The future neuro-prosthetic devices would be required spikes data monitoring through sub-nanoscale transistors that enables to neuroscientists and clinicals for scalable, wireless and implantable applications. This research investigates the spikes monitoring through integrated CNT front-end amplifier for neuro-prosthetic diagnosis. The proposed carbon nanotube-based architecture consists of front-end amplifier (FEA), integrate fire neuron and pseudo resistor technique that observed high electrical performance through neural activity. A pseudo resistor technique ensures large input impedance for integrated FEA by compensating the input leakage current. While carbon nanotube based FEA provides low-voltage operation with directly impacts on the power consumption and also give detector size that demonstrates fidelity of the neural signals. The observed neural activity shows amplitude of spiking in terms of action potential up to $80{\mu}V$ while local field potentials up to 40 mV by using proposed architecture. This fully integrated architecture is implemented in Analog cadence virtuoso using design kit of CNT process. The fabricated chip consumes less power consumption of $2{\mu}W$ under the supply voltage of 0.7 V. The experimental and simulated results of the integrated FEA achieves $60G{\Omega}$ of input impedance and input referred noise of $8.5nv/{\sqrt{Hz}}$ over the wide bandwidth. Moreover, measured gain of the amplifier achieves 75 dB midband from range of 1 KHz to 35 KHz. The proposed research provides refreshing neural recording data through nanotube integrated circuit and which could be beneficial for the next generation neuroscientists.
Journal of electromagnetic engineering and science
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v.17
no.3
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pp.138-146
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2017
A phase-locked dielectric resonator oscillator (PLDRO) is an essential component of millimeter-wave communication, in which phase noise is critical for satisfactory performance. The general structure of a PLDRO typically includes a dual loop of digital phase-locked loop (PLL) and analog PLL. A dual-loop PLDRO structure is generally used. The digital PLL generates an internal voltage controlled crystal oscillator (VCXO) frequency locked to an external reference frequency, and the analog PLL loop generates a DRO frequency locked to an internal VCXO frequency. A dual loop is used to ease the phase-locked frequency by using an internal VCXO. However, some of the output frequencies in each PLL structure worsen the phase noise because of the N divider ratio increase in the digital phase-locked loop integrated circuit. This study examines the design aspects of an interconnected PLL structure. In the proposed structure, the voltage tuning; which uses a varactor diode for the phase tracking of VCXO to match with the external reference) port of the VCXO in the digital PLL is controlled by one output port of the frequency divider in the analog PLL. We compare the proposed scheme with a typical PLDRO in terms of phase noise to show that the proposed structure has no performance degradation.
As most of the powerline modems use spread spectrum modulation method which has strong immunity against the narrowband fading, or psk modulation method, the amplitude of the signal contains no useful informations. In this paper, we used class D amplifier to implement the drive circuit of the analog front end, and showed that it has great superiority over other existing drive circuits in rapidly impedance changing powerline channel.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.11
no.4
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pp.238-246
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2011
A 3-5 GHz UWB radar chip in 0.13 ${\mu}m$ CMOS process is presented in this paper. The UWB radar transceiver for surveillance and biometric applications adopts the equivalent time sampling architecture and 4-channel time interleaved samplers to relax the impractical sampling frequency and enhance the overall scanning time. The RF front end (RFFE) includes the wideband LNA and 4-way RF power splitter, and the analog signal processing part consists of the high speed track & hold (T&H) / sample & hold (S&H) and integrator. The interleaved timing clocks are generated using a delay locked loop. The UWB transmitter employs the digitally synthesized topology. The measured NF of RFFE is 9.5 dB in 3-5 GHz. And DLL timing resolution is 50 ps. The measured spectrum of UWB transmitter shows the center frequency within 3-5 GHz satisfying the FCC spectrum mask. The power consumption of receiver and transmitter are 106.5 mW and 57 mW at 1.5 V supply, respectively.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.12
no.1
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pp.130-136
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2008
This paper describes a low-power high-performance analog front-end block for $UHF(860{\sim}960MHz)$ band RFID tag chips. It satisfies ISO/IEC 18000-6 type C(EPCgolbal class1. generation2.) and includes a memory block for test. For reducing power consumption, it operates with a internally generated power supply of 1V. An ASK demodulator using a current-mode schmitt trigger is proposed and designed. The proposed demodulator has an error rate as low as 0.014%. It is designed using a 0.18um CMOS technology. The simulation results show that the designed circuit can operate properly with an input as low as $0.2V_{peak}$ and consumes $2.63{\mu}A$. The chip size is $0.12mm^2$
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.51
no.6
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pp.261-268
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2014
This paper presents a electrocardiogram(ECG), electromyogram(EMG), and Photoplethysmography(PPG) signal wireless monitoring system based on Bluetooth Low Energy (BLE). ECG and EMG sensor interface analog front-end circuits are designed by using off-the-shelf parts. Texas Instruments(TI)'s CC2540DK is used for BLE-based communication. Two CC2540DK modules are used as Peripheral and Central nodes. In peripheral device, vital signals are acquired by the analog front-ends and fed to ADC for analog-to-digital conversion. The peripheral transmitts the data through the air to the central device. The central device receive the data and sends them to PC using UART. GUI is designed using Labview for displaying the acquired vital signals. The developed system can be used for future ubiquitous wireless healthcare system based on bluetooth 4.0.
This paper introduce a millimeter-wave radar system. As Fig 1 shows, This system consists of millimeter-wave radar front-end and digital signal processing parts through receive waves regarding up-coming obstacles. The system works as follow process; (1) Generate regular tripodal waves using the FMCW pulse generator (2) Transmit/Receive waves regarding up-coming obstacles (3) Analog filtering (4) FIFO memory interface (5) FFT(Fast Fourier Transform) (6) Calculation of distance / speed between cars (7) Object display and calibration. We have progress to solve the problem like as increase of traffic accidents causing damage and injuries due to the increased number of motor vehicles and long distance driving, and Need for a device to help drivers who are in trouble due to bad weather conditions. We are expect to Take the lead as a core technology in the ITS industry and to develop circuit and signal processing technologies related to millimeter-wave bandwidth.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.38
no.4
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pp.11-17
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2001
In this paper, we propose a polarity decision carrier recovery algorithm for high order QAM(Quadrature Amplitude Modulation), which has robust and large frequency acquisition performance in the high order QAM modem. The proposed polarity decision PD(Phase Detector) output and its variance characteristic are mathematically derived and the simulation results are compared with conventional DD(Decision-Directed) method. While the conventional DD algorithm has linear range of $3.5^{\circ}{\sim}3.5^{\circ}$, the proposed polarity decision PD algorithm has linear range as large as $-36^{\circ}{\sim}36^{\circ}$ at ${\gamma}-17.9$. The conventional DD algorithm can only acquire offsets less than ${\pm}10\;KHz$ in the case of the 256 QAM while an analog front-end circuit generally can reduce the carrier-frequency offset down to only ${\pm}100\;KHz$. Thus, in this case additional AFC or phase detection circuit for carrier recovery is required. But by adopting the proposed polarity decision algorithm, we can find the system can acquire up to ${\pm}300\;KHz$at SNR = 30dB without aided circuit.
In this paper, it is proposed to a new architecture of CMOS IADC(Current-Mode Analog-to-Digital Converter) using 1.5-bit bit cell of which consists a CSH(Current-Mode Sample-and-Hold) and CCMP(Current-Mode Comparator). In order to guarantee the entire linearity of IADC, the CSH is designed to cancel CFT(Clock Feedthrough) whose resolution is to meet at the least 9-bit which is placed in the front-end of each bit cell. In the proposed IADC, digital correction logic is simplified and power consumption is reduced because bit cell of each stage needs two latch CCMP. Also, it is available for a mixed-mode integrated circuit because all of block is designed with only MOS transistor. With the HYUNDAI 0.8㎛ CMOS parameter, the HSPICE simulation results show that the proposed IADC can be operated at 20Ms/s with SNR of 43 dB with which is satisfied 7-bit resolution for input signal at 100 ㎑, and its power consumption is 27㎽.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.44
no.1
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pp.68-75
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2007
A single chip NFC transceiver supporting not only NFC active and passive mode but also 13.56MHz RFID reader and tag mode was designed and fabricated. The proposed NFC transceiver can operate as a RFID tag even without external power supply which has dual antenna structure for initiator and target. The area increment due to additional target antenna is negligible because the target antenna is constructed by using a shielding layer of initiator antenna. The analog front end circuit of the proposed NFC transceiver consists of a transmitter and receiver of reader/writer block supporting NFC initiator or RFID reader mode, and a tag circuit for target of passive NFC mode or RFID tag mode. The maximum baud rate of the proposed NFC device is 212kbps by using UART serial interface. The chip has been designed and fabricated using a Magnachip's $0.35{\mu}m$ double poly 4-metal CMOS process, and the effective area of the chip is 2200um by 3600um.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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