Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD (대한전자공학회논문지SD)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

Lasing Characteristics of MQW Waveguide-type Depleted Optical Thristor Operating at 1.561um

1.561um에서 동작하는 MQW 도파로형 Depleted Optical Thyristor의 레이징 특성 분석

  • Choi Woon Kyung (of Optoelectronics and Optical Communications, Chung-Ang University) ;
  • Kim Doo-Gun (of Optoelectronics and Optical Communications, Chung-Ang University) ;
  • Choi Young-Wan (of Optoelectronics and Optical Communications, Chung-Ang University) ;
  • Lee Seok (shotonics vesearch center, KIST) ;
  • Woo Deok-Ha (shotonics vesearch center, KIST) ;
  • Kim Sun-Ho (shotonics vesearch center, KIST)
  • 최운경 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
  • 김두근 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
  • 최영완 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
  • 이석 (국과학기술원 광기술연구센터) ;
  • 우덕하 (한국과학기술원 광기술연구센터) ;
  • 김선호 (한국과학기술원 광기술연구센터)
  • Published : 2004.01.01
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

We present the first demonstration of waveguide-type depleted optical thyristor laser diode with InGaAs/InGaAsP multiple quantum well structure. The measured switching voltage and current are 4.63 V and 10uA respectively. The holding voltage and current are respectively 0.59 V, 20uA. The lasing threshold current at the temperature of $25^{\circ}C$ and $10^{\circ}C$ are 111 mAA and 72.5 mA, respectively. The lasing wavelength is centered at 1.561um at a bias current equal to 1.41 times threshold.

본 연구에서는 광통신 시스템에 응용할 수 있는 InGaAs/lnGaAsP 다중 양자 우물의 장파장용 완전 공핍 광 싸이리스터(depleted optical thyristor)를 제안하고, 도파로 형태로 소자를 제작하여, 최초로 레이징 특성을 측정 분석하였다. 먼저, 완전공핍 광 싸이리스터에 있어서 스위칭 전압과 전류는 각각 4.63 V 와 10uA로 측정되었고, 홀딩 전압(holding voltage)과 전류는 각각 0.59V, 20uA에서 그 특성이 나타났다. 또한, 레이징 되는 문턱 전류(threshold current)는 $25^{\circ}C$에서 111 mA, $10^{\circ}C$에서 72.5 mA로 각각 나타났으며, 문턱 전류의 약 1.41배에 해당하는 동작 전류에서 측정된 레이징 중심 파장은 1.561um로 나타남을 확인하였다.

Keywords

References

  1. K. Matsuda, H. Adachi, T. Chino, and J. Shibata, IEEE Electron Device Lett., vol. 11, pp. 442, 1990 https://doi.org/10.1109/55.62990
  2. P. A. Evaldsson, G. W. Taylor, P. W. Cooke, S. K. Sargood, P. A. Kiely, and D. P. Docter, IEEE Photon. Techol. Lett., vol. 5, pp. 634, 1994 https://doi.org/10.1109/68.219693
  3. C. W. Wilmsen, F. R. Beyette, Jr, X. An, S. A. Feld, and K. M. Geib, IEEE Quantum Electronics, vol. 29, pp. 769, 1993 https://doi.org/10.1109/3.199328
  4. J. Swoger and J. G. Simmons, IEEE Trans. Electron Device, vol. 40, pp. 107, 1993 https://doi.org/10.1109/16.214731
  5. M. Kuijk, P. L. Heremans, G. Borghs, and R. Vounckx, Appl. Phys. Lett., vol. 64, pp. 2073, 1994 https://doi.org/10.1063/1.111687
  6. D. G. Kim, J. J. Lee, Y. W. Choi, S. Lee, D. H. Woo, B. K. Kang, and S. H. Kim, Electron. Lett, vol. 36, pp. 348, 2000 https://doi.org/10.1049/el:20000274
  7. J. H. Swoger, C. Qiu, J. G. Simmons, D. A. Thompson, F. Shepherd, D. Beckett, and M. Cleroux, IEEE Photon. Techol. Lett., vol. 6, pp. 927, 1994 https://doi.org/10.1109/68.313054
  8. D. G. Kim, J. J. Lee, Y. W. Choi, S. Lee, B. K. Kang, S. H. Kim, N. Futakuchi, and Y. Nakano, IEEE Photon. Technol. Lett, vol. 12, pp. 1219, 2000 https://doi.org/10.1109/68.874241
  9. J. J. Lee, D. G. Kim, J. K. Choi, Y. W. Choi, S. Y. Han, S. Lee, S. H. Kim, Y. Nakano, and N. Futakuchi, in Proc. SPIE, 3944, 926, 2000 https://doi.org/10.1117/12.391406
  10. G. W. Taylor, P. R. Claisse, D. P. Doctor, and P. W. Cooke, IEEE Photon. Techol. Lett., vol. 4, pp. 823, 1992 https://doi.org/10.1109/68.149875