• 한국진공학회지
• /
• 제9권4호
• /
• pp.328-334
• /
• 2000

ECR-PECVD 방법을 이용하여 ECR power, $CH_4/H_2$ 가스 혼합비와 유량, 증착시간을 고정시켜놓고 기판 bias 전압을 변화 시켜가면서 DLC 박막을 제작하였고, 제작된 박막의 두께, Raman과 FTIR 스펙트럼 그리고 미소경도 등을 측정 및 분석하여 기판 bias전압에 따른 이온충돌이 박막의 특성 변화에 미치는 영향을 조사하였다. FTIR 분석 결과로부터 기판 bias 전압을 증가시킬수록 이온충돌 현상이 두드러져 탄소와 결합하고 있던 수소원자들의 탈수소화 현상을 확인할 수 있었고, 박막의 두께는 bias 전압을 증가시킬수록 감소되었다. 그리고 Raman 스펙트럼으로부터 Gaussian curve fitting을 통하여 $sp^3$/$sp^2$의 결합수에 비례하는 D와 G peak의 면적 강도비(ID/IG)는 기판 bias 전압을 증가시킬수록 증가하였고, 또한 경도도 증가하였다. 이 결과로부터 본 연구에서 제작된 수소를 함유한 비정질 탄소 박막은 기판 bias 전압의 크기를 증가시킬수록 DLC 특성이 더 향상됨을 알 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
• /
• pp.489-492
• /
• 1999

The effects of alternate bias stress on p-channel poly-Si TPT's has been systematically investigated. It has been shown that the application of alternate bias stress affects device degradation for the negative bias stress as well as device improvement for the positive bias stress. This effects have been related to the hot carrier injection into the gate oxide rather than the generation of defect states within the poly-Si/SiO$_2$ under bias stress.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
• /
• pp.953-956
• /
• 2009

We have investigated the effect of light on amorphous silicon thin film transistors based photo-sensor applications. We have analyzed the instability caused by electrical gate bias stresses under the light illumination and the effect of photo-induced quasi-annealing on the instability. Threshold voltage ($V_{TH}$) under the negative gate bias stress with light illumination was more decreased than that under the negative gate bias stress without light illumination even though $V_{TH}$ caused by the light-induced stress without negative gate bias was shifted positively. These results are because the increase of carrier density in a channel region caused by the light illumination has the enhanced effect on the instability caused by negative gate bias stress. The prolonged light illumination led to the recovery of shifted VTH caused by negative gate bias stress under the light illumination due to the recombination of trapped hole charges.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제27권4호
• /
• pp.418-424
• /
• 2023

본 연구에서는 더블게이트 실리콘 나노시트 (SiNS) 피드백 전계효과 트랜지스터(FBFET)의 전기적 특성에 열처리가 미치는 영향을 분석하였다. 1000 초 동안 바이어스 스트레스를 인가했을 때 더블게이트 SiNS FBFET는 inversion layer의 전자에 의한 계면 트랩의 증가로 인해 채널 모드와 무관하게 negative bias stress 보다는 positive bias stress의 영향을 더 많이 받았다. 300 ℃에서 10 분 동안 열처리를 진행한 이후 소자는 원래의 특성을 완전히 회복하였으며 다시 1000 초 동안 바이어스 스트레스를 인가해도 특성이 변하지 않았다.

• 한국과학교육학회지
• /
• 제36권6호
• /
• pp.935-946
• /
• 2016

이 연구의 목적은 과학교육과 관련된 인지편향을 확인하고 과학교육을 통하여 인지편향을 줄일 수 있는 방법을 확인하기 위하여 계획되었다. 문헌조사를 통하여 연구되어진 인지편향을 수집하였고, 과학학습의 관련성이 높은 인지편향을 과학교육전문가와의 토론을 통하여 추출하였다. 연구 결과 합리적 인과관계추론을 방해하는 인지편향, 다양한 정보와 결론 생성을 방해하는 인지편향, 자기반성적 학습을 방해하는 인지편향, 자기 주도적 의사결정을 방해하는 인지편향, 범주 제한적 사고를 조장하는 인지편향의 다섯 가지로 분류하였고, 총 29개의 인지편향들을 조사하였다. 합리적 인과관계추론의 방해하는 인지편향은 목적론적 사고, 가용성 편향, 착각적 상관, 클러스터 착각이었다. 문제해결에서 다양한 정보의 탐색을 방해하는 인지편향은 선택적 지각, 실험자 편향, 확증편향, 단순 사고 효과, 주의 편향, 신념편향, 실용 오류, 기능적 고착, 틀 효과가 있었다. 자기반성적 학습을 방해하는 인지편향은 과도한 자신감 편향, 우월성 편향, 계획 오류, 기본적 귀인 오류, 더닝-크루거 효과, 사후확신편향, 맹점편향을 확인하였다. 자기 주도적 의사결정을 방해하는 인지편향은 동조효과, 편승효과, 집단사고, 권위에 호소, 정보편향이 있다. 마지막으로 범주 제한적 사고를 조장하는 인지편향으로는 심리학적 본질주의, 고정관념, 의인화, 외집단 동질성 편향이 있었다. 연구된 인지편향에 대한 심리학적 특징들과 과학교수-학습방법들을 토대로 인지편향을 줄이고 역량을 향상시킬 수 있는 수업 방법에 대해서 논의한다.

• Asia Marketing Journal
• /
• 제26권1호
• /
• pp.23-30
• /
• 2024

Firms often engage in manipulating online reviews as a promotional activity to influence consumers' evaluation on their products. With the prevalence of the promotional activities, consumers may notice and discount the reviews generated by the promotional activities. Discounting the firm-generating reviews may cause systematic measurement errors in the valence variable and lead to a negative bias when estimating the effect of consumers' organic reviews on demand. To correct the bias, this study proposes including product-specific bias-correction terms representing the proportion of extreme reviews in analysis. For illustration, the proposed method is applied to a demand model for data of movies released in South Korea. The results confirm a negative bias in the estimate of the valence sensitivity of demand. The negative bias potentially leads to an underestimation of the magnitude of the contagion effect through social interactions, a key component of evaluating the value of a satisfied consumer.

• 지식경영연구
• /
• 제22권1호
• /
• pp.155-181
• /
• 2021

본 연구는 리더의 마키아벨리즘(machiavellianism)과 구성원 이직의도(turnover intention)간의 상관관계를 검증하는데 목적이 있다. 이를 위해 후견지명(hindsight bias)의 매개효과를 통해 연구모델의 전반적인 메커니즘을 규명하고자 하였다. 가설검증을 위하여 다양한 직종의 300인 이상 기업에 근무 중인 직장인 335명을 대상으로 설문을 진행하였다. 연구결과 첫째, 리더의 마키아벨리즘은 구성원 이직의도에 정(+)의 유의미한 영향을 미치는 것으로 나타났다. 둘째, 후견지명은 리더의 마키아벨리즘과 구성원 이직의도 간에 정(+)의 유의미한 매개효과가 있는 것으로 나타났다. 이는 리더의 마키아벨리즘 성향이 높을수록 후견지명을 높게 경험하고 조직의 유효성에 부정적인 영향을 주어 구성원의 이직의도가 높아지는 것으로 추론해 볼 수 있다. 따라서 본 연구는 리더의 마키아벨리즘과 후견지명 및 구성원 이직의도 간의 메커니즘을 검증하여 기존 연구의 내용과 차별적인 관점에서 새로운 시사점을 제시하고 리더의 역할에 대한 향후 연구방향 및 한계점을 제시하였다.

• 한국방재학회:학술대회논문집
• /
• 한국방재학회 2009년도 정기 학술발표대회
• /
• pp.100.2-100.2
• /
• 2009

• 한국심리학회지:학교
• /
• 제16권2호
• /
• pp.207-230
• /
• 2019

본 연구는 범불안 성향의 대학생을 대상으로 주의편향 및 범불안 증상에 대한 주의 피드백 인식 및 조절 훈련의 효과를 확인하였다. 범불안장애 척도(GAD-7) 10점 이상 또는 펜실베니아 걱정 질문지 척도(K-PSWQ) 56점 이상이며, 주의편향을 나타내는 범불안 성향의 대학생 31명을 선발하여 주의 피드백 인식 및 조절 훈련(Attention Feedback Awareness and Control Training, A-FACT) 집단(n = 11), 주의편향수정(Attention Bias Modification, ABM) 집단(n = 10) 및 활성 위약 통제(Active Placebo Control, APC) 집단(n = 10)에 무선할당하였다. A-FACT 집단은 탐침탐사과제를 이용한 주의편향수정 훈련 시, 개인의 기저반응시간(Baseline Neutral Response time, BNR)을 기준으로 편향 여부에 대한 피드백을 실시간으로 제공받았다. ABM 집단은 기존 ABM 절차와 동일하며, APC 집단은 주의편향을 감소시키기 위한 프로그램이라는 안내는 주어지지만 피드백이 주어지지 않는 탐침탐사과제를 실시하였다. 총 8회기로 구성되어, 주 2회로 4주간 진행되었다. 주의편향수정 훈련의 효과는 주의편향점수(Attention Bias Score, ABS)와 GAD-7, K-PSWQ 및 상태 및 특성 불안 검사(K-STAI) 점수 변화로 평가하였다. 반복측정 변량분석 결과, A-FACT 집단은 ABM 집단과 APC 집단에 비해 ABS가 유의하게 감소하였으며, GAD-7, K-PSWQ 및 K-STAI 점수도 유의하게 감소하였다. 이는 주의편향수정 훈련 시 편향에 대한 피드백을 통해 편향의 여부를 인식시키고 이를 통한 주의의 자기 조절적 통제가 주의편향 및 범불안장애 증상 경감에 효과적일 가능성을 시사한다.

• 한국위성정보통신학회논문지
• /
• 제12권4호
• /
• pp.115-119
• /
• 2017

상호변조왜곡은 원신호의 S/N도 악화시키고 인접채널에도 간섭 영향을 미친다. 상호변조왜곡은 전력증폭기의 비선형 특성에 의해서 주로 발생된다. 비선형 특성을 갖는 전력증폭기가 메모리 효과를 갖는다면 전력증폭기에서 발생되는 상호변조왜곡은 다양하고 복잡한 형태로 발생된다. 상호변조왜곡을 개선하는 방법으로 전치왜곡기가 주로 사용된다. 전치왜곡기의 성능을 충분하게 활용하기 위해서는 전력증폭기가 갖는 메모리 효과를 줄여야 한다. 본 논문에서는 전력증폭기에서 발생하는 메모리 효과를 줄이기 위한 바이어스 회로의 설계 방법에 대해서 기술하였다. 메모리 효과를 줄이기 위해서 바이어스 회로는 신호에 대해서는 높은 임피던스를 가져야 하며, 포락선(변조신호)에 대해서는 낮은 임피던스를 가져야 한다. 더불어 신호의 2차 고조파에 대해서도 낮은 임피던스를 가져야 한다. 메모리 효과를 고려해서 설계한 바이어스 회로의 성능을 확인해 보기 위해서 170 ~ 220MHz에서 동작하는 전력증폭기를 설계 및 구현하였다. 전력증폭기에 적용한 바이어스 회로는 동작주파수 대역에서 큰 임피던스를 가지며, 포락선 신호와 신호의 2차 고조파에서는 낮은 임피던스를 갖는다. 성능 측정결과 비대칭적으로 발생되는 상호변조왜곡 성분이 3.7dB 개선됨을 알 수 있었다.