DRAM설계시 DDR2에서부터 고속 동작으로 인해 반송파에 의한 신호외곡으로 impedance matching의 필요성이 대두되었다. 이로 인해 제안된 방법은 외부 Termination 저항(RZQ)을 기준으로 impedance matching을 위한 Rtt 저항의 생성이다.[1] 제안된 ZQ Calibration 회로는 기존의conventional ZQ Calibration 회로에 After ZQ calibration block을 추가하여 한 번 더 교정함으로써 마지막 PMOS Array와 NMOS Array 저항 값이 Termination 저항 값에 가깝도록 설계하였다. 따라 전력효율은 그대로 유지하면서 ${\Delta}VM$의 오차범위를 기존의 ${\pm}5%$이내에서 skew 조건에 따라 ${\pm}1.33%$까지 향상시키는 것을 볼 수 있다. (JEDEC spec. ${\pm}5%$이내).
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers B
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v.54
no.5
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pp.217-221
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2005
A inductive voltage divider(IVD) is widely used as a ratio arm of precise impedance measurement bridges at low frequencies of audio frequency range and a well fabricated IVD has ratio error of $10^{-7}$ order without any calibration. Recently, the order of $10^{-8}$ of the best measurement uncertainty is needed for calibration and maintenance of impedance standards as national standards. In order to achieve that uncertainty, the IVD which is used for a ratio arm of precise impedance measurement bridge should be calibrated within the uncertain of order of $10^{-8}$ For this purpose, a ratio calibration bridge for IVDs has been developed. The measurement uncertainties of both inphase and quadrature of the bridge are analyzed less then $3{\times}10^{-8}$ respectively at 1 kHz and 25 V.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.23
no.11
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pp.1315-1322
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2012
Frequency domain reflectometry diagnoses faults on electric cables by measuring the cable impedance. Time domain impedance measurement technique using an oscilloscope instead of a network analyzer is widely used for electric power cables under harsh environment or powered condition. However, impedance measurement in the time domain shows inaccuracy as the frequency increases due to several parasitic impedances, which results in the poor resolution of fault points. This paper presents the accuracy enhancement technique using a module with an operational amplifier and an error calibration method in the time domain impedance measurements, which is confirmed by comparing the cable impedance measurement results.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.29
no.7
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pp.484-490
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2018
This paper describes an algorithm for calculating load impedance by measuring voltage and current components using a VI sensor in a 13.56 MHz impedance automatic matching system. We propose an algorithm that improves the error rate by using an arbitrary complex calibration load instead of the conventional $50{\Omega}$ calibration load. The error rate is targeted to attain average values of $R_{IN}$ and $X_{IN}$ at 1% and 20% or less, respectively. First, the IF frequency is calculated using a mixer to reduce the error rate. Second, when the arbitrary complex load is used as the calibration load, the error rate $R_{IN}$ decreased from 4.7 % to 0.3 % on average, and $X_{IN}$ decreased from 102 % to 18.3 % on average.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.9
no.1
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pp.14-21
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2009
A digital differential transmitter based on CMOS inverter worked up to 2.8 Gbps at the supply voltage of 1 V with a $0.18{\mu}m$ CMOS process. By calibrating the output impedance of the transmitter, the impedance matching between the transmitter output and the transmission line is achieved. The PVT variations of pre-driver are compensated by the calibration of the rising-edge delay and falling-edge delay of the pre-driver outputs. The chip fabricated with a $0.18{\mu}m$ CMOS process, which uses the standard supply voltage of 1.8 V, gives the highest data rate of 4Gbps at the supply voltage of 1.2 V. The proposed calibration schemes improve the eye opening with the voltage margin by 200% and the timing margin by 30%, at 2.8 Gbps and 1 V.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.16
no.11
s.102
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pp.1099-1105
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2005
TRL error correction method is widely used for measuring high frequency device mounted on PCB. In order to correct error more precisely, the characteristic impedance of standard transmission line should be known mounted for error correction. The capacitance per the unit length of transmission line is calculated by using standard transmission line which terminate resistor additionally at previous method and the characteristic impedance of standard transmission line is calculated with fitting method according to frequency, but the characteristic impedance extracted by a manufacturing inaccuracy is influenced. In this study, a novel method can reduce the manufacturing inaccuracy using measured s-parameters and can extract more accurate characteristic impedance than the previous method.
It is important to find a accurate root canal length or successful endodontic therapy. By X-ray method takes a long time and difficult in a curved canal. After developed electronic apex locator has allowed to measure the root canal length with easy, in a short time also in a curved canal. But most electronic apex locators have the disadvantage which is too short reading or sometimes the measurement itself becomes impossible if there are electrolytes in the canal. To overcome this drawback, impedance ratio method has been developed. In this study, we have developed frequency dependent electronic apex locator to minimize the interference of electrolytes. And based on that also some error in clinic use, we added the other method. Difference of two signals which are used in calculation of impedance ratio was can be represent the status of root canal fluid. As a result, using impedance ratio method and auto-calibration by voltage difference method can reduce the measurement error.
The present article discusses about the measurement techniques of acoustic impedance that becomes one of the important acoustic characteristics of various boundaries found inside of propulsion systems. Acoustic characteristics including acoustic impedance and reflection coefficient can be often assessed and estimated by use of the two-microphone method. Theoretical expressions of acoustic impedance and reflection coefficient measured in an impedance tube are presented for both cases with mean flow and without flow, and the practical application of the method through calibration is also provided. The acoustic impedance and the reflection coefficient are related with axial locations of microphones, thermodynamic characteristics of gas inside, and the transfer function between the pressure wave measurements at multiple locations.
Lee, Ji Ha;Park, Hyun Keun;Lee, Jungsoo;Hong, Snag Jeen
Journal of the Semiconductor & Display Technology
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v.19
no.3
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pp.43-48
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2020
The demand for stable plasma has been on the rise because of the increased delivery power amount in the chamber for improving productivity, and fast and accurate plasma impedance matching become a crucial performance measure for radio frequency (RF) power system in semiconductor manufacturing equipment. In this paper, the overall impedance matching was understood, and voltage and current values were extracted with voltage - current (VI) probe to measure plasma impedance in real-time. Actual matching data were analyzed to derive calibration coefficient for V and I measurements to understand the characteristics of VI probe, and we demonstrated the tendency of RF impedance matching according to changes in load impedance. This preliminary empirical research can contribute to fast RF matching as well as advanced equipment control for the next level of detailed investigation on embedded system based-RF matching controller.
An 830-Mb/s/pin transceiver for a controller supporting ×32 LPDDR2 memory is designed. The transmitter consists of eight unit circuits has an impedance in the range of 34Ω ∽ 240Ω, and its impedance is controlled by an impedance correction circuit. The transmitted DQS signal has a phase shifted by 90° compared to the DQ signals. In the receive operation, the read time calibration is performed by per-pin skew calibration and clock-domain crossing within a byte. The implemented transceiver for the LPDDR2 memory controller is designed by using a 55-nm process using a 1.2V supply voltage and has a maximum signal transmission rate of 830 Mb/s/pin. The area and power consumption of each lane are 0.664 mm2 and 22.3 mW, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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