• 전자공학회논문지
• /
• 제52권6호
• /
• pp.15-20
• /
• 2015

비트 패턴드 미디어는 고용량 저장장치이며 유력한 차세대 자기 기록 저장장치로 관심 받고 있다. 비트 패턴드 미디어는 작은 크기의 섬에 하나의 비트를 기록하기 때문에 고밀도로 구현할 경우 저장 비티의 간격이 좁아진다. 이러한 이유로 한 방향으로만 간섭을 받는 기존의 저장장치와는 달리 비트 패턴드 미디어는 모든 방향에서 인접 심볼 간 간섭을 받는다. 본 논문에서는 인접 심볼 간 간섭을 보상하기 위해 수식을 제안한다. 트랙 위치 오프셋에 따라 실험을 하였으며 제안된 인접 심볼 간 간섭 전처리 과정을 사용하였을 때, 트랙 위치 오프셋에 관계없이 BER 성능을 향상 시킬 수 있다.

• 전자공학회논문지
• /
• 제50권6호
• /
• pp.3-8
• /
• 2013

비트 패턴 미디어 (BPM) 저장장치는 기존 자기 기록장치의 한계를 극복하기 위한 기술 중 하나로 주목 받고 있다. 하지만 고밀도의 BPM 저장창치에서는 트랙간의 간섭 (ITI), 심벌간의 간섭 (ISI), 잡음이 비트 오율 (BER)을 심각하게 저하시키는 문제가 있다. 본 논문에서는 ITI와 ISI의 악영향을 경감시키기 위해 축약사상 기반의 단순 반복적 2차원 등화기를 제안한다. 또한 제안한 2차원 등화기에 대한 BPM 저장장치의 채널 특성이 수렴 조건을 만족함을 살펴보았다. 모의실험에서 1차원 등화기와 2차원 등화기의 비트 분리 특성 차이를 보였고, 제안한 등화기의 BER 성능을 다른 등화 방법과 비교하여 평가하였다. 실험결과에 의하면 본 논문에서 제안한 등화기는 적당한 복잡도를 유지하면서 고밀도 BPM 저장장치를 위한 훌륭한 등화기라 할 수 있다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제8권1호
• /
• pp.11-20
• /
• 2008

The structure of 2-bit/cell flash memory device was characterized for sub-50 nm non-volatile memory (NVM) technology. The memory cell has spacer-type storage nodes on both sidewalls in a recessed channel region, and is erased (or programmed) by using band-to-band tunneling hot-hole injection (or channel hot-electron injection). It was shown that counter channel doping near the bottom of the recessed channel is very important and can improve the $V_{th}$ margin for 2-bit/cell operation by ${\sim}2.5$ times. By controlling doping profiles of the channel doping and the counter channel doping in the recessed channel region, we could obtain the $V_{th}$ margin more than ${\sim}1.5V$. For a bit-programmed cell, reasonable bit-erasing characteristics were shown with the bias and stress pulse time condition for 2-bit/cell operation. The length effect of the spacer-type storage node is also characterized. Device which has the charge storage length of 40 nm shown better ${\Delta}V_{th}$ and $V_{th}$ margin for 2-bit/cell than those of the device with the length of 84 nm at a fixed recess depth of 100 nm. It was shown that peak of trapped charge density was observed near ${\sim}10nm$ below the source/drain junction.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
• /
• pp.80-83
• /
• 2003

In this paper, the programming characteristics of the multi-bit devices based on SONOS structure are investigated. Our devices have been fabricated by $0.35\;{\mu}m$ complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process with LOCOS isolation. In order to achieve the two-bits per cell operation, charges must be locally trapped in the nitride layer above the channel near the junction. Channel hot electron (CHE) injection for programming can operate in multi-bit using localized trap in nitride film. CHE injection in our devices is achieved with the single power supply of 5 V. To demonstrate CHE injection, substrate current (Isub) and one-shot programming curve were investigated. The multi-bit operation which stores two-bit per cell is investigated with a reverse read scheme. Also, hot hole injection for fast erasing is used. Due to the ultra-thin gate dielectrics, our results show many advantages which are simpler process, better scalability and lower programming voltage compared to any other two-bit storage flash memory. This fabricated structure and programming characteristics are shown to be the most promising for the multi-bit flash memory.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제16권9호
• /
• pp.771-774
• /
• 2003

In this paper, the programming characteristics of the multi-bit devices based on SONOS structure are investigated. Our devices have been fabricated by 0.35 $\mu\textrm{m}$ complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process with LOCOS isolation. In order to achieve the multi-bit operation per cell, charges must be locally frapped in the nitride layer above the channel near the source-drain junction. Programming method is selected by Channel Hot Electron (CUE) injection which is available for localized trap in nitride film. To demonstrate CHE injection, substrate current (Isub) and one-shot programming curve are investigated. The multi-bit operation which stores two-bit per cell is investigated. Also, Hot Hole(HH) injection for fast erasing is used. The fabricated SONOS devices have ultra-thinner gate dielectrics and then have lower programming voltage, simpler process and better scalability compared to any other multi-bit storage Flash memory. Our programming characteristics are shown to be the most promising for the multi-bit flash memory.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제39A권3호
• /
• pp.121-126
• /
• 2014

Demand of the data storage becomes more and more growing. This requests the next generation of storage devices to have the dominated storage capability associated with superfast read/write rate. Holographic data storage (HDS) is investigated for a long time and is considered to be a candidate for the future storage system. However, it has two-dimensional intersymbol interference that conventional one-dimensional detection solutions have not yet handled strictly because of the complexity level of system as well as the cost. We propose a new scheme that combines iterative soft output Viterbi algorithm with noise filter for improving the bit error rate performance of HDS.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제38A권9호
• /
• pp.739-743
• /
• 2013

본 논문에서는 비트 패턴드 자기기록 저장장치 채널을 위한 2차원 변조부호를 제안한다. 패턴드 미디어 기록장치는 하나의 자성점에 한 비트의 정보를 저장한다. 정보저장 기록 밀도를 높이기 위하여 인접한 트랙 사이의 간격을 아주 좁게 만들기 때문에 인접한 트랙간 간섭(intertrack interference, ITI)과 인접한 심볼간 간섭(intersymbol interference, ISI)이 문제가 된다. 따라서 한 비트 신호의 진폭은 2차원 간섭에 의해 변형된다. 같은 값으로 둘러싸인 비트의 신호가, 특히 어느 한 비트의 값이 둘러싸인 여덟 비트의 값과 동일한 경우 영향을 받는다. 제안된 변조부호 방법은 기존의 변조부호보다 좋은 부호율을 가지면서 위와 같은 최악의 경우가 발생하지 않도록 하므로써 패턴드 미디어의 기록 성능을 향상시키도록 한다.

• ETRI Journal
• /
• 제29권5호
• /
• pp.691-693
• /
• 2007

Existing methods to process continuous range queries are not scalable. In particular, as the number of continuous range queries on a large number of moving objects becomes larger, their performance degrades significantly. We propose a novel query indexing method called the projected attribute bit (PAB)-based query index. We project a two-dimensional continuous range query on each axis to get two one-dimensional bit lists. Since the queries are transformed to bit lists and query evaluation is performed by bit operations, the storage cost of indexing and query evaluation time are reduced significantly. Through various experiments, we show that our method outperforms the containment-encoded squares-based indexing method, which is one of the most recently proposed methods.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
• /
• 제5권4호
• /
• pp.148-152
• /
• 2004

The direct lateral profile and retention characteristics of locally trapped-charges in the nitride layer of the two-bit polysilicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory are investigated by using the charge pumping method. After charges injection at the drain junction region, the lateral diffusion of trapped charges as a function of retention time is directly shown by the results of the local threshold voltage and the trapped-charges quantities.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제31권11C호
• /
• pp.1037-1043
• /
• 2006

본 논문에서는 차세대 대용량 데이터 저장장치로 부각되고 있는 홀로그래픽 데이터 저장장치를 위한 2차원 변조코드를 제안한다. 단위 면적당 기록 밀도의 증가로 인한 인접 심볼간 간섭과 3차원적인 홀그래픽 저장으로 인한 페이지간 섭 등에 강인한 성능을 갖도록 같은 페이지 내의 1과 0의 개수가 거의 동일하도록 설계하였으며, 또 가능한 많은 1과 0의 천이가 일어나도록 설계하였다. 제안된 코드의 코드율은 5/9로서 기존의 4/9 코드보다 25%의 코드율 개선을 하였다.