• 대한전자공학회논문지
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• 제14권2호
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• pp.10-16
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• 1977

Ge-Si-Te 비정질기억소자에서 기억스위칭을 여러가지 소자의 두께와 온도에 의해 변화되는 량으로 관찰하였다. 주어진 두께에서 문턱전압의 분포는 진성스위칭동작기구에 기여하는 강한 피크를 이루었다. 두께와 Vth의 좌표계에서 두께가 감소하면 문턱전압은 낮아지며 스위칭전계는 증가함을 보였다. 또한 문턱전압은 온도가 증가함에 따라 낮아짐을 알수있었으므로 Tg이하의 온도범위에서는 문턱전안을 낮출수있다는 사실을 보였다.

• 대한지리학회지
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• 제49권2호
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• pp.245-263
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• 2014

본 연구에서는 지구 온난화의 가장 직접적인 영향 중 하나인 폭염에 따른 사망자수 변화를 분석하였다. 지난 17년(1994~2010)간의 기온자료와 사망자수 자료를 바탕으로 각 도시별 사망자가 급증하는 임계온도와 최소사망 온도를 분석하였다. 분석결과 우리나라 전 지역의 최소사망 온도는 평균 $23{\sim}25^{\circ}C$로 나타났으며, 강원도가 $23^{\circ}C$로 가장 낮게 나타나고 7대도시와 전라북도가 $25.45^{\circ}C$로 가장 높게 나타났다. 사망자가 급증하는 임계온도의 경우 평균 $27{\sim}30^{\circ}C$로 나타났다. 임계온도가 높은 지역은 대부분 포항, 전주, 원주, 대구와 같은 대도시가 많았으며, 임계온도가 낮은 지역은 금산, 문경, 봉화, 보은 등 상대적으로 작은 규모의 도시였다. 한편, 인구구조 취약성이 높은 지역일수록 최소사망 온도가 낮았으며(r=-0.44, p=0.06), 사회 경제 환경 취약성이 높을수록 최소사망 온도와(r=-0.36, p=0.032) 임계온도(r=-0.29, p=0.081)가 낮다는 점을 보여줬다. 본 연구는 앞으로 지구온난화가 진행됨에 따라 사망자가 급격하게 증가할 수 있으며, 지역별로 다양한 자연적, 사회적, 경제적 요소 등이 복합적으로 작용하여 지역에 따라 큰 편차를 보일 수 있다는 점을 보이고 있다.

• 전기전자학회논문지
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• 제15권2호
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• pp.143-148
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• 2011

MOS (Metal-Oxide Semconductor) devices among the most sensistive of all semiconductors to radiation, in particular ionizing radiation, showing much change even after a relatively low dose. The necessity of a radiation dosimeter robust enough for the working environment has increased in the fields of aerospace, radio-therapy, atomic power plant facilities, and other places where radiation exists. The power MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) has been tested for use as a gamma radiation dosimeter by measuring the variation of threshold voltage based on the quantity of dose, and a maximum total dose of 30 krad exposed to a $^{60}Co$ ${\gamma}$-radiation source, which is sensitive to environment parameters such as temperature. The gate oxide structures give the main influence on the changes in the electrical characteristics affected by irradiation. The variation of threshold voltage on the operating temperature has caused errors, and needs calibration. These effects can be overcome by adjusting gate oxide thickness and implanting impurity at the surface of well region in MOSFET.

• 대한전기학회논문지
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• 제44권7호
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• pp.901-907
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• 1995

The switching characteristics of As$_{10}$ Ge$_{15}$ Te$_{75}$ thin film were investigated under d.c. bias. And the frequency dependence of the conductivity was analysed with regard to the temperature dependence, in order to find the physical properties of the As$_{10}$ Ge$_{15}$ Te$_{75}$ thin film ; a characteristic relaxation time (.tau.$_{0}$ ), the spatial density of defect states (N), and the localized wavefunction (.alpha.$^{-1}$ ). It was formed that the threshold voltage depends on thickness, electrode distance, annealing time and temperature, respectively. The threshold voltage is increased as the thickness and the electrode distance is increased, while the threshold voltage is decreased in proportion to the increased annealing time and temperature.

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
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• 한국분말야금학회 2006년도 Extended Abstracts of 2006 POWDER METALLURGY World Congress Part2
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• pp.1059-1060
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• 2006

The creep behavior of Al-5vol.% SiC composite was investigated. The composite powder was produced by mechanical milling and hot extruded at $450^{\circ}C$ at ratio of 16:1. A creep test was carried out at a constant load at 598, 648, and 673 K. Using the steady-state equations, the threshold stress and the stress exponent of the creep as a function of temperature were determined. The stress exponent was found to be 3 at the temperature of 673 K and 8 at 598 and 648 K. The dependency of the threshold stress to temperature obeys the Arrhenius relationship with the energy term of $29\;kJ\;mole^{-1}$.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제20권5호
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• pp.601-606
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• 2016

In this study, in order to analyze the low-temperature sintering process of silver and copper nanoparticles, we calculate their melting temperatures and surface melting temperatures with respect to particle size. For this calculation, we introduce the concept of mean-squared displacement of the atom proposed by Shi (1994). Using a parameter defined by the vibrational component of melting entropy, we readily obtained the surface and bulk melting temperatures of copper and silver nanoparticles. We also calculated the absorption cross-section of nanoparticles for variation in the wavelength of light. By using the calculated absorption cross-section of the nanoparticles at the melting temperature, we obtained the laser threshold energy for the sintering process with respect to particle size and wavelength of laser. We found that the absorption cross-section of silver nanoparticles has a resonant peak at a wavelength of close to 350 nm, yielding the lowest threshold energy. We calculated the intensity distribution around the nanoparticles using the finite-difference time-domain method and confirmed the resonant excitation of silver nanoparticles near the wavelength of the resonant peak.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2001년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.5-8
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• 2001

This paper describes the development of SiC MOSFET model for high temperature applications. The temperature dependence of the threshold voltage and mobility of SiC MOSFET is quite different from that of silicon MOSFET. We developed the empirical temperature model of threshold voltage and mobility of SiC MOSFET and implemented into HSPICE. Using this model the MOSFET Id-Vds characteristics as a function of temperature are simillated. Also the SiC CMOS operational amplifieris designed using this model and the temperature dependence of the frequency response, transfer characteristics and slew rate as a function of temperature are analyzed.

• 자원ㆍ환경경제연구
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• 제13권3호
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• pp.417-440
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• 2004

미국의 PJM(Pennsylvania-New Jersey-Maryland) 전기도매시장의 전기 가격을 가변 전환확률 국면전환모형(regime switching model with time-varying transition probability model)을 이용해서 추정해보았다. 전기수요뿐만 아니라 기온을 전환확률 방정식의 설명변수로 포함시킴으로써 전기가격이 낮은 국면에서 높은 국면으로 전환할 확률의 문턱점(threshold) 효과가 뚜렷이 향상되었다. 따라서 도매전기가격의 스파이크(spike) 발생을 예측할 수 있게 되는 것이다. 이는 또한 미국의 도매시장 전기가격의 스파이크는 기온에 의해서도 잘 설명되며, 이를 이용하여 날씨관련 파생상품이나 계약을 통해서 도매전기 구입비용의 위험을 해지할 수 있다는 것을 의미한다.

• Journal of Power Electronics
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• 제13권4호
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• pp.729-736
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• 2013

Knowledge of a power semiconductor's operating temperature is important in circuit design and converter control. Designing appropriate circuitry that does not affect regular circuit operation during virtual junction temperature measurement at actual operating conditions is a demanding task for engineers. The proposed method enables virtual junction temperature estimation with a dedicated modified gate driver circuit based on real-time measurement of a semiconductor's quasi-threshold voltage. A simulation was conducted before the circuit was designed to verify the concept and to determine the basic properties and potential drawbacks of the proposed method.

• 폴리머
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• 제26권6호
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• pp.812-820
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• 2002

본 연구에서는 나노입자인 카본블랙을 고분자에 분산시킨 복합체를 각각 용액혼합과 용융혼합을 이용하여 positive temperature coefficient (PTC) 특성을 연구하였다. 전도성 나노입자인 카본블랙과 고분자 복합체의 저항 통전 (threshold)은 용융혼합하였을 때 카본블랙의 함량이 35wt% 이상에서 나타났으며. 용액혼합에서는 카본블랙 함량이 40 wt% 이상에서 나타났다. Ethyl-one vinylacetate copolymer (EVA)의 경우, 온도의 변화에 따라서 저항이 서서히 증가하다가 용융점 근처에서 극대값을 나타내었지만, high density polyethylene (HDPE)의 경우는 저항이 온도의 변화에 따라 일정하다가 용융점 근처에서 증가하기 시작하여 용융점에서 극대값을 나타내었다. 통전 후의 낮은 저항과, scanning electron microscopy (SEM)으로 관찰한 결과로부터 전도성 나노입자의 카본블랙 분산방법에서 용액혼합의 분산 정도가 용융혼합 못지않게 나타났다. PTC 소재에 전류인가시 큐리온도에서 1차적으로 저항이 증가하였으며, 고분자의 용융점에서 2차적으로 트립온도가 될 때까지 저항이 증가하다가 트립온도 이후에는 저항이 일정하게 유지됨을 알 수 있었다.