• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 2001년도 하계종합학술대회 논문집(2)
• /
• pp.177-180
• /
• 2001

The quantum effects in the channel of a $\delta$ -doped NMOSFET structures are investigated by solving Schrodinger and Poisson equations self-consistently. According to the scaling of MOSFET structures, electron distributions change by the strong energy quantization. However the presence of a low-doped epitaxial region produces a reduction of the electron effective field for a given charge sheet density and therefore, improves the electron effective mobility. We also focus the quantum-induced threshold voltage shifts, low-field electron effective mobility and gate-to-channel capacitance. The reported results give indications for the fabrication of ultra short MOSFET's.

• 식물조직배양학회지
• /
• 제25권1호
• /
• pp.13-19
• /
• 1998

Electroporation을 이용한 형질전환 연구에서 원형질체 대신 체세포 배발생 세포를 이용하여도 DNA가 도입될 수 있음을 이미 보고한 바 있다. 본 연구는 배발생 세포 내로 DNA를 도입하기 위한 electroporation의 최적 조건, 즉 전압과 capacitance 수준, promoter 종류, DNA 농도, 저온처리효과 등을 구명하며, 처리에 따른 DNA의 전입 현상을 이해하고 전기충격후의 생장과 분화 정도를 조사하고자 수행되었다. 들잔디 미숙배를 2,4-D가 2 mg/L 함유된 MS배지에서 배양하여 배발생 캘러스를 유도하였고, 동일 조성의 액체배지에 진탕배양하여 조직 electroporation에 적합한 현탁배양 세포괴를 증식할 수 있었다. 100-400 V의 전압과 10-1980 $\mu\textrm{F}$의 capacitance 수준에서 세포괴를 35S-gusA 조성을 갖는 운반체 DNA와 함께 electroporation 하였을 때, 전반적으로 DNA가 도입되었음을 표지유전자 gusA의 transient 발현을 통하여 확인하였으며, 200-300 V 전압과 330-800 $\mu\textrm{F}$ capacitance 수준이 보다 효과적인 경향을 보였다. 처리시 온도는 큰 영향을 미치지 않았으며, 6 $\mu\textrm{g}$/mL 이상의 DNA 농도에서는 GUS 발현이 양호하였다. 배발생 캘러스 세포주들은 모두 DNA가 도입 되었으나 비 배발생 캘러스 세포주는 11개중 하나에서만 도입이 확인되었다. Electroporation시 전기충격후 20, 40시간 후에 DNA를 첨가하여도 gusA가 발현됨에 따라 전기충격이 세포막의 침투성을 장시간 변화시킴으로써 DNA가 전이될 수 있는 것임을 확인할 수 있었다. GusA의 promoter로 CaMV 35S외에 Actl과 Ubil의 활성을 비교한 바, 35S에 비해 각각 7배, 5배의 활성을 나타내었다. Electroporation 처리후 세포괴의 배양실험에서 100-400 V의 전압과 10-l980 $\mu\textrm{F}$ capacitance의 전 처리 범위에서 캘러스의 지속적인 생장과 함께 식물체 재분화가 일어났다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
• /
• pp.1145-1148
• /
• 1998

New capacitance modeling and transient analysis for multi-layer interconnects with shielding effect are presented. The upper layer capacitances with under-layer shielding lines are represented by introducing a filling factor η which can be defined as the ratio of upper-layer line length to the total under-layer line width. The upper-layer effective self capacitances considering two extreme cases which the underlayer metals are assumed as a ground or as a Vdd are modeled. The signal transient analysis with shielding effect model is performed.

• 한국진공학회지
• /
• 제1권3호
• /
• pp.376-381
• /
• 1992

Tungsten silicide films were deposited on the highly phosphorus-doped poly Si/SiO2/Si substrates by Low Pressure Chemical Vapor Deposition. They were heat treated in different conditions. XTEM, SIMS and high frequency C-V analysis were conducted for characterization. It can be concluded that outdiffusion of phosphours impurity throught the silicide films lead to its depletion in the poly-Si gate region near the gate oxide, resulting in loss of capacitance and increase of effective gate oxide thickness.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 1998년도 하계종합학술대회논문집
• /
• pp.871-874
• /
• 1998

A new transmission line parameter extraction method of iC interconnects on silicon substrate is presented. To extract the acurate parameters, the silicon substrate effects were taken into account. Since the electromagnetic fields under the silicon substrate are propagated with slow wave mode, effective dielectric constant and different ground plane with the multi-layer dielectric structures were employed for inductance and capacitance matrix determination. Then accurate signal transients simulation were performed with HSPICE by using the parameters. It was shown that the simulation resutls has an excellent agreement with TDR/TDT measurements.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
• /
• pp.523-524
• /
• 2008

Proposed battery charger is a economic candidate because that is simple and small size. The circuit has linearly operational power stage. That use small size buffer with small driving current and large power MOS gate capacitance. The simulation result show that charging current is stable and has low ripple.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국해양정보통신학회 2008년도 추계종합학술대회 B
• /
• pp.640-643
• /
• 2008

In this work, a novel tunable MIM capacitor with the meshed electrode is proposed first in order to improve the tunability characteristics using fringe fields. The capacitors were fabricated on a low-resistivity Si substrate employing lead zinc niobate (PZN) thin film dielectric. The fabricated capacitor with the meshed electrode, whose line width and spacing was $2.5{\mu}m$, achieved the effective capacitance tunability of 31 % that is higher value of 18.5 % than that of the conventional capacitor with the rectangular-type electrode.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
• /
• pp.63-64
• /
• 2006

In this paper, multilayer piezoelectric actuator was fabricated in order to develop ultrasonic linear motor. Multilayer actuator showed a high density of 7.78[$g/cm^3$], a large effective electromechanical coupling factor($K_{eff}$) of 0.259, a high mechanical quality factor( Qm ') of 1301, and high capacitance(c) of 19.32[nF]. Curie temperature was $343[^{\circ}C]$.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
• /
• 제29권3호
• /
• pp.313-318
• /
• 2005

Li-doped ZnS layers were grown by molecular beam epitaxy. It was found that relatively low growth temperature is suitable for effective incorporation of Li acceptors. The layers grown under optimized conditions exhibited photoluminescence spectra dominated by neutral-acceptor-bound excitons. Such layers also showed electrically p-type behavior in capacitance-voltage characteristics. The net acceptor concentration is estimated to be approximately $3{\times}10^{15}\;cm^{-3}$.

• 전자공학회논문지
• /
• 제50권4호
• /
• pp.59-64
• /
• 2013

본 논문에서는 주파수에 대해 영향을 적게 받는 커패시터 멀티플라이어를 제안하였다. 기존의 커패시터 멀티플라이어는 주파수에 대해 커패시턴스 변화가 크다는 단점이 있다. 반면에, 제안된 커패시터 멀티플라이어는 캐스코드 구조를 이용하여 주파수 변화에 대해서 커패시턴스 변화가 작은 특성을 갖도록 개선하였다. 기존의 커패시터 멀티플라이어와 제안된 커패시터 멀티플라이어를 삼성 $0.13{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 제작하고, LPF를 구성하여 특성을 측정하였다. 주파수 100kHz에서 1MHz까지 측정한 결과, 기존의 커패시터 멀티플라이어는 최대 53% 오차를 보이는 반면에, 제안된 커패시터 멀티플라이어는 10% 이내의 오차를 보여, 향상된 주파수 특성을 가짐을 확인하였다.