Sapphire is a substrate material that is widely used in optical and electronic devices. However, the processing of sapphire into a substrate takes a long time owing to its high hardness and chemical inertness. In order to process the sapphire ingot into a substrate, ingot growth, multiwire sawing, lapping, and polishing are required. The lap grinding process using pellets is known as one of the ways to improve the efficiency of sapphire substrate processing. The lap grinding process ensures high processing efficiency while utilizing two-body abrasion, unlike the lapping process which utilizes three-body abrasion by particles. However, the lap grinding process has a high material removal rate (MRR), while its weakness is in obtaining the required surface roughness for the final polishing process. In this study, we examine the effects of free abrasives in lap grinding on the material removal characteristics of sapphire substrate. Before conducting the lap grinding experiments, it was confirmed that the addition of free abrasives changed the friction force through the pin-on-disk wear test. The MRR and roughness reduction rate are experimentally studied to verify the effects of free abrasive concentration on deionized water. The addition of free abrasives (colloidal silica) in the lap grinding process can improve surface roughness by three-body abrasion along with two-body abrasion by diamond grits.
연구 목적: IPS Empress Esthetic$^{(R)}$ system의 ingot은 다양한 반투명도를 가지고 있지만, 실제 다양한 색조의 자연치를 배경으로 각각의 ingot을 laminate veneer로 제작했을 때 어느 정도의 차폐능력을 나타내는지 알 수 없다. 본 연구의 목적은 반투명도가 서로 다른 ingot으로 제작한 IPS Empress Esthetic$^{(R)}$ laminate veneer 수복 시 다른 색상의 지대치상에서 최종 색조의 차이(color difference, ${\Delta}E$)를측정, 분석해서 그 차폐효과를 평가하고, 최종 색조에 미치는 영향을 알아보고자 하였다. 연구 재료 및 방법: Laminate veneer 수복을 위해 삭제된 6가지 다른 색조(A1, A3, A4, B2, B3, C3)의 자연치아 위에 반투명도가 서로 다른 6가지 IPS Empress Esthetic$^{(R)}$ ingot (E 01, E 03, E OC1, E TC1, E TC2, E TC3)으로 제작된 총 두께 0.6 mm의 도재 시편들을 translucent shade의 시적용 합착제로 시적한 뒤 각 시편 조합의 색조를 색채계(colorimeter)를 이용하여 측정하였다. 서로 다른 색조의 지대치아 위에서 측정된 도재시편들의 색차를 비교, 분석하였다. 결과: 지대치 색조 및 coping의 반투명도에 따라서 laminate veneer 수복물의 최종 색조가 다르게 나타났다(P<.05). 모든 도재 시편에서 A3, B3, 그리고 C3 shade를 가진 지대치들 사이의 평균 색차값(${\Delta}E$)이 2.7 이하로 나타났고, 지대치들 간의 색조가 A3 와 A4, B3 와 A4, 그리고 C3 와 A4 인 경우 평균 색차값은 몇 가지 도재 시편에서 2.7 이하를 나타내어 laminate veneer 수복물에 의한 지대치 색조의 차폐효과를 보여 주었다. 반면, A1 과 B2 shade의 지대치는 다른 지대치들과 비교하여 높은 색조 차이를 보였으며, 특히A4와 B2, A3 와 B2, 그리고 A1 과 A4 색조의 지대치들 사이에는 그 색조 차이가 컸다. 결론: IPS Empress Esthetic$^{(R)}$ coping으로 제작된 laminate veneer의 최종 색조는 지대치 색조 및 coping의 반투명도에 의해 영향을 받았다. 서로 다른 $a^*$와 $b^*$ 값을 나타내는 지대치들의 색상 차이는 어느 정도 차폐 되는 효과를 보여주고 있으나, 명도($L^*$)의 차이가 많이 나타나는 지대치 색조들을 차폐하는 것은 한계가 있었다.
TRIGA 연구로의 해체 시 발생하는 금속성 폐기물의 용융기술을 확립하기 위한 기초연구로 전기로 내에서 방사성 핵종(Co, Cs, Sr)을 포함한 알루미늄의 용융 시 용융온도, 용융시간 및 플럭스(flux)의 종류가 핵종의 분배 거동에 미치는 영향을 조사하였다. 플럭스의 종류에 따라 다소 차이는 있으나, 플럭스의 첨가로 알루미늄 용융체의 유동성이 증가됨을 확인할 수 있었다 용융 후주괴(ingot) 및 슬래그(slag) 시료의 XRD분석을 통해 핵종이 주괴에서 슬래그 상으로 이동하고 슬래그를 구성하고 있는 산화알루미늄과 결합하여 안정한 화합물을 형성함을 알 수 있었다. 슬래그의 발생량은 용융온도와 용융시간이 증가할수록 증가하는 경향을 보였으며, 증가속도는 플럭스의 종류에 따라 차이를 보였다. 핵종 중 Co는 용융온도가 증가함에 따라 주괴 내 에서는 감소하였으나 슬래그 상에서는 증가하는 경향을 보였으며, 실험조건에 따라 최대 90$\%$까지 주괴에서 슬래그로 이동하였다. 휘발성이 강한 Cs과 Sr은 대부분이 슬래그와 분진으로 이동하여 매우 높은 제염계수를 얻을 수 있었다.
태양전지용 규소에는 단결정, 다결정, mono-like의 세 가지 재료가 사용 중에 있다. 첫 번째로, 단결정은 수율향상의 과제에 집중되고 있으며, 이것은 고액 계면의 형상이 주요 요인으로 알려지고 있다. 이에 대한 연구가 전산모사 등으로 집중되고 있다. 또한 결정과 도가니의 회전 속도가 고액 계면의 형상에 영향을 미치는 것이 확인 되었다. 다결정의 경우에는 결정립계의 역할이 매우 중요하므로 이에 대한 연구가 진행되는데, 이들을 특히 전기적으로 비활성적인 쌍정 입계로 전환하는 연구가 진행되고 있다. 성장 조건을 변경시켜 쌍정 입계로 바꾸어서 재료의 전기적 성질을 향상시키는 결과를 확인하였다. 또한 성장 공정에서 발생될 수 있는 오염을 줄이기 위한 노력은 상부의 Ar 가스의 흐름을 상향 조절하여 불순물의 용입을 줄임이 확인되었다. 다음으로 mono-like인 경우에는 측면으로부터 성장 되어 들어오는 다결정이 단결정의 분율을 저하 시키는 주요 요인이 되고 있다. 이에 대한 해결책으로 하부의 냉각 속도를 높이고 상부와 측면에 단열재를 보강하는 방안이 제시되고 있고, 하부에 놓는 seed의 orientation을 조절하여 측면으로부터 성장 되어 들어오는 다결정을 억제하는 방안이 효과가 있음이 확인 되고 있다.
용해와 주조, 압출과 열처리 기술의개선으로 고강도, 고파괴인성의 AI-Li-Cu 합금(2090 AI합금)을 제조하였다. 또한 준 산업용 규모(20kg)의 잉고트 제조공정을 확립하기 위해서 (1)선 (2)기계적 성질들에 미치는 열처리 영향 (3) 인장시험, 파괴인성 시험($K_{Ic}$) 및 피로균열 전파시계를 갖고 있으며 최종 제품의 인장강도는 최대시효 조건에서 534MPa부터 566MPa이었고 연신율은 9%에서 11.9%정도였다. C-T 시편을 이용한 파괴인성 시험 결과 최대시효 조건에서 평면변형 파괴인성 ($K_{Ic}$)값은 39MPa$\surd$m였고 미시효 조건에서는 23MPa$\surd$m였다. 또한 0.1, 0.3, 0.5의 하중비에서 피로균열 전파시험을 행하였을때 임계응력 확대계수(${\Delta}K_{th}$)는 각각 6.0, 5.3, 4.3 MPa$\surd$m이었다.
본 연구에서는 부여 관북리 유적 "나" 지구에서 출토된 9점의 제철 관련 유물에 대한 분석을 실시하여 제철유구의 성격을 확인하고자 하였다. 연구결과, GB1과 GB6은 반환원괴로 확인되며, GB2, GB3, GB4, GB5는 정련 과정에서 생성된 단야재로 확인되었다. 노벽 시편인 GB7의 내측에서는 고온지시광물인 Mullite, Cristobalite가 확인되었고, $FeO-Al_2O_3-SiO_2(FAS)$ 삼원상태도에 대입한 단야재의 정출온도는 $1200{\sim}1300^{\circ}C$로 확인되었다. 덩이쇠인 GB8은 괴련강계 단조철기로 확인되었는데, 이는 철기제작을 위한 중간소재로 사용된 것으로 보이며, GB8의 내부에서 관찰되는 비금속 개재물은 단야재의 조직과 성분이 유사함을 알 수 있다. 따라서 부여 관북리 유적 "나" 지구의 제철유적은 직접제철법으로 생산된 괴련철의 정련을 기본으로 하는 소규모 제철시설이었던 것으로 추정할 수 있다.
In the open die forging process, it is difficult to optimize process parameters such as die shape, initial ingot size, feeding pitch, rotation angle and other process parameters in the operational environments. Therefore in this study, 3D finite element analysis has been performed to obtain optimal process condition for open die forging process. FEM analyses at various feeding pitches and rotation angles provide process conditions to make round bar having precise dimensional accuracy.
최근 열간압연의 공정이 단순하고 회수율이높은 CC재 (연속 주조재)가 IC재 (Ingot 주조재)에 비해 냉간압연 재료의 주종을 이루고있으며, Roll 조도의 급속한 저하로 슬립현상과 채터링현상 등이 발생한다. 본 연구에서는 Work Roll 마멸 및 조도 저하에 큰 영향을 미치는 (1) 압연 가공길이 및 (2) 실험 재료의 종류에 따른 영향과 (3) 압연하중에 의한 Roll 조도변화를 실제 압연가공을 통하여 분석하고, (4) 알미늄 산화 게재물의 영향과 전사율을 연구하고저 한다.
Electrical resistivity and switching phenomena in glass semiconductor of AsTe and AsTeGa is studied. Samples sliced from ingot which is air quenched or water quenched, show high resistivity at room temperature. The resistivity of the AsTe and AsTeGa is 1*10$^{6}$ .ohm.-cm and 5*10$^{6}$ .ohm.-cm at 27.deg. C. Switching phenomena take place in thin the thick samples. Holding voltage is different with the thickness of the samples and the characteristics of switching in the thin and thick samhles are similar. When square wave pulse voltage is applied, delay time is detected to 5.mu.sec by oscilloscpoe.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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