-s, subthreshold swing of 1.81 V/decade, and $I_{on}/I_{off}$ current ratio> $1.10{\times}10^5$ are obtained less than -30 V bias condition. The result is one of the best reported performances of pentacene TFTs with hybrid insulator including cross-linked PVA layer as a gate insulator at relatively low voltage operation.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제12권2호
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• pp.168-174
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• 2012

This paper describes a novel global on-chip interconnect scheme, in which a one UI-delayed symbol as well as the current symbol is sent for easing the sensing operation at receiver end. With this approach, the voltage swing on the channel for reliable sensing can be reduced, resulting in performance improvement in terms of power consumption, peak current, and delay spread due to PVT variations, as compared to the conventional repeater insertion schemes. Evaluation for on-chip interconnects having various lengths in a 130 nm CMOS process indicated that the proposed on-chip interconnect scheme achieved a power reduction of up to 71.3%. The peak current during data transmission and the delay spread due to PVT variations were also reduced by as much as 52.1% and 65.3%, respectively.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제17권2호
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• pp.192-198
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• 2017

In this paper, we propose a novel double gate vertical channel tunneling field effect transistor (DVTFET) with a dielectric sidewall and optimization characteristics. The dielectric sidewall is applied to the gate region to reduced ambipolar voltage ($V_{amb}$) and double gate structure is applied to improve on-current ($I_{ON}$) and subthreshold swing (SS). We discussed the fin width ($W_S$), body doping concentration, sidewall width ($W_{side}$), drain and gate underlap distance ($X_d$), source doping distance ($X_S$) and pocket doping length ($X_P$) of DVTFET. Each of device performance is investigated with various device parameter variations. To maximize device performance, we apply the optimum values obtained in the above discussion of a optimization simulation. The optimum results are steep SS of 32.6 mV/dec, high $I_{ON}$ of $1.2{\times}10^{-3}A/{\mu}m$ and low $V_{amb}$ of -2.0 V.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제33권1호
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• pp.16-20
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• 2020

In this study, a patterning method using self-aligned nanostructures was introduced to fabricate GaN-based fin-gate HEMTs with normally-off operation, as opposed to high-cost, low-productivity e-beam lithography. The honeycomb-shaped fin-gate channel width is approximately 40~50 nm, which is manufactured with a fine width using a proposed method to obtain sufficient fringing field effect. As a result, the threshold voltage of the fabricated device is 0.6 V, and the maximum normalized drain current and transconductance of Gm are 136.4 mA/mm and 99.4 mS/mm, respectively. The fabricated devices exhibit a smaller sub-threshold swing and higher Gm peak compared to conventional planar devices, due to the fin structure of the honeycomb channel.