• 한국전자파학회논문지
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• 제10권7호
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• pp.1053-1064
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• 1999

본 논문에서는 Ku-band 위성통신 송수신용으로 사용하기 위해서 송.수신부가 서로 다른 선형편파를 가지 는 이중급전 구조의 이중공진 안테나를 연구하였다. 이 때 상대 급전선에 의한 임피던스의 변화를 최소화시켜 최적의 안테나를 설계하였으며, 배열 안테나로 확장시 이중급전 구조의 문제점인 공간상의 문제를 해결하기 위 해서 마이크로스트립 선로와 via-hole 혼합급전 방식올 사용하였다. 제안된 안테나를 이차원 $2\times2$ 배열 마이크 로스트립 안테나로 설계 및 제작하였고, 방사패턴과 주파수 특성을 측정하여 위성통신 송수신 겸용 안테나로 잘 동작할 수 있음을 확인하였다

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제12권3호
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• pp.197-205
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• 2005

RF MEMS 기술에서 패키지의 개발은 매우 중요하다. RF MEMS 패키지는 소형화, hermetic 특성, 높은 RF 성능 및 신뢰성을 갖도록 설계되어야 한다. 또한 가능한 저온의 패키징 공정이 가능해야 한다. 본 연구에서는 저온 공정을 이용한 RF MEMS 소자의 hermetic 웨이퍼 레벨 패키징을 제안하였다. Hermetic sealing을 위하여 약 $300{\times}C$의 Au-Sn 공정 접합 (eutectic bonding) 기술을 사용하였으며, Au-Sn의 조합으로 형성된 sealing부의 폭은 $70{\mu}m$이었다. 소자의 전기적 연결을 위하여 기판에 수직 via hole을 형성하고 전기도금 (electroplating) 방법을 이용하여 Cu로 채웠다. 완성된 RF MEMS 패키지의 최종 크기는 $1mm\times1mm\times700{\mu}m$이었다. 패키징 공정의 최적화 및 $O_2$ 플라즈마 애싱 공정을 통하여 접합 계면 및 via hole의 void들을 제거할 수 있었다. 또한 패키지의 전단 강도 및 hermeticity는 MIL-STD-883F의 규격을 만족하였으며 패키지 내부에서 오염 및 기타 유기 물질은 발생하지 않았다. 패키지의 삽입 손실은 2 GHz에서 0.075 dB로 매우 작았으며, 여러 종류의 신뢰성 시험 결과 패키지의 파손 및 성능의 감소는 발견되지 않았다.

• International Journal of Internet, Broadcasting and Communication
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• 제12권2호
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• pp.30-36
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• 2020

We demonstrated a successful fabrication of 4" Gallium Nitride (GaN)/Diamond High Electron Mobility Transistors (HEMTs) incorporated with Inner Slot Via Hole process. We made in manufacturing technology of 4" GaN/Diamond HEMT wafers in a compound semiconductor foundry since reported [1]. Wafer thickness uniformity and wafer flatness of starting GaN/Diamond wafers have improved greatly, which contributed to improved processing yield. By optimizing Laser drilling techniques, we successfully demonstrated a through-substrate-via process, which is last hurdle in GaN/Diamond manufacturing technology. To fully exploit Diamond's superior thermal property for GaN HEMT devices, we include Aluminum Nitride (AlN) barrier in epitaxial layer structure, in addition to conventional Aluminum Gallium Nitride (AlGaN) barrier layer. The current collapse revealed very stable up to Vds = 90 V. The trapping behaviors were measured Emission Microscope (EMMI). The traps are located in interface between Silicon Nitride (SiN) passivation layer and GaN cap layer.

• 한국통신학회논문지
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• 제25권9B호
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• pp.1635-1640
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• 2000

본 논문에서는 기본파를 억제시키고 2차 고조파가 주 발진신호로 동작되는 18GHz 대역의 push-push 발진기를 semi-MMIC 형태로 설계 및 제작하였다. 마이크로스트립 선로를 포함하는 passive component는 semi-insulating GaAs 기판위에 MMIC 공정을 이용하여 구현하고, Chip 형태의 P-HEMT, 저항, 캐패시터를 Au wire-bonding에의해 연결하였으며, via-hole 대신 접지면을 회로 주변에 구성하여, back-side와 wire-bonding하였다. 실험 결과 -10.5 dBm의 출력 전력 특성을 얻었으며, 기본 주파수 억압은 -17.3 dBc/Hz의 특성을 보였다. 위상 잡음은 100kHz offset에서 -97.7 dBc/Hz를 얻었다.

• 대한용접접합학회:학술대회논문집
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• 대한용접접합학회 2007년 추계학술발표대회 개요집
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• pp.229-231
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• 2007

Recently, 3D-electronic packaging by TSV is in interest. TSV(Through Silicon Via) is a interconnection hole on Si-wafer filled with conducting metal such as Copper. In this research, chips with TSV are connected by electroplated Sn bump without PR. Then chips with TSV are put together and stacked by the methode of Reflow soldering. The stacking was successfully done and had no noticeable defects. By eliminating PR process, entire process can be reduced and makes it easier to apply on commercial production.

• Macromolecular Research
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• 제17권11호
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• pp.894-900
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• 2009

This study examined the charge carrier photogeneration and hole transport properties of blends of poly (9-vinylcarbazole) (PVK), $\pi$-conjugated polymer, with different weight proportions (0~29.4 wt%) of (PEA)$VOPO_4{\cdot}H_2O$ (PEA: phenethylammonium cation), a novel organic-inorganic hybrid material, using IR, UV-Vis, and energy dispersive spectroscopy (EDS), thermogravimetric analysis (TGA), steady state photocurrent (SSPC) measurement, and atomic force microscopy (AFM). The SSPC measurements showed that the photocurrent of PVK was reduced by approximately three orders of magnitude by the incorporation of a small amount (~12.5 wt%) of (PEA) $VOPO_4{\cdot}H_2O$, suggesting that hole transport occurred through the PVK carbazole groups, whereas a reverse trend was observed at high proportions (>12.5 wt%) of (PEA)$VOPO_4{\cdot}H_2O$, suggesting that transport occurred via (PEA)$VOPO_4{\cdot}H_2O$ molecules. The transition to a trap-controlled hopping mechanism was explained by the difference in ionization potential and electron affinity of the two compounds as well as the formation of charge percolation threshold pathways.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제12권2호
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• pp.111-119
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• 2005

직경 $75{\mu}m$ 높이 $90{\mu}m$및 $150{\mu}m$ 피치의 Cu via를 통한 삼차원 배선구조를 갖는 스택 시편을 deep RIE를 이용한 via hole 형성공정 , 펄스-역펄스 전기도금법에 의한 Cu via filling 공정, CMP를 이용한 Si thinning 공정, photholithography, 금속박막 스퍼터링, 전기도금법에 의한 Cu/Sn 범프 형성공정 및 플립칩 공정을 이용하여 제작하였다. Cu via를 갖는 daisy chain 시편에서 측정한 접속범프 개수에 따른 daisy chain의 저항 그래프의 기울기로부터 Cu/Sn 범프 접속저항과 Cu via 저항을 구하는 것이 가능하였다. $270^{\circ}C$에서 2분간 유지하여 플립칩 본딩시 $100{\times}100{\mu}m$크기의 Cu/Sn 범프 접속저항은 6.7 m$\Omega$이었으며, 직경 $75 {\mu}m$, 높이 $90{\mu}m$인 Cu via의 저항은 2.3m$\Omega$이었다.

• ETRI Journal
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• 제35권4호
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• pp.571-577
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• 2013

The fabrication of a thin-film transistor backplane and a liquid-crystal display using printing processes can eliminate the need for photolithography and offers the potential to reduce the manufacturing costs. In this study, we prepare contact via structures through a poly(methyl methacrylate) polymer insulator layer using inkjet printing. When droplets of silver ink composed of a polymer solvent are placed onto the polymer insulator and annealed at high temperatures, the silver ink penetrates the interior of the polymer and generates conducting paths between the top and bottom metal lines through the partial dissolution and swelling of the polymer. The electrical property of various contact via-hole interconnections is investigated using a semiconductor characterization system.

• 한국전자파학회논문지
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• 제11권3호
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• pp.379-387
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• 2000

본 논문에서는 단일 안테나를 가지고 광대역의 위성통신 신호를 송수신하기 위하여 12.5 GHz와 14.25 GHz 대 역에서 각각 동작하고, 두 대역에서 서로 다른 선형편파 특성과 광대역 특성을 얻을 수 있는 적층 구조의 광대역 이중공진 이중편파 안테나를 제안하였다. 이 때 상대 급전선에 의한 임피던스 변화를 최소화시켜 최적의 안테나 를 설계하였으며, 배열 안테나로 확장시 이중급전 구조의 문제점인 공간상의 문제를 해결하기 위해서 마이크로 스트립 선로와 via-hole 혼합급전 방식을 사용하였다. 제안된 안테나를 광대역 이중공진 이중편파 $2\times2$ 배열 안 테나로 설계 및 제작하였고, 방사패턴과 주파수특성을 측정하여 위성통신 송수신 겸용 광대역 안테나로 잘 동작 할 수 있음을 확인하였다.

• 한국정밀공학회지
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• 제27권10호
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• pp.40-44
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• 2010

Laser drilling is an enabling technology for Through Silicon Via (TSV) interconnect applications. Recent advances in picoseconds laser drilling of blind, micron sized vias in silicon is presented here highlighting some of the attractive features of this approach such as excellent sidewall quality. In this study, we dealt with comparison of heat affection around drilled hole between a picosecond laser and a nanosecond laser process under the UV wavelength. Points which special attention should be paid are that picosecond laser process lowered experimentally recast layer, surface debris and micro-crack around hole in comparison with nanosecond laser process. These finding suggests that laser TSV process has possibility to drill under $10{\mu}m$ via. Finally, the laser drilling platform was constructed successfully.