We have developed a cardiac cell model (Kyoto Model) for the sinoatrial node and ventricle, which is composed of a common set of kinetic equations of membrane ionic currents, Ca$\^$2+/dynamics of sarcoplasmic reticulum and contractile protein. To expand this model by including metabolic pathways, the intracellular ATP metabolism, which is pivotal in cardiac excitation - contraction coupling, was incorporated. ATP consumption by the sarcolemmal Na$\^$+/ pump and the Ca pump in the sarcoplasmic reticulum were calculated with stoichiometry of 3Na:2K:1ATP and 2Ca:1ATP, respectively. ATP consumption by contraction was estimated according to experimental data. Dependence of contraction on ATP and inorganic phosphate was modeled, based on data of skinned cardiac fiber. in production by mitochondrial oxidative phosphorylation was modified from Korzeniewski '||'&'||' Zoladz (2001), and creatine kinase and adenylate kinase reactions were incorporated. ATP dependence of ATP-sensitive K channel and L type Ca channel were also included.
EPON망은 중앙 기지국과 가입자들 사이에 광 액세스 라인을 저렴하게 제공할 수 있는 액세스 망 기술로 떠오르고 있다. 동적 대역 할당은 상향 채널의 효율적인 활용을 위해 ONU간 통계적 다중화를 제공한다. 본 논문에서는 EPON망에서 차등 CoS를 제공하기 위해 주기적 폴링을 기반으로 한 동적 대역 할당 방법을 제안한다. 더불어, Interleaved 폴링 방식에 기반한 동적 대역 할당 방안은 상향 트래픽 로드가 적은 경우 하향 채널의 용량을 대폭 감소시키는 단점을 가지고 있음을 보인다. 실제적인 시뮬레이션 결과를 얻기 위해 self-similarity와 long-range dependence 특성을 갖는 트래픽을 이용하였다. EPON망의 성능은 ONU에 제공되는 다양한 로드별로 분석하였으며, 특히 차등 CoS 특성 분석을 위해 등급별 패킷의 지연 특성을 분석하였다.
1980년대 후반 관계마케팅이 소개된 후로 많은 연구자들에 의해 관계의 질을 향상시킬 수 있는 방안을 찾으려는 노력들이 있었으나 B2C와 달리 B2B에서는 주로 분석적이고 인지적인 요인에 초점을 두었을 뿐, 구성원들의 정서적인 요인을 검토하려는 노력은 부족하였다. 또한 관계에서 발생하는 다양한 현상들을 충분히 이해하기 위해서는 관계를 유지하는 동기가 무엇인가를 알아야 할 필요가 있다. 이러한 필요성에 의해 본 연구는 통합모형을 사용하여 공급자 특유투자(인지요인)와 소매상의 정(감정요인), 의존도(동기요인)가 관계의 질과 관계성과에 어떤 영향력을 미치고 있는가를 검토하고자 하였다. 전국의 작물보호제 소매상으로부터 설문자료 272부를 수집하여 분석한 결과, 인지적 요인인 공급자 특유투자의 영향력이 가장 크게 나타났으며, 다음으로 정서적 요인인 정, 동기적 요인인 의존도의 순서로 나타났다. 또한 신뢰와 몰입은 협력행동과 장기지향성을 증가시키고 관계갈등을 감소시키는 효과가 있는 것으로 확인되었다. 이러한 결과에서 공급자는 관계의 질을 향상시키기 위해 특유투자를 증가시켜야 한다는 결론을 얻을 수 있다. 그러나 특유투자는 금전적인 자원을 필요로 하기 때문에 무한정 증가시킬 수 없다는 제약을 가지고 있다. 따라서 기업은 관계의 질을 향상시키는 유력한 변수로 밝혀진 정의 중요성을 인식하고 이를 잘 활용할 필요가 있다. 본 연구는 이론적인 측면에서 통합모형을 사용하여 관계의 질에 대한 각 선행요인들의 영향력을 포괄적으로 검토함과 동시에 B2B에서 최초로 한국인의 정을 실증하였다는 것에서 의의를 찾을 수 있다. 또한 실무적으로는 유통경로 구성원들의 관계 관리에 대한 새로운 방안을 제공하였다.
In this paper, we investigated the dependence of HCI (Hot Carrier Immunity) degradation and device performance on channel orientation in sub-micron PMOSFET. Although device performance ($I_{D.sat}$ vs. $I_{Off}$) was improved as the transistor angle increased HC immunity was degraded. Therefore, consideration of reliability characteristics as well as dc device performance is highly necessary in channel stress engineering of next generation CMOSFETs.
The stress induced leakage currents of thin silicon oxides is investigated in the VLSI implementation of a self learning neural network integrated circuits using a linearity synapse transistor. The channel current for the thickness dependence of stress current, transient current, and stress induced leakage currents has been measured in oxides with thicknesses between 41 ${\AA}$, 86${\AA}$, which have the channel width ${\times}$ length 10 ${\times}$1${\mu}$m, 10 ${\times}$0.3${\mu}$m respectively. The stress induced leakage currents will affect data retention in synapse transistors and the stress current, transient current is used to estimate to fundamental limitations on oxide thicknesses. The synapse transistor made by thin silicon oxides has represented the neural states and the manipulation which gaves unipolar weights. The weight value of synapse transistor was caused by the bias conditions. Excitatory state and inhitory state according to weighted values affected the channel current. The stress induced leakage currents affected excitatory state and inhitory state.
This paper presents the physiological signal processing CMOS one chip for transmitting human bodys small electrical signals such as electrocardiogram(EKG) or electromyogram(EMG) and the external system for receiving signals was implemented by the commercial ICs. For simultaneous four-subject four-channel telemetry, a new enfored synchronization techniqeu using infrared bi-directional communication has been proposed. The telemeter IC with the size of 5.1*5.1mm$^{2}$ has the following functions: receiving of command signal, initialization of internal state of all functional blocks, decoding of subject-selection signal, time multiplexing of 4-channel modulated physiological signals, transmitting of telemetry signal to external system and auto power down control. The newly designed synchronized oscillator with low supply voltage dependence in the telemeter IC operates at a supply voltage from 4.6~6.0V and the nonlinearity error of PIM modulator was less than 1.2%F.S(full scale). The power saving block operates at the period of 2.5ms even if the telemetry IC does not receive command signal from external system for a constant time.
A two-dimensional immiscible droplet deformation phenomena on moving wall in a channel has been investigated by using lattice Boltzmann method involving two-phase model. The dependence of the deformation of the droplet with different sizes on the contact angle and the velocity of bottom wall has studied. When the bottom wall starts to move, the deformation of the droplet occurs. For the largest bottom wall velocity, eventually, the deformation of the droplet is classified into the three patterns according to the contact angle.
대한전자공학회 2004년도 ICEIC The International Conference on Electronics Informations and Communications
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pp.209-212
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2004
In this paper, The stress induced leakage currents of thin silicon oxides is investigated in the nano scale structure implementation for Soc. The stress and transient currents associated with the on and off time of applied voltage were used to measure the distribution of high voltage stress induced traps in thin silicon oxide films. The stress and transient currents were due to the charging and discharging of traps generated by high stress voltage in the silicon oxides. The channel current for the thickness dependence of stress current, transient current, and stress induced leakage currents has been measured in oxides with thicknesses between $41\square\;and\;113.4\square,$ which have the channel width x length 10x1um, respectively. The stress induced leakage currents will affect data retention and the stress current, transient current is used to estimate to fundamental limitations on oxide thicknesses. The weight value of synapse transistor was caused by the bias conditions. Excitatory state and inhitory state according to weighted values affected the channel current. The stress induced leakage currents affected excitatory state and inhitory state.
본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이와 채널두께의 비에 따른 드레인 유도 장벽 감소 현상의 변화에 대하여 분석하고자한다. 드레인 전압이 소스 측 전위장벽에 영향을 미칠 정도로 단채널을 갖는 MOSFET에서 발생하는 중요한 이차효과인 드레인 유도 장벽 감소는 문턱전압의 이동 등 트랜지스터 특성에 심각한 영향을 미친다. 드레인 유도 장벽 감소현상을 분석하기 위하여 포아송방정식으로부터 급수형태의 전위분포를 유도하였으며 차단전류가 10-7 A/m일 경우 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상단게이트 전압을 문턱전압으로 정의하였다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 단채널 효과를 감소시키면서 채널길이 및 채널두께를 초소형화할 수 있는 장점이 있으므로 본 연구에서는 채널길이와 두께 비에 따라 드레인 유도 장벽 감소를 관찰하였다. 결과적으로 드레인 유도 장벽 감소현상은 단채널에서 크게 나타났으며 하단게이트 전압, 상하단 게이트 산화막 두께 그리고 채널도핑 농도 등에 따라 큰 영향을 받고 있다는 것을 알 수 있었다.
매몰 산화층 밑의 실리콘 기판에 자기정렬 방법으로 ground plane 전극을 만든 SOI MOSFET의 단채널 현상과 Punchthrough 특성을 측정·분석하였다. 채널 길이가 $0.2{\mu}m$ 이하의 소자에서는 GP-SOI 소자가 FD-SOI 소자보다 채널 길이에 따른 문턱전압 저하 및 subthreshold swing이 작고 DIBL 현상이 크게 개선됨을 알 수 있었다. 기판전압에 따른 문턱전압 특성으로부터 GP-SOI 소자의 body factor가 FD-SOI 소자보다 큰 것을 알 수 있었다. 그리고 punchthrough 전압 특성으로부터 GP-SOI 소자의 punchthrough 전압이 FD-SOI 소자보다 큰 것을 알 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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