• 한국음향학회지
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• 제31권5호
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• pp.288-297
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• 2012

본 연구는 성덕대왕신종의 공명효과를 극대화시키기 위하여 계절에 따른 기온의 차이를 보정할 수 있는 가변형 명동의 설계 모델을 제시한다. 성덕대왕신종의 종소리에서는 64 Hz의 1차 고유진동수와 168 Hz의 2차 고유진동수가 가장 중요한 성분이다. 두 주파수 성분을 대상으로 종체 공동, 간극, 명동으로 구성된 내부 음향공동계의 공명조건을 구한다. 이를 위하여 SYSNOISE를 이용한 경계요소해석을 통하여 내부공동의 음향 주파수응답 특성을 구한다. 외적요소로, 계절에 따른 기온 차이는 공명 조건에 크게 영향을 미친다. 그 결과 공명효과를 극대화시키는 명동의 길이는 계절에 따라 달라져야 한다. 이를 고려하여 본 연구에서는 기온 변화에 맞추어 명동의 길이를 종의 설치 현장에서 쉽게 조절할 수 있는 가변형 명동의 설계 모델을 제시한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료 반도체 세라믹
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• pp.291-294
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• 2003

The circuit substrate was made from the Low Temperature Cofired Ceramics(LTCC) that a $\varepsilon_\gamma$ was 7.8. Accumulated Varactor and the low noise transistor which were a Surface Mount Device-type element on LTCC substrate. Let passive element composed R, L, C with strip-line of three dimension in the multilayer substrate circuit inside, and one structure accumulate band-pass filter, resonator, a bias line, a matching circuit, and made it. Used Screen-Print process, and made Strip-line resonator. A design produced and multilayer-type VCO(Voltage Controlled Oscillator), and recognized a characteristic with the Spectrum Analyzer which was measurement equipment. Measured multilayer structure VCO is oscillation frequency 1292[MHz], oscillation output -28.38[dBm], hamonics characteristic -45[dBc] in control voltage 1.5[V], A phase noise is -68.22[dBc/Hz] in 100 KHz offset frequency. The oscillation frequency variable characteristic showed 30[MHz/V] characteristic, and consumption electric current is approximately 10[mA].

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.377-378
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• 2005

In this study, $SiO_2$ thin film was deposited on variable conditions of the RF power and working pressure by RF magnetron sputtering to apply to the Bragg reflector of the SMR type FBAR device. A crystal orientation and microstructure of $SiO_2$ thin film was studied by using the XRD, AFM and SEM. The best condition was obtained through analyzing the structural characteristics of thin film. Finally, FBAR device was fabricated with applying the best condition of $SiO_2$ thin film and the resonant characteristics was investigated by network analyzer to verify application possibility as a efficient device.

• 한국통신학회논문지
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• 제19권10호
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• pp.1973-1981
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• 1994

본 논문에서는 위상 고정 루프 PLL(Phase Locked Loop)의 궤환 성질을 이용한 Ku-band(10.95-11.70GHz)용 위상고정 유전체 공진 발진기를 설계 및 제작하였다. 직렬 궤환형의 유전체 공진 발진기를 제작한 후, 발진기의 주파수를 전압 제어하기 위해 전압 가변 캐패시터로 작용하는 바랙터 다이오드를 사용하여 전압제어 유전체 공진 발진기를 구현하였다. 이와 같이 제작된 전압제어 유전체 공진 발진기에 샘플링 위상비교기를이용하여 위상고정 유전체 공진 발진기를 제작하였다. 위상고정 유전체 공진 발진기는 X-band 주파수 대역의 전압제어 유전체 공진 발진기 신호를 샘플링 위상 비교기를 이용하여 VHF 대역의 기준 신호에 위상고정시켜 높은 주파수 안정도를 얻는 것으로 유럽형 FSS(Fixed Satellite Service)를 위한 10.00 GHz를 구현하였다. 측정 결과 본 논문의 위상고정 유전체 공진 발진기는 전압제어 유전체 공진 발진기보다 높은 주파수 안정도를 보였으며, 10.00 GHz에서 출력전력 10 dBm 이상이었고 carrier로 부터 10 KHz 벗어난 점에서 -80dBc/Hz의 위상 잡음을 얻었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2
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• pp.703-706
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• 2002

Piezoelectric thin film such as ZnO and AlN can be applicable to FBAR (Film Bulk Acoustic Resonator) device of thin film type and FBAR can be applicable to MMIC. The characteristic of FBAR device is variable according to the deposition conditions of piezoelectric thin film when preparation of thin film by sputtering method. In this study, we prepared ZnO thin film for FBAR using Facing Targets Sputtering apparatus which can be deposited fine Quality thin film because temperature increase of substrate due to the bombardment of high-energy particles can be restrained. And crystalline and c-axis preferred orientation of ZnO thin film with deposition conditions was investigated by XRD.

• Current Optics and Photonics
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• 제3권3호
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• pp.243-247
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• 2019

We have developed a compact, wavelength-selectable, Q-switched Nd:YAG laser at mid ultraviolet for chemical warfare agent detection. The fundamental wave at 1064 nm is delivered by a pulsed solid state laser incorporating with a square-type Nd:YAG rod in a resonator closed by two crossed Porro prisms for environmental reliability. The output energy at 213 nm ($5{\omega}$) and 266 nm ($4{\omega}$) by ${\chi}^{(2)}$ process in the sequentially disposed BBO crystals are measured to be 6.8 mJ and 15.1 mJ, respectively. The output wavelength is selected for $5{\omega}$ and $4{\omega}$ by a motorized wavelength switch. The energy ratio of the $5{\omega}$ to the $4{\omega}$ is varied from 0.05 to 0.85 by controlling the phase matching temperature of the nonlinear crystal for sum-frequency generation without change of the output pulse parameters.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 춘계학술대회 논문집 유기절연재료 전자세라믹 방전플라즈마 연구회
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• pp.55-58
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• 2001

In this paper, we present the results of the design and fabrication of the VCO(Voltage controlled Oscillator) using RF circuit simulator GENESYS and electromagnetic field simulator EMpower Frequency range is fabricated VCO is 850 MHz ~ 950 MHz, which is used Colpitts Circuit. the fabricated VCO is consisted of resonator, oscillator and MSL(Microstrip Line) is used in LC tuning circuit.(operated by negative feedback) MSL(Microstrip Line), Varactor(Plastic package), low noise TR(SOT-23), chip inductor(1608), chip capacitor(1005), chip resistance(1005). 1005 type is used for sample fabrication of VCO. In the fabrication process, circuit pattern is screen printed on the alumina substrates of over 99.9% purity. Center frequency of the sample VCO is 850MHz at $V_T=1.5V$, while the simulated value was 1.0GHz at $V_T=1.5V$. Variable frequency range of the sample is 860~950MHz in contrast to the 1068~1100MHz of the simulated values.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 춘계학술대회 논문집 유기절연재료 전자세라믹 방전플라즈마 연구회
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• pp.153-156
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• 2001

In this paper, we present the results of the design and fabrication of the VCO(Voltage controlled Oscillator) using RF circuit simulator GENESYS and electromagnetic field simulator EMpower Frequency range is fabricated VCO is 850 MHz ~ 950 MHz, which is used Colpitts Circuit. the fabricated VCO is consisted of resonator, oscillator and MSL(Microstrip Line) is used in LC tuning circuit.(operated by negative feedback) MSL(Microstrip Line), Varactor(Plastic package), low noise TR(SOT-23), chip inductor(1608), chip capacitor(1005), chip resistance(1005). 1005 type is used for sample fabrication of VCO. In the fabrication process, circuit pattern is screen printed on the alumina substrates of over 99.9% purity. Center frequency of the sample VCO is 850MHz at $V_T$=1.5V, while the simulated value was 1.0GHz at $V_T$=1.5V. Variable frequency range of the sample is 860~950MHz in contrast to the 1068~1100MHz of the simulated values.

• 전자공학회논문지
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• 제54권4호
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• pp.16-21
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• 2017

본 논문은 모바일 기기(노트북, 핸드폰, 태블릿 PC 등)를 위한 공진형 무선전력전송 시스템(Magnetic Resonance - Wireless Power Transfer; MR-WPT)의 실용성을 높이기 위한 평면형 소형 공진기 설계 방법을 제안하였다. 제안된 소형 평면형 공진기는 네 개의 루프와 공진기를 사용하는 공진형 무선전력 시스템에 적용 되며, 또한 무선전력 시스템은 송신기(Tx)와 수신기(Rx)가 동일한 루프와 공진기로 이루어졌다. 제안된 공진기는 나선형(Spiral) 코일의 형태로 소형 모바일 크기에 적합한 $50mm{\times}50mm$의 크기 이내로 설계 되었으며, 나선형 공진기의 선 두께와 선간 갭(gap) 그리고 선의 길이를 달리하는 4종류의 나선형 공진기를 선정하였다. 또한 작은 공진기 부피에서 높은 인덕턴스와 캐패시턴스를 얻기 위해 공진기 기판 (아크릴 ${\varepsilon}_r=2.56$, tan ${\delta}=0.008$)의 양면을 모두 활용하였다. 또한 루프는 공진기 부피를 최소화하기 위해 공진기와 동일 평면상에 설계 하였고, 이 또한 서로 다른 3가지의 크기를 사용하였다. 제안된 무선전력전송 시스템은 Tx와 Rx 두 개의 아크릴 기판에 제작되었으며, Tx와 Rx의 루프와 공진기는 구리시트로 만들어졌다. 제안된 12개의 조합 (공진기 4종 ${\times}$ 루프 3종)의 루프와 공진기에 대한 전력전송효율을 근 전송 거리 (1cm~5cm)상에서 시뮬레이션과 측정을 통해 산출하였다. 측정 결과 전력전송효율은 전송거리 1~5 cm에 따라 ${\fallingdotseq}40%$ 그리고 최대 ${\fallingdotseq}70%$ 이며, 이때 공진주파수는 A4WP 표준 무선전력전송 주파수인${\fallingdotseq}6.78MHz$를 유지한다. 제안된 부피에서 최소화된 평면형의 소형 공진기를 이용한 소형 모바일 기기의 공진형 무선전력 어플리케이션에 대한 가능성을 실험적으로 확인하였다.

• 전자공학회논문지 IE
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• 제47권4호
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• pp.1-9
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• 2010

초음파신호를 이용하여 두 물체 사이의 거리를 측정할 수 있도록 초음파신호를 발생시키고 이를 수신하여 증폭하는 프론트-앤드 IC를 설계하였다. 40[kHz]~300[kHz]의 초음파 신호를 발생시켜서 피에조진동자를 통해 간헐적으로 송신하는 회로와 피에조 수신기에서 받은 미세한 반사 신호를 증폭하여 노이즈를 제거한 후 처음 송신된 신호와의 시간 차이를 펄스폭으로 출력하고 이를 이용하여 물체사이의 거리를 계산할 수 있는 기능을 내장하였다. 본 설계에서는 두 가지 기술을 작용하여 기능을 개선하였다. 첫째, 주파수 자동조정(SFC) 회로이다. OTA회로의 gm을 가변시켜 초음파 신호발생기의 출력주파수와 수신단의 밴드패스필터의 중심주파수가 서로 연동되도록 조정해 줌으로써 신호 복원을 용이하게 하였다. 둘째, 가변 이득 조절회로(VGC)이다. 이 회로는 두 물체사이의 거리에 상관없이 수신되는 신호의 진폭이 일정하도록 동작하는 기능을 한다. 또한, 출력레벨변환회로를 적용하여 송신신호의 진폭을 40[V]로 상승시켜 측정거리를 늘리는 시도를 하였다. 시뮬레이션을 위한 공정은 0.6um] 급, 40[V] CMOS 공정을 사용하였다. 전원전압 5[V], 소비전력은 약 12[mW]정도이다. 회로의 규모가 최소화 되어 있고 외부소자 수를 줄였기 때문에 휴대형기기에 편리하게 사용할 수 있게 하였다.