Proceedings of the IEEK Conference (대한전자공학회:학술대회논문집)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

Design DDR3 ZQ Calibration having improved impedance matching

향상된 impedance matching을 갖는 DDR3 ZQ Calibration 설계

  • Choi, Jae-Woong (Department of Information Display Engineering Hanyang University) ;
  • Park, Kyung-Soo (Department of Information Display Engineering Hanyang University) ;
  • Chai, Myoung-Jun (Department of Information Display Engineering Hanyang University) ;
  • Kim, Ji-Woong (Department of Information Display Engineering Hanyang University) ;
  • Kwack, Kae-Dal (Department of Information Display Engineering Hanyang University)
  • 최재웅 (한양대학교 정보디스플레이공학과) ;
  • 박경수 (한양대학교 정보디스플레이공학과) ;
  • 채명준 (한양대학교 정보디스플레이공학과) ;
  • 김지웅 (한양대학교 정보디스플레이공학과) ;
  • 곽계달 (한양대학교 정보디스플레이공학과)
  • Published : 2008.06.18
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Abstract

DRAM설계시 DDR2에서부터 고속 동작으로 인해 반송파에 의한 신호외곡으로 impedance matching의 필요성이 대두되었다. 이로 인해 제안된 방법은 외부 Termination 저항(RZQ)을 기준으로 impedance matching을 위한 Rtt 저항의 생성이다.[1] 제안된 ZQ Calibration 회로는 기존의conventional ZQ Calibration 회로에 After ZQ calibration block을 추가하여 한 번 더 교정함으로써 마지막 PMOS Array와 NMOS Array 저항 값이 Termination 저항 값에 가깝도록 설계하였다. 따라 전력효율은 그대로 유지하면서 ${\Delta}VM$의 오차범위를 기존의 ${\pm}5%$이내에서 skew 조건에 따라 ${\pm}1.33%$까지 향상시키는 것을 볼 수 있다. (JEDEC spec. ${\pm}5%$이내).

Keywords