Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.99-99
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2010
Recently, amorphous transparent oxide semiconductors (TOS) have been widely studied for many optoelectronic devices such as AM-OLED (active-matrix organic light emitting diodes). The TOS TFTs using a-IGZO channel layers exhibit a high electron mobility, a smooth surface, a uniform deposition at a large area, a high optical transparency, a low-temperature fabrication. In spite of many advantages of the sputtering process such as better step coverage, good uniformity over large area, small shadow effect and good adhesion, there are not enough researches about characteristics of a-IGZO thin films. In this study, therefore, we focused on the electrical properties of a-IGZO thin films as a channel layer of TFTs. TFTs with the a-IGZO channel layers and Y2O3 gate insulators were fabricated. Source and drain layers were deposited using ITO target. TFTs were deposited on unheated non-alkali glass substrates ($5cm{\times}5cm$) with a sintered ceramic IGZO disc (3 inch $\varnothing$, 5mm t), Y2O3 disc (3 inch $\varnothing$, 5mm t) and ITO disc (3 inch $\varnothing$, 5mm t) as a target by magnetron sputtering method. The O2 gas was used as the reactive gas. Deposition was carried out under various sputtering conditions to investigate the effect of sputtering process on the characteristics of a-IGZO thin films. Correlation between sputtering factors and electronic properties of the film will be discussed in detail.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.65
no.5
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pp.785-793
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2016
This paper analyzes an LCL-type isolated dc-dc converter operating for constant output voltage in the continuous conduction mode(CCM) with resistances of parasitic losses-static drain-source on resistance of power switch, ESR of resonant network(L-C-L)-using a high loaded quality factor Q assumptions and fourier series techniques. Simple analytical expressions for performance characteristics are derived under steady-state conditions for designing and understanding the behavior of the proposed converter. The voltage-driven rectifier is analyzed, taking into account the diode threshold voltage and the diode forward resistance. Experimental results measured for a proposed converter at low input voltage and various load resistances show agreement to the theoretical performance predicted by the analysis within maximum 4% error. Especially in the case of low output voltages and large loads, It is been observed that introduction of both rectifier and the parasitic components of converter had considerable effect on the performance.
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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v.9
no.11
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pp.1227-1232
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2014
This paper relates 10% shrink from $0.13{\mu}m$ design for core devices as well as input and output (I/O) devices different from previous poly length shrink size only. We analyzed body effect with different channel length and doping profile simulation. After fixing the gate oxide module process, LDD implant conditions were optimized such as decoupled plasma nitridation of gate oxide, TEOS oxide $100{\AA}$ before LDD implant and 22o tilt-angle(45o twist-angle) LDD implant respectively to match the spice DC parameters of pre-shrink and finally matched them within 5%.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.07a
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pp.751-754
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2000
When charge-trap SONOS cells are used flash memory, the tunneling program/erase condition to minimize the generation of interface traps was investigated. SONOSFET NVSM cells were fabricated using 0.35$\mu\textrm{m}$ standard memory cell embedded logic process including the ONO cell process. based on retrograde twin-well, single-poly, single metal CMOS process. The thickness of ONO triple-dielectric for memory cell is tunnel oxide of 24${\AA}$, nitride of 74 ${\AA}$, blocking oxide of 25 ${\AA}$, respectively. The program mode(Vg: 7,8,9 V, Vs/Vd: -3 V, Vb: floating) and the erase mode(Vg: -4,-5,-6 V, Vs/Vd: floating, Vb: 3V) by modified Fowler-Nordheim(MFN) tunneling were used. The proposed programming condition for the flash memory of SONOSFET NVSM cells showed less degradation($\Delta$Vth, S, Gm) characteristics than channel MFN tunneling operation. Also the program inhibit conditions of unselected cell for separated source lines NOR-tyupe flash memory application were investigated. we demonstrated that the program disturb phenomenon did not occur at source/drain voltage of 1 V∼4 V and gate voltage of 0 V∼4.
Typically, soft clay improvement is carried out using installation of PVD and surcharge method. According to circumstances, installed PVD has left for a long time due to the change in construction schedule. Therefore, for simulation of this kind of condition, discharge capacity tests were carried out under a series of temperature condition (30, 35, $40^{\circ}C$). The results indicated that under water confinement, the discharge capacities significantly reduced with elapsed time. And, the empirical equation by Miura and Chai (2000) was used for estimating the long-term in-clay discharge capacity. Based on the test results, it is recommended that in term of long-term discharge capacity, Miura and Chai's equation and reliability evaluation using discharge capacity tests under a series of temperature condition may be used.
With increasing numbers of immigrant workers in Korea, the supply of socially and culturally acceptable housing has become an important issue. The purpose of this study was to analyze the state of Goryo-in housing and domestic living conditions in metropolitan areas of Korea. This study will present essential information directly relevant to the establishment of practical housing policy for Goryo-in in Korea. Furthermore, data collected and analyzed here will enable comparative investigation with Goryo-ins who live in Russia and Central Asia. Using ethnographic methodologies, we examined 20 Goryo-in households in relation to their usage of domestic space. The following conclusion were established; 1). The most popular L D K(Living Dining Kitchen)type consisted of kitchen plus one or two bedrooms. The majority of households lived in quarters with separated kitchen and living room areas. 2). Most households had a washing machine in the bathroom due to a lack of space, and they regarded the bathtub and the drain hole of the bathroom as very necessary. The Goryo-ins interviewed preferred quarters with separate bathroom and toilet areas, in order to allow simultaneous use. 3). Their most preferred seating style was chairs, while making Kimchi at home was not very popular. 4). All respondents took their shoes off and wore slippers at home, while also indicating a preference for designated shoes space at the entrance to the house. 5) Half of the households had a carpet or mat in the bedroom or living room, both for keeping warm and aesthetic reasons. 6). All households had modified Ondol heating system and demonstrated satisfaction with this. The majority of Goryo-ins interviewed had a different living style compared to households in Russia and Central Asia which were related to less favorable economic conditions in Korea.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.94-94
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2008
We have performed simulation for Junction Field Effect Transistor(JFET) using Silvco to improve its electrical properties. The device structure and process conditions of Si-control JFET(Si-JFET) were determined to set its cut off voltage and drain current(at Vg=0V) to -0.5V and $300{\mu}A$, respectively. From electrical property obtained at various implantation energy, dose, and drive-in conditions of p-gate doping, we found that the drive in time of p-type gate was the most determinant factor due to severe diffusion. Therefore we newly designed SiGe-JFET, in which SiGe layer is to epitaxial layers placed above and underneath of the Si-channel. The presence of SiGe layer lessen the p-type dopants (Boron) into the n-type Si channel the phenomenon would be able to enhance the structural consistency of p-n-p junction. The influence of SiGe layer will be discussed in conjunction with boron diffusion and corresponding I-V characteristics in comparison with Si-control JFET.
KSCE Journal of Civil and Environmental Engineering Research
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v.10
no.1
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pp.155-162
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1990
In analysis of deformation in which the stiffness is greatly different between the adjacent materials, the desired results have been obtained by using the interface element method compared with those secured by the conventional method of the concept of continua. However the interface element method was originally developed for the behavior of rocks. This study deals with the deformation analysis of foundation with sand drain by the introduction of interface element. The physical conditions of interface element are devided into three categories by Mohr-Coulomb failure criterion ie. sliding, separation, and contact. Finally the accuracy of the program proposed in this paper is proved highly accurate by performing the comparison of the theoretical values and numerical results of a model element with simplified boundary conditions.
Lee, Jun S.;Choi, Il-yoon;Lim, Jihoon;Yoon, Suk Chul
Journal of Korean Tunnelling and Underground Space Association
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v.18
no.1
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pp.31-40
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2016
A new testing equipment is designed to investigate the characteristics of the drainage fabric which is used in the tunnel drain system. The equipment is possible to model the loading as well as boundary conditions of the shotcrete precisely and it follows the general guideline of ASTM D4716 so that the interface between shotcrete and concrete lining retains the real situation in the tunnel site. Using the real loading conditions and surface irregularities, the flow rate and its capacity of the regular fabric has been estimated. A composite drainage fabric having geogrid inside was also used to investigate the flow rate and its efficiency. The advantages of the composite fabric compared with the regular one have been demonstrated using the experimental data and brief outline of the future work is finally proposed.
Journal of the Korean Society for Advanced Composite Structures
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v.3
no.3
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pp.1-8
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2012
Recently, underground pipes are utilized in various fields of applications such as sewer lines, drain lines, water mains, gas lines, telephone and electrical conduits, culverts, oil lines, etc. Most of pipes are installed for long-term purposes and they should be safely installed in consideration of installation conditions because there are unexpected various terrestrial loading conditions. In this paper, we present the result of investigation pertaining to the structural behavior of glass fiber reinforced thermosetting polymer plastic (GFRP) flexible pipes buried underground. The mechanical properties of the GFRP flexible pipes produced in the domestic manufacturer are determined and the results are reported in this paper. In addition, ring deflection is measured by the field tests and the finite element analysis (FEA) is also conducted to simulate the structural behavior of GFRP pipes buried underground. From the field test results, we predicted long-term, up to 50 years, ring deflection of GFRP pipes buried underground based on the method suggested by the existing literature. It was found that the GFRP flexible pipe to be used for cooling water intake system in the nuclear power plant is appropriate because 5% ring deflection limitation for 50 years could be satisfied.
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