구조물 이상 탐지를 위해 외력에 의한 광섬유의 모드변환을 이용한 새로운 광섬유 센서를 고안하고 제작하였다. 이러한 광섬유 센서는 민감도가 매우 좋으며, 크기가 작고, 전자파에 매우 둔감한 장점들이 있다. 이 센서는 적외선영역에서의 단일모드 광섬유와 635nm의 레이저 다이오드로 구성하였기 때문에 광섬유의 끝단에서의 횡모드는 가우시안 분포가 아닌 다른 형태의 횡모드 형태가 생긴다. 이 광섬유 중간을 구조물에 부착한 후, 구조물에 외력을 인가하면 광섬유 횡모드의 분포 변화가 생기고, 이를 감지함으로써 구조물 이상 유무를 판독할 수 있다. 본 논문에서는 광섬유 센서를 부착한 알루미늄 보를 변형시킴으로써 광섬유 센서의 횡모드 변화를 조사하였다. 이 실험결과 구조물의 이상상태를 감지할 적당한 신호를 얻을 수 있었으며, 구조물의 이상유무를 측정할 수 있는 광섬유 센서로의 가능성을 확인할 수 있었다.
고출력 반도체 광원의 열유동 특성을 분석하고, 열전달 병목지점을 파악하여 열저항을 개선하는 방안을 도출하고, 전산모사를 통하여 개선 효과를 확인하였다. 띠구조 활성층을 가진 LD 광원의 경우에 발열부의 부피가 작을 뿐 아니라 발열면적이 좁아서 발열부 근처의 열전달 유효단면적이 매우 좁을 수 밖에 없는데, 이 부근의 경계면에 그래핀층을 추가적으로 적용하면 전체 열저항이 확연히 개선되는 것이 전산모사 되었다. 이는 열전달 경로상의 유효단면적이 넓어지는 효과를 가져와 전체 열저항이 확연히 개선되는 것으로 파악되었다.
모드별 광출력-전류-전압 특성, RIN (relative intensity noise) 스펙트럼, 계단 전류입력에 대한 과도응답의 측정을 통하여 다중 횡모드 VCSEL의 모드 거동과 동특성 사이의 관계에 대하여 살펴보았다. RIN 스펙트럼의 공진 주파수는 모드별 광출력 특성 곡선으로 잘 설명할 수 있었다. 그리고, 활성영역이 넓은 VCSEL은 각각의 횡모드가 문턱전류가 서로 다른 독립적인 레이저로 동작하여 turn-on 지연시간이 달라 다단계 turn-on 특성을 보인다. 고차 모드가 발진하면서 이렇게 펄스의 파형이 찌그러지고 상승시간이 급격히 증가하기 때문에 단일 모드로 동작하도록 전류입력을 조절하지 않으면 고속 광통신용 광원으로서는 적합하지 않게 된다.
본 연구에서는 광통신 시스템에 응용할 수 있는 InGaAs/lnGaAsP 다중 양자 우물의 장파장용 완전 공핍 광 싸이리스터(depleted optical thyristor)를 제안하고, 도파로 형태로 소자를 제작하여, 최초로 레이징 특성을 측정 분석하였다. 먼저, 완전공핍 광 싸이리스터에 있어서 스위칭 전압과 전류는 각각 4.63 V 와 10uA로 측정되었고, 홀딩 전압(holding voltage)과 전류는 각각 0.59V, 20uA에서 그 특성이 나타났다. 또한, 레이징 되는 문턱 전류(threshold current)는 $25^{\circ}C$에서 111 mA, $10^{\circ}C$에서 72.5 mA로 각각 나타났으며, 문턱 전류의 약 1.41배에 해당하는 동작 전류에서 측정된 레이징 중심 파장은 1.561um로 나타남을 확인하였다.
Anti-Reflective (AR) thin film coatings of $SiO_2$ (n= 1.48) and $TiO_2$ (n=2.17) were deposited by ion-beam assisted deposition (IBAD) with End-Hall ion source and conventional electron beam (e-beam) evaporation to investigate the effect of deposition method on the refractive indicies (n) of the fIlms. Green-light generation using a GaAs laser diode was achieved via excitation of the second harmonic. The latter resulted from the transmission of the fundamental guided-mode wave of 1064 nm through periodically poled $LiNbO_3$. Large differences in the refractive indicies of each of the layers in the multilayer coating may improve AR performance. IBAD of $SiO_2$ reduced its refractive index from 1.45 to 1.34 at 1064 nm. Conversely, e-beam evaporation of $TiO_2$ increased its refractive index from 1.80 to 2.11. In addition, no fluctuations in absorption at the wavelength of 1064 nm were found. The results suggest that films prepared by different deposition methods can increase the effectiveness of multilayer AR coatings.
In this work, we report that crystallization speed as well as the electrical and optical properties about the N-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ thin films. The 200-nm-thick N-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ thin film was deposited on p-type (100) Si and glass substrate by RF reactive sputtering at room temperature. The amorphous-to-crystalline phase transformation of N-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ thin films investigated by X-ray diffraction (XRD). Changes in the optical transmittance of as-deposited and annealed films were measured using a UV-VIS-IR spectrophotometer and four-point probe was used to measure the sheet resistance of N-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ thin films annealed at different temperature. In addition, the surface morphology and roughness of the films were observed by Atomic Force Microscope (AFM). The crystalline speed of amorphous N-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ films were measured by using nano-pulse scanner with 658 nm laser diode (power : 1~17 mW, pulse duration: 10~460 ns). It was found that the crystalline speed of thin films are decreased by adding N and the crystalline temperature is higher. This means that N-dopant in $Ge_2Sb_2Te_5$ thin film plays a role to suppress amorphous-to-crystalline phase transformation.
NTC 써미스터를 내장시킨 소형의 열전 냉각 모듈을 제작하고 LD와 같은 광통신부품에 적용하기 위한 온도제어 및 항온유지 특성을 분석하였다 BiTe계 열전반도체 21쌍으로 구성된 열전 모듈은 크기 $7.2 mm{\times}9 mm{\times}2.2 mm$이고, 내장된 써미스터의 빠른 응답속도로 인해 정밀온도제어가 가능하다. 열전 모듈은 성능 지수(Z) $2.5{\times}10^{-3}$/K, 300 K에서 최대 온도차(${\Delta}T_{max}$) 72 K, 최대 흡열량($Q_{max}$) 2.2W 값을 나타내었으며 온도 제어 정밀도는 대기 중에서 ${\pm}0.1^{\circ}C$내였다. 이는 광통신 부품의 작동 환경 안정성을 확보할 수 있는 항온제어용 소형 열전 모듈로서 적용이 가능하다.
Cho, Kyungwon;Lee, Si Young;Chang, Beom-Seok;Um, Heung-Sik;Lee, Jae-Kwan
Journal of Periodontal and Implant Science
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제45권2호
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pp.38-45
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2015
Purpose: The purpose of this study was to evaluate the effect of photodynamic therapy (PDT) using erythrosine and a green light emitting diode (LED) light source on biofilms of Aggregatibacter actinomycetemcomitans attached to resorbable blasted media (RBM) and sandblasted, large-grit, acid-etched (SLA) titanium surfaces in vitro. Methods: RBM and SLA disks were subdivided into four groups, including one control group and three test groups (referred to as E0, E30, E60), in order to evaluate the effect of PDT on each surface. The E0 group was put into $500{\mu}L$ of $20{\mu}M$ erythrosine for 60 seconds without irradiation, the E30 group was put into erythrosine for 60 seconds and was then irradiated with a LED for 30 seconds, and the E60 group was put into erythrosine for 60 seconds and then irradiated with a LED for 60 seconds. After PDT, sonication was performed in order to detach the bacteria, the plates were incubated under anaerobic conditions on brucella blood agar plates for 72 hours at $37^{\circ}C$, and the number of colony-forming units (CFUs) was determined. Results: Significant differences were found between the control group and the E30 and E60 groups (P<0.05). A significantly lower quantity of CFU/mL was found in the E30 and E60 groups on both titanium disk surfaces. In confocal scanning laser microscopy images, increased bacterial death was observed when disks were irradiated for a longer period of time. Conclusions: These findings suggest that PDT using erythrosine and a green LED is effective in reducing the viability of A. actinomycetemcomitans attached to surface-modified titanium in vitro.
A fiber-optic reference signal transmission system, which transmits the 1.4 GHz reference signal from H-maser to receiver cabin in radio telescopes, was adopted for compensating the phase changes due to temperature variation and antenna movement. At the first experiment, the remote signal's phase changed more than 15 degrees at 1.4 GHz. We found unstable components in sub-system experiments and replaced them. The main cause of unstable phase stability was the unaligned polarization axis between Laser Diode and Mach-Zehnder Modulator (MZM). The improved system stability showed $1{\times}10^{-16}$ allan standard deviation at 1,000 sec integration time with the antenna fixed. When the antenna moves in the azimuth axis, the 1.4 GHz remote signal showed the phase change smaller than 0.2 degrees.
We report several experimental data capable of evaluating the amorphous-to-crystalline (a-c) phase transformation in $(Ag)_x(Ge_2Sb_2Te_5)_{1-x}$ (x = 0, 0.05, 0.1) thin films prepared by a thermal evaporation. The isothermal a-c structural phase changes were evaluated by XRD, and the optical transmittance was measured in the wavelength range of $800{\sim}3000$ nm using a UV-vis-IR spectrophotometer. A speed of the a-c transition was evaluated by detecting the reflection response signals using a nano-pulse scanner with 658 nm laser diode (power P = $1{\sim}17$ mW, pulse duration t = $10{\sim}460$ ns). The surface morphology and roughness of the films were imaged by AFM. It was found that the crystallization speed was so enhanced with an increase of Ag content. While the sheet resistance of c-phase $(Ag)_x(Ge_2Sb_2Te_5)_{1-x}$ was similar to that of c-phase $Ge_2Sb_2Te_5$ (i.e., $R_c{\sim}10{\Omega}/{\square}$), the sheet resistance of a-phase $(Ag)_x(Ge_2Sb_2Te_5)_{1-x}$ was found to be lager than that of a-phase $Ge_2Sb_2Te_5$, $R_a{\sim}5{\times}10^6{\Omega}{/\square}$. For example, the ratios of $R_a/R_c$ for $Ge_2Sb_2Te_5$ and $(Ag)_{0.1}(Ge_2Sb_2Te_5)_{0.9}$ were approximately $5{\times}10^5$ and $5{\times}10^6$, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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