• 제목/요약/키워드: Termination Resistor

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변형 TEM Cell의 최적 종단 처리를 위한 저항 어레이 망 설계에 관한 연구 (A Study on the Resistor Array Networks for the Optimum Termination of a Modified Large TEM Cell)

  • 이중근;강문수
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제7권2호
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    • pp.157-166
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    • 1996
  • 분포 혼합 종단 처리 방식을 채택하고 있는 TEM Cell에 있어서, 내부 도체상의 전류 흐름 및 종단에서의 전류 흐름 해석 방법에 대하여 연구하였다. 회로 해석법을 적용하여 내부 도체 종단부에서의 전류 흐름의 직진성 개선 및 그에 따른 전력 소모를 고려한 최적 종단 저항 네트워크를 설계 하였다. 기존의 각 저항들을 등 간격으로 배치 시켜 구성한 저항 네트워크와 연구결과 제안된 저항 네트워크의 종단 전류 흐름에 대한 수치 해석을 수행하였으며, 두 네트워크를 각각 제작하여 적외선 촬영을 한 결과, 수치 해석 결과와 일치함을 입증하였다.

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고주파용 Termination 파워저항의 제작 (The fabrication of rf termination power resistor)

  • 류제천;김동진;강병돈;구본급;강전홍;유광민;유권상
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2
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    • pp.553-555
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    • 2002
  • We were fabricated of rf power resisotor on AlN substrates by thick film process. The characteristics of capacitance and microwave are measured by digital LCR meter and Network analyzer(HP8532D). The results are shown that capacitances are slight greater and microwave characteristics are good values.

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가변 병렬 터미네이션을 가진 단일 출력 송신단 (A Single-Ended Transmitter with Variable Parallel Termination)

  • 김상훈;어지훈;장영찬
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2010년도 춘계학술대회
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    • pp.490-492
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    • 2010
  • Center-tapped termination을 가진 stub series-termination logic (SSTL) 채널을 지원하기 위한 전압모드 송신단을 제안한다. 제안하는 송신단은 진단 모드를 지원하고 신호보전성을 향상시키기 위해 출력레벨 조절수단을 가지며, 가변 병렬 터미네이션을 사용하여 swing level을 조절하는 동안 송신단의 출력 저항을 일정하게 유지시켜준다. 또한 제안하는 송신단의 off-chip 저항은 기생 캐패시터, 인덕터에 의한 termination의 임피던스 부정합을 줄여준다. 제안된 송신단을 검증하기 위해서 $50{\Omega}$의 출력저항을 유지하면서 8-레벨의 출력을 제공하는 전압모드 송신단을 1.5V의 70nm 1-poly 3-metal DRAM공정을 이용하여 구현하였다. 수신단 termination이 존재하지 않는 SSTL 채널에서 제안하는출력레벨 조절이 가능한 송신단을 이용함으로 1.6-Gb/s에서 54%의 jitter 감소가 측정되었다.

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0.5~2 GHz 캐비티 백 스파이럴 안테나 설계 (Design of a 0.5~2 GHz Cavity-Backed Spiral Antenna)

  • 전남두;신동훈;박동철
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제21권3호
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    • pp.269-277
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    • 2010
  • 본 논문에서는 0.5~2 GHz 캐비티 백 스파이럴 안테나 설계에 대하여 기술하였다. 안쪽 부분은 Archimedean 스파이럴로, 바깥 부분은 log 스파이럴로 구현된 암(arm) 패턴, 백 캐비티(backing cavity), 그리고 급전용으로 Marchand 동축형 밸런을 설계하였다. 동작 대역의 저주파 대역에서 안테나 특성을 향상시키기 위하여 종단 저항을 사용하였다. CST사의 MWS툴을 이용하여 시뮬레이션 하였고, VSWR, 축비(axial ratio), 이득 그리고 반전력 빔폭을 고찰하였다. 최종적으로 제작 및 측정을 통해 설계 방법의 타당성을 검증하였고, 상용 스파이럴 안테나와의 성능을 비교하였다.

Pre-Emphasis 기능을 갖는 10Gbps 드라이버의 설계 (10Gbps Driver Design with Pre-Emphasis Functionality)

  • 이우관;임우진;김수원
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회
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    • pp.691-694
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    • 2005
  • This paper proposed 10Gbps driver with pre-emphasis for high speed transmitter. the proposed driver increase bandwidth using Ft doubler method and design driver block and pre-emphasis block in together. Pre-emphasis functionality confirmed to control VDS of current source o driver, not to control slew rate of termination resistor. The proposed driver is designed in a 1.5V/0.13um 1-poly, 5-metal CMOS mixed-signal process.

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$RuO_2$ 후막 전력 저항기의 고장 메커니즘 (Failure Mechanism of $RuO_2$ Thick Film Power Resistor)

  • 최성순;이관훈
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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    • pp.311-312
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    • 2008
  • $RuO_2$ 계열의 후막재료를 사용한 저항의 신뢰성시험을 실시하고 주요 고장 메커니즘을 확인하였다. 사용된 소자의 기판은 AlN 세라믹 기판이며, 후막재료로 $RuO_2$ paste를 프린팅하고 소결시킨 구조의 고주파용 저항(RF Termination)이다. 주요 고장 메커니즘은 후막(Thick Film)의 특성변화, 기판의 특성변화, 전극-후막 간의 접촉특성변화, Trimming 부위의 열화, 열팽창계수 차이에 의한 기계적 파손 등으로 알려져 있으며, 본 실험에서는 고장모드 분석을 위해 과부하시험, 고온동작시험 등을 포함한 신뢰성 환경시험과 수명시험을 실시하였다. 각 시험 결과 수명시험 후 전극-후막 간의 접합부 파괴가 관찰되었고, 열충격 시험 결과 후막의 crack이 관찰되었다.

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Modified Wilkinson Power Divider Using Transmission Lines for Various Terminated Impedances and an Arbitrary Power Ratio

  • Yoon, Young-Chul;Kim, Young
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제19권1호
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    • pp.42-47
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    • 2019
  • This paper introduces a modified Wilkinson power divider that uses uniform transmission lines for various terminated impedances and an arbitrary power ratio. For the designed power ratio, the proposed divider changes only the electrical lengths of the transmission lines between the input and output ports, and those between the output ports and the isolation resistor. In this case, even when various termination impedances of the ports exist, the divider characteristics are satisfied. To verify the feasibility of the proposed divider, two circuits were designed to operate at a frequency of 2 GHz with 2:1 and 4:1 power splitting ratios and various terminated impedances of 40, 70, and $60{\Omega}$ for one circuit, and 50, 70, and $60{\Omega}$ for the other. The measurement and simulation results were in good agreement.

다중 노드 네트워크를 이용한 내공변위 계측 시스템 (Design of Inner Section Displacement Measurement System Using Multiple Node Networks)

  • 서석훈;우광준
    • 조명전기설비학회논문지
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    • 제15권6호
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    • pp.20-26
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    • 2001
  • 본 논문에서는 터널의 내공변위를 측정하고 측정된 데이터를 효율적으로 관리하는 계측 시스템을 설계하였다. 계측 시스템은 마이크로콘트롤러로와 포텐시오메터형 변위센서로 구성되는 Intelligent Sensing Head와 계측 시스템을 운용하고 측정된 데이터를 관리하는 호스트 컴퓨터로 구성된다. Intelligent Sensing Mead와 호스트 컴퓨터는 다중노드 통신방식에 의하여 연결되며 다중노드 네트워크의 안정된 동작을 위하여 Daisy-Chain 형태로 네트워크를 구성하였고 Fail-Safe 회로를 설계하였으며 Modbus 프로토콜을 사용하여 시스템의 범용성을 높였다. 호스트 컴퓨터는 종합관리 소프트웨어에 의하여 다양한 측정조건을 선택할 수 있으며 데이터베이스를 이용하여 측정된 데이터를 관리한다. 설계된 시스템은 터널에 설치되어 효용성을 확인하였다.

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Boron 확산공정을 이용한 5,000V, 4인치 광 사이리스터의 제작 및 특성 평가 (Fabrication of 5,000V, 4-Inch Light Triggered Thyristor using Boron Diffusion Process and its Characterization)

  • 박건식;조두형;원종일;이병하;배영석;구인수
    • 전력전자학회논문지
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    • 제24권6호
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    • pp.411-418
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    • 2019
  • Light-triggered thyristors (LTTs) are essential components in high-power applications, such as HVDC transmission and several pulsed-power applications. Generally, LTT fabrication includes a deep diffusion of aluminum as a p-type dopant to form a uniform p-base region, which needs careful concern for contamination and additional facilities in silicon semiconductor manufacturing factories. We fabricated 4-inch 5,000 V LTTs with boron implantation and diffusion process as a p-type dopant. The LTT contains a main cathode region, edge termination designed with a variation of lateral doping, breakover diode, integrated resistor, photosensitive area, and dV/dt protection region. The doping concentration of each region was adjusted with different doses of boron ion implantation. The fabricated LTTs showed good light triggering characteristics for a light pulse of 905 nm and a blocking voltage (VDRM) of 6,500 V. They drove an average on-state current (ITAVM) of 2,270 A, peak nonrepetitive surge current (ITSM) of 61 kA, critical rate of rise of on-state current (di/dt) of 1,010 A/㎲, and limiting load integral (I2T) of 17 MA2s without damage to the device.

저 전력, 저 잡음, 고속 CMOS LVDS I/O 회로에 대한 비교 분석 및 성능 평가 (Comparative Analysis and Performance Evaluation of New Low-Power, Low-Noise, High-Speed CMOS LVDS I/O Circuits)

  • 변영용;김태웅;김삼동;황인석
    • 전자공학회논문지SC
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    • 제45권2호
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    • pp.26-36
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    • 2008
  • 차동 전송 기술과 저 전압 스윙을 기반으로 하는 LVDS(Low Voltage Differential Signaling)는 저 전력으로 고속 데이터 전송을 필요로 하는 분야에 넓게 사용되어 왔다. 본 논문은 1.3 Gb/s 이상에서 동작하는 새로운 I/O 인터페이스 회로 기술을 소개한다. 기존의 LVDS 수신단에서 사용하는 차동 pre-amp 대신에 sense amplifier를 pre-amp로 사용하는 수신단을 제안하였으며 이러한 수신단은 LVDS 송신단 출력 전압을 상당히 줄이고 1.3 Gb/s 이상의 전송 속도를 제공할 수 있다. 또한 전력소비와 노이즈 특성을 더욱 향상시키기 위하여 종단 저항을 사용하는 대신 인덕턴스로 임피던스 매칭을 하는 방법을 소개하였다. LVDS 수신단의 pre-amp로 사용하는 differential amp와 sense amp의 입력 인덕턴스로 임피던스 매칭을 하기 위해 unfolded 임피던스 매칭의 새로운 방법을 제안하였다. 제안한 LVDS I/O 회로들의 성능 분석 및 평가를 위하여 0.35um TSMC CMOS 테크놀로지를 기본으로 HSPICE를 이용하여 시뮬레이션 하였으며, 약 12 %의 전력 이득과 약 18 %의 전송 속도 향상을 나타내었다.