JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.16
no.1
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pp.39-43
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2016
The structural, electrical properties of Ga doped MgZnO transparent conductive oxide (TCO) films by ratio-frequency(RF) magnetron sputtering were investigated. Ga doped MgZnO TCO films were deposited on the sapphire substrates at $200^{\circ}C$ varying growth thickness 200 to 600 nm. The optical properties of Ga doped MgZnO TCO films were showed above 85% transmittance from 300 to 1000 nm region. In addition, the current density ($J_{SC}$) of $Cu(In,Ga)Se_2$ (CIGS) solar cells was improved by using the MgZnO:Ga films of 500 nm thickness because of outstanding electrical properties. The $Cu(In,Ga)Se_2$ solar cells with MgZnO:Ga transparent conducing layer yielded an efficiency of 9.8% with current density ($31.8mA/cm^2$), open circuit voltage (540.2 V) and fill factor (62.2) under AM 1.5 illumination.
Kim, Kilim;Son, Kyeongtae;Kim, Minyoung;Shin, Junchul;Jo, Sunghee;Lim, Donggun
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.27
no.4
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pp.203-208
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2014
In this study, Sputtering method was used to grow Al-dopes ZnO films on a CIGS absorber layer, in order to examine the effect of TCO on properties of CIGS solar cell devices. Structural, electrical and optical properties were investigated by varied thickness of Al-dopes ZnO films. Also, relation to the application as a window layer in CIGS thin film solar cell were studied. It was found that the electrical and structural properties of ZnO:Al film improved with increasing its thickness. However, the optical properties degraded. Jsc of the fabricated CIGS based solar cells was significantly influenced by the variation of the ZnO:Al window layer thickness. Because ZnO:Al window layer is one of the Rs factors in CIGS solar cell. Rs has the biggest influence on efficiency characteristic. In order to obtain high efficiency of CIGS solar cell, ZnO:Al window layer should be fabricated with electrically and optically optimized.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.15
no.1
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pp.24-27
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2014
In this study, the effects of Mn-doping and the electrode materials on the memory characteristics of $ZnO_xS_{1-x}$ resistive random access memory (ReRAM) devices on plastic are investigated. Compared with the undoped Al/$ZnO_xS_{1-x}$/Au and Al/$ZnO_xS_{1-x}$/Cu devices, the Mn-doped ones show a relatively higher ratio of the high resistance state (HRS) to low resistance state (LRS), and narrower resistance distributions in both states. For the $ZnO_xS_{1-x}$ devices with bottom electrodes of Cu, more stable conducting filament paths are formed near these electrodes, due to the relatively higher affinity of copper to sulfur, compared with the devices with bottom electrodes of Au, so that the distributions of the set and reset voltages get narrower. For the Al/$ZnO_xS_{1-x}$/Cu device, the ratio of the HRS to LRS is above $10^6$, and the memory characteristics are maintained for $10^4$ sec, which values are comparable to those of ReRAM devices on Si or glass substrates.
Volcanic ash samples of historical eruptions from Mt. Baekdu were analyzed for major oxides, trace and rare earth elements by a variety of analytical techniques. The results indicate that the ashes consist of approximately 58.8~71.1 wt.% $SiO_2$, 9.6~16.8 wt.% $Al_2O_3$, 4.5~6.9 wt.% $Fe_2O_{3t}$, 0.1~1.7 wt.% MgO, 0.3~1.6 wt.% CaO, 5.2~6.3 wt.% $Na_2O$, 4.3~5.9 wt.% $K_2O$ and less than 1.2 wt.% $TiO_2$. Thirty two trace metals including Ba, Cu, Cr. Co, Ni, Sr, V, Zn, and Zr were analyzed. The ashes can be divided two groups: group A(1 ka Millennium pumice, 1668 and $190{\underline{3}}$ pumice) and group B(1702 pumice) according to the relative enrichment of HREEs. The abundances of heavy metals such as Cu, Co, Mn, and Zn were relatively low. As compared to the Sakurajima volcanic ash, Baekdusan volcanic ash has low concentrations of Y, Nb, Pb, U, Sc, V, Ni and Cu and high concentrations of Zr, Ba, Hf, Cr, Co, Zn and rare-earth (except Eu).
ZnO-based SAW(surface acoustic wave) filters are fabricated with the configuration of IDT/ZnO/$SiO_2$/Si(100) using various IDT materials such as Al, Cu/Ti, and Cu/Al. Their frequency response characteristics are measured and compared. The thickness of Al IDT is varied to examine the mass loading effect. In addition, effects of thermal treatment and electrical stress on the frequency responses of the fabricated SAW filters are investigated.
Kim, Hye-Jin;Kim, Jae-Ung;Kim, Gi-Rim;Jeong, Deok-Yeong;Jeong, Chae-Hwan
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2015.08a
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pp.257.1-257.1
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2015
Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) 박막 태양 전지에서 buffer layer는 CIGS 흡수층과 TCO 사이의 밴드갭 차이에 대한 문제점과 lattice mismatch를 해결하기 위해 필수적이다. 흔히 buffer layer 물질로는 CdS가 가장 많이 사용되고 있으나 Cd의 독성에 관한 문제가 야기되고 있다. 따라서 ZnS(O, OH) buffer layer가 친환경 물질로 기존의 CdS 버퍼 층의 대체 물질로 각광 받고 있으며, 단파장 범위에서 높은 투과율로 인해 wide band gap의 Chalcopyrite 태양 전지에 응용되는 buffer layer로 많은 연구가 이루어지고 있다. 또한 buffer layer를 최적화 하여 carrier lifetime과 양자 효율이 증가시킬 수 있는 특성을 가지고 있다. 이 연구에서는 Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) 박막에 화학습식공정 (CBD) 방법을 이용하여 최적화된 ZnS(O, OH)의 증착 조건을 찾고, 고품질의 buffer layer를 제조하기 위한 실험에 초점을 맞췄다. 또한, buffer layer의 막질을 개선하고 균일한 막을 제조하기 위해 processing parameters인 시약의 농도, 제조 시간 및 온도 등의 다양한 변화를 통해 실험을 진행하였다. 그 후 최적화된 ZnS(O, OH) buffer layer의 특성 분석을 위해 X-ray diffraction(XRD), photoluminescence (PL), scanning electron microscope (SEM) and GD-OES을 이용하였고, 이를 통해 제조된 CIGS 박막 태양전지는 light induced current-voltage (LIV) and external quantum efficiency (EQE)를 통해 특성 분석을 실시 하였다. 결과적으로, 제조된 ZnS(O, OH) buffer layer의 $ZnSO4{\cdot}7H2O$의 농도는 0.16 M, Thiourea는 0.5 M, NH4OH는 7.5 M, 그리고 반응 온도는 77.5 oC의 조건 하에 CIGS 기판 위에 균일하고 균열이 없는 ZnS(O, OH) 박막을 제조하였으며 이때 제조된 태양전지의 소자 특성은 Voc = 0.478 V, Jsc = 35.79 mA/cm2, FF = 47.77%, ${\eta}=8,18 %$이다.
In this study, heavy metal removal and precipitation characteristics with pH change were studied for artificial acid mine drainage. Artificial acid mine drainage was prepared using sulfates of iron, aluminum, copper, zinc, manganese which contained in acid mine drainage from abandoned mines. The single and mixed five heavy metal samples of Fe, Al, Cu, Zn, and Mn were prepared at initial concentrations of 30 and 70 mg/L. Fe and Al were mostly removed at pH 4.0 and 5.0, respectively, and other heavy metals gradually decreased with increasing pH. Concentration changes with increasing pH show generally similar trend for single and mixed heavy metal samples. The effect of removing heavy metals from aqueous solutions is not related to the initial concentration and depends on the pH change. XRD were used for mineral identification of precipitates and crystallinity of the mineral tended to increase with increasing pH. The precipitates that produced by decreasing the concentration of heavy metals in the aqueous solution composed of Fe-goethite(FeOOH), Al-basaluminite(Al4(SO4)(OH)10·4H2O), Cu-connellite(Cu19(OH)32(SO4)Cl4·3H2O) and tenorite(CuO), Zn-zincite(ZnO), and Mn-hausmannite(Mn3O4).
In this study, the effect of additions on magnetic properties in the system of [$Ni_{0.32}Zn_{0.68}$] 1-x Mx $Fe_2O_4$ have been investigated. The additions, Co or Mg or Cu, was added in turn in place of M, and its composition was varied from 0.1 mo1% to 0.5 mo1%. The materials were blended by hot petroleum drying method, and sintered with the rate of 30$0^{\circ}C$/h in the air. The sintering temperatures were varied from 110$0^{\circ}C$ to 130$0^{\circ}C$, with the intervals of 5$0^{\circ}C$, and matured for 3hrs. The results are: 1) The permeability decreased when the addition, MgO or CoO, was added, and it increased when CuO was added. 2) Resistivity had the lowest Value when CuO was added.
Ni-Zn ferrite was sintered by microwave hybrid sintering method using microwave energy of 2.45 GHz, 700 W in the temperature range of 900$^{\circ}C$ ∼ 1070$^{\circ}C$. A high density (98%TD) Ni-Zn ferrite, added Bi$_2$O$_3$ and CuO, with a single phase was obtained by microwave sintering at 970$^{\circ}C$ for 15 min. All the sintered samples showed sintered density over 90% of TD. These results indicate that the processing time and energy consumption can be reduced significantly by microwave hybrid sintering method.
The electromagnetic properties and microstructure of the basic composition of $(Ni_{0.2}Cu_{0.2}ZnO_{0.2})_{1.02}(Fe_{2}O_{3})_{0.98}$ were invested, changing the amount of the additives $Bi_2O_3$ and $ZrO_2$ and sintering temperature. The spinel structure of specimen was confirmed by the analysis of XRD patterns. Grain size and its density are increased by increasing the additive and the sintering temperature.However, the permeability increased with decreasing additive. It was also found that $Bi_2O_3$ had more effect on the increase of grain size and permeability rather than $ZrO_2$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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