• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1979년도 하계 전자.전기연합학술발표회논문집
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• pp.160-161
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• 1979

The degradation of image due to the finite size of sensing device has been one of the problems to all of the digital imaging systems. The improvement of the spatial resolution has been attempted by "differential method" with fixed sensor size and finer sampling. The computer simulations were carried out for the cases of PLF system (Parallel Linear Fan-beam) and SR(Stationary Ring) system and the results are presented.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제19권3호
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• pp.21-30
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• 2012

Technology trend and application of laser fuse, anti-fuse, and eFUSE as well as the structure, programming mechanism, and reliability of eFUSE have been reviewed. In order to ensure eFUSE reliability in the field, a sensing circuit trip point consistent with the fuse resistance distribution, process variation, and device degradation in the circuit such as hot carrier or NBTI, as well as fuse resistance reliability must be considered to optimize and define a reliable fuse programming window.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.365-368
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• 2002

WSW(Wrap Side Wall) is proposed to decrease junction electric field in this paper. WSW process is fabricated after first gate etch, followed NMI ion implantation and deposition & etch nitride layer New WSW structure has buffer layer to decrease electric field. Also we compared the hot carrier characteristics of WSW and conventional. Also, we design a test pattern including pulse generator, level shifter and frequency divider, so that we can evaluate AC hot carrier degradation on-chip.

• 대한전자공학회논문지
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• 제15권4호
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• pp.26-32
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• 1978

실리콘 태양전지의 수명을 예측하기 위하여 1 MeV electron radiation으로 인한 실리콘 손상을 조사 연구하였다. 그 결과 흑형 실리콘에 있어서는 거의 안정상태의 손상에 이르렀음을 보았다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
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• pp.515-518
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• 2002

In this paper, we demonstrate the impact of oxide interface-state on low temperature poly-Si TFTs. The TFTs with interface-state exhibit poor performance and serious degradation under hot carrier and gate bias stress. Our results indicate that the worse oxide integrity cause initial characteristic shift and device instability.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2000년도 제1회 학술대회 논문집
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• pp.67-68
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• 2000

Polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFT's) employing vertical amorphous silicon (a-Si) offsets have been fabricated without additional photolithography processes. The a-Si offset has been formed utilizing the poly-Si grain growth blocking effect by thin native oxide film during the excimer laser recrystallization of a-Si. The ON current degradation of the new device after 4 hour's electrical stress was reduced by 5 times compared with conventional poly-Si TFT's.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1995년도 광학 및 양자전자학 워크샵 논문집
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• pp.210-215
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• 1995

Technology development toward the use of LiNbO3-based acoustic tunable filters as WDM 2$\times$2 cross-connect switches is reviewed. Recenly, it was found that a fundamental behavior of multi-wavelength Bragg scattering critically affects the crosstalk performance of the acousto-optic tunable filter. We revuew serveral reported methods of overcoming the performance degradation. We will eventually ask whether the device is up to task of WDM optical switching.

• 전기화학회지
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• 제10권2호
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• pp.126-131
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• 2007

[ $Li_+$ ]를 기반으로 하는 비수용액 전해질에서 Prussian blue가 degradation이 없이 구동할 수 있도록 소재를 design하고 제조하여 전기화학적 변색특성을 연구하였다. Prussian blue는 ITO가 코팅되어 있는 유리판위에 일정전류-전착법으로 코팅을 했고, 이 때 사용된 코팅 용액은 $FeCl_3,\;K_3Fe(CN)_6$을 deionized water에 녹이고, HCl, KCl, LiCl을 각각 넣었다. 전기화학적 변색특성을 비교하기 위해 continuous와 pulse potential cycle 하는 동안 transmittance 변화를 in-situ He-Ne laser를 이용하여 측정하였고, electroactive layer thickness를 통해 degradation된 정도를 실험하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권8호
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• pp.1-8
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• 2004

두께가 3nm인 게이트 산화막을 사용한 n-MOSFET에 정전압 스트레스를 가하였을 때 관찰되는 SILC 및 soft breakdown 열화 및 이러한 열화가 소자 특성에 미치는 영향에 대해 실험하였다. 열화 현상은 인가되는 게이트 전압의 극성에 따라 그 특성이 다르게 나타났다. 게이트 전압이 (-)일 때 열화는 계면 및 산화막내 전하 결함에 의해 발생되었지만, 게이트 전압이 (＋)일 때는 열화는 주로 계면 결함에 의해 발생되었다. 또한 이러한 결함의 생성은 Si-H 결합의 파괴에 의해 발생할 수 있다는 것을 중수소 열처리 및 추가 수소 열처리 실험으로부터 발견하였다. OFF 전류 및 여러 가지 MOSFET의 전기적 특성의 변화는 관찰된 결함 전하(charge-trapping)의 생성과 직접적인 관련이 있다. 그러므로 실험 결과들로부터 게이트 산화막으로 터널링되는 전자나 정공에 의한 Si 및 O의 결합 파괴가 게이트 산화막 열화의 원인이 된다고 판단된다. 이러한 물리적 해석은 기존의 Anode-Hole Injection 모델과 Hydrogen-Released 모델의 내용을 모두 포함하게 된다.

• 한국항행학회논문지
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• 제3권2호
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• pp.174-184
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• 1999

본 연구는 소자의 S-파라미터로 부터 소스측과 부하측에 최소 직렬 안정화 저항 값 및 최소 병렬 안정화 컨덕턴스를 계산하는 수식을 유도하여, 안정도를 유지하면서 최대 가용 이득의 손실을 최소화하기 위한 설계 방법을 제시하였다. 1.9 GHz 대역에서 사용되는 KGF1254B 트랜지스터에 일반적으로 사용되고 있는 단순한 안정화 회로를 적용하였을 때는 최대 가용 이득이 5.2 dB 감소되나 본 논문의 방법을 적용함으로써 1 dB 감소만으로도 회로를 안정화시킬 수 있었다.