• 제목/요약/키워드: amplifiers

검색결과 731건 처리시간 0.028초

RF 전력증폭기용 고성능 실리콘 LDMOSFET (High Performance Silicon LDMOSFET for RF Power Amplifiers)

  • 신창희;김진호;권오경
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
    • /
    • 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
    • /
    • pp.695-698
    • /
    • 2003
  • This paper presents a Si power LDMOSFET for power amplifiers in the 1.8-2.2GHz frequency range for the base station of personal communication systems. To improve the cut-off frequency, the proposed Si power LDMOSFET has small gate to drain capacitance by shielding the electric fields with extended source electrode and forming the field oxide structure in drain region. The proposed Si power LDMOSFET can be used for a power amplifier and it has 32% of power added efficiency and 39.5dBm of output power when the supply voltage is 28V and the operating frequency is 1.9GHz.

  • PDF

IMT-2000용 대전력 증폭기의 설계 및 제작 (Design and Fabrication of Power Amplifiers for IMT-2000)

  • 박천석;정성찬
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
    • /
    • 대한전자공학회 1999년도 추계종합학술대회 논문집
    • /
    • pp.135-138
    • /
    • 1999
  • In this paper, we designed each matching networks by given input and output impedances of power amplifiers. Mearsured results for IMD and gain flatness are -30㏈c and $\pm$0.2㏈ with 38㏈m output power PEP of PTE10119 at 2.10-2.20㎓ and are -30㏈c and $\pm$0.4㏈ with 42㏈m output power PEP of MRF284 at same frequency range.

  • PDF

고정밀 CMOS sample-and-hold 증폭기 설계 기법 및 성능 비교 (The design of high-accuracy CMOS sampel-and-hold amplifiers)

  • 최희철;장동영;이성훈;이승훈
    • 전자공학회논문지A
    • /
    • 제33A권6호
    • /
    • pp.239-247
    • /
    • 1996
  • The accuracy of sample-and-hold amplifiers (SHA's) empolying a CMOS process in limited by nonideal factors such as linearity errors of an op amp and feedthrough errors of switches. In this work, after some linearity improvement techniques for an op amp are discussed, three different SHA's for video signal processing are designed, simulated, and compared. The CMOS SHA design techniques with a 12-bit level accuracy are proposed by minimizing cirucit errors based on the simulated results.

  • PDF

A New Approach for Built-in Self-Test of 4.5 to 5.5 GHz Low-Noise Amplifiers

  • Ryu, Jee-Youl;Noh, Seok-Ho
    • ETRI Journal
    • /
    • 제28권3호
    • /
    • pp.355-363
    • /
    • 2006
  • This paper presents a low-cost RF parameter estimation technique using a new RF built-in self-test (BIST) circuit and efficient DC measurement for 4.5 to 5.5 GHz low noise amplifiers (LNAs). The BIST circuit measures gain, noise figure, input impedance, and input return loss for an LNA. The BIST circuit is designed using $0.18\;{\mu}m$ SiGe technology. The test technique utilizes input impedance matching and output DC voltage measurements. The technique is simple and inexpensive.

  • PDF

이득과 반사계수를 고려한 마이크로파 증폭기용 유손실 중간단 정합회로 설계 (Design of Lossy Interstage Network for Microwave Amplifiers Considering Gain and Reflection Coefficients)

  • 구경헌;이충웅
    • 대한전자공학회논문지
    • /
    • 제26권12호
    • /
    • pp.1940-1946
    • /
    • 1989
  • A design method of lossy interstage networks for broadband microwave amplifiers is presented. A lossy interstage network is assumed as the combination of two lossless networks between which a lossy serial impedance or a lossy parallel admittance is inserted. For the circuit with two transistors and a lossy element, realizable ranges of gain and reflection coefficients are derived. And the relationships between gain and reflection coefficients are derived. Illustrative examples are presented by using the proposed method.

  • PDF

Hot electron에 의한 CMOS 차동증폭기의 압력 offset 전압 모델링 (Hot Electron Induced Input offset Voltage Modeling in CMOS Differential Amplifiers)

  • Jong Tae Park
    • 전자공학회논문지A
    • /
    • 제29A권7호
    • /
    • pp.82-88
    • /
    • 1992
  • This paper presents one of the first comprehensive studies of how hot electron degradation impacts the input offset voltage of a CMOS differential amplifiers. This study utilizes the concept of a virtual source-coupled MOSFET pair in order to evaluate offset voltaged egradation directly from individual device measurement. Next, analytical models are developed to describe the offset voltage degradation. These models are used to examine how hot electron induced offset voltage is affected with the device parameters.

  • PDF

색소레이저의 다단 증폭 및 SHG 특성 (Characteristics of multi-stage dye laser amplification and Second Harmonic Generation)

  • 이영우
    • 한국정보통신학회논문지
    • /
    • 제8권4호
    • /
    • pp.946-949
    • /
    • 2004
  • 분포궤환 색소레이저(DFDL: Distributed feedback Dye Laser)로부터 80 uJ의 단일 극초단 펄스를 얻고, 이를 2단의 증폭기와 betune cell에 의한 다단 증폭으로 높은 출력을 얻은 후 BBO를 사용, 자외선 영역의 제 2고조파를 얻었다.

Distributed Feedback Dye Laser의 3단 증폭특성 (Three stage amplification of Distributed Feedback Dye Laser)

  • 이영우
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국해양정보통신학회 2004년도 춘계종합학술대회
    • /
    • pp.339-341
    • /
    • 2004
  • Self Q-switching에 의한 분포궤환 색소레이저(DFDL: Distributed Feedback Dye Laser)로부터 80uJ의 단일 극초단 펄스를 얻고, 이를 2단의 증폭기와 betune cell에 의한 3단 증폭으로 높은 출력을 얻은 후 BBO를 사용, 자외선 영역의 제 2고조파를 얻었다.

  • PDF

피드백 구조를 갖는 광대역 캐스코드 증폭기의 설계 (Design of Wideband Cascode Amplifiers Using a Feedback Structure)

  • 이재훈;임종식
    • 한국산학기술학회논문지
    • /
    • 제16권1호
    • /
    • pp.720-725
    • /
    • 2015
  • 본 연구에서는 초고주파 대역 소신호 트랜지스터를 이용하여 광대역 특성을 갖는 캐스코드 증폭기의 설계에 대하여 기술한다. 캐스코드 구조를 사용함으로써, 중간대역 이득의 감소를 피하면서 밀러 효과를 감소시켜 차단주파수를 확장시켰다. 또한 입력 매칭을 용이하게 하고 광대역에서 리플이 작은 이득 특성을 얻기 위해 피드백 회로를 이용하였다. 종래에 광대역 증폭기로 평형 증폭기나 분산형 증폭기가 자주 사용되지만, 본 연구에서는 기존보다 회로의 크기를 감소시키면서 광대역 이득특성을 얻을 수 있도록 캐스코드 구조의 증폭기를 설계하였다. 실제 측정에서 1000-2000MHz사이에서 $8.5dB{\pm}1.5dB$의 이득을 보였다. 제작된 캐스코드 증폭기는, 비록 약간의 주파수 이동이 있으나, 예측 결과와 유사하게 1000MHz 이상의 대역폭에서 8dB 이상의 평탄한 이득을 가졌다.

중간전력 소자를 이용한 직렬 분포형 증폭기 설계 (Design of a Cascaded Distributed Amplifier using Medium Power Devices)

  • 차현원;구재진;임종식;안달
    • 한국산학기술학회논문지
    • /
    • 제10권8호
    • /
    • pp.1817-1823
    • /
    • 2009
  • 본 논문에서는 출력전력이 협대역 정합에서 최대 23dBm 정도인 중간전력급 증폭소자를 이용하여 광대역 이득을 갖는 직렬 분포형 증폭기 설계에 대하여 기술한다. 일반적으로 병렬 분포형 증폭기는 1단 증폭기처럼 이득이 낮고, 직렬 분포형 증폭기는 이득이 높은 반면에 출력전력의 크기가 10dBm 이내인 소신호 증폭기였던데 비하여, 본 논문에서는 광대역에서 출력 전력이 20dBm급인 직렬 분포형 증폭기에 대하여 기술한다. 실제로 제작한 증폭기는 $300MHz{\sim}2GHz$에서 $18.15{\pm}0.75dB$의 평탄한 이득과 $19{\sim}20dBm$의 출력전력 특성을 보이는 것으로 측정되어, 광대역에서 구동증폭기로 사용할 수 있음을 보여준다.