• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국해양정보통신학회 1999년도 춘계종합학술대회
• /
• pp.163-167
• /
• 1999

기존의 관계형 데이터 모델은 복합 객체데이터의 표현, 임의의 데이터 정의ㆍ조작능력, 버전제어, 일반화, 집단화와 같은 의미모델 개념을 지원할 수 없어서 CAD/CAM, 동시 공학(CE), 컴퓨터 통합 생산 시스템(CIM)등의 분야에 응용이 사실상 어려운 문제점을 지니고 있다. 본 논문에서는 기존의 Booch 방법론, Rumbaugh 등의 OMT(Object Modeling Technique), 그리고 Jacobson의 OOSE 방법론 등을 조합하여 고안된 산업표준의 객체지향적 객체/설계 방법론인 UML(Unified Modeling Language)을 이용하여 선박용 핸드레일을 생산하는 기업체의 통합생산관리시스템(IPCS, Intergrated Production Control System)을 업무 기능에 따라 모듈별로 나누어 객체 지향 데이터 모델을 설계하였다. 이러한 객체지향적 데이터 모델의 구축은 생산공정의 효율적 관리, 시스템의 유지, 보수 및 확장을 원활하게 하여 경영합리화를 기대할 수 있다.

• 한국결정학회지
• /
• 제15권1호
• /
• pp.24-28
• /
• 2004

X-선 회절법을 이용하여 $C_{12}H_{15}N_3O_3$의 분자 및 결정구조를 해석하였다. 이 결정의 결정계는 Monoclinic이고 공간군은 $P2_1/c$이며, 단위포 상수는 a = 12.9955(9) ${\AA}$, b = 7.7137(5) ${\AA}$, c = 13.4699(11) ${\AA}$, ${\beta}$ = 107.86(1)$^{\circ}$, V = 1285.2(1) ${\AA}^3$, T = 296 K, Z = 4, $D_c$ = 1.350 $Mgm^{-3}$이다. 회절반점들의 세기는 Enraf-Nonius CAD-4 Diffractometer로 얻었으며 Mo $K{\alpha}$선(${\lambda}$ = 1.71073 ${\AA}$)을 사용하였다. 분자구조는 Direct method로 풀었으며, $F_0\;>\;4{\sigma}(F_0)$인 1644개의 독립 회절 데이터에 대하여 최소자승법으로 193개의 변수를 정밀화하여 최종 신뢰도 값 R = 4.19%을 얻었다.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제17권4호
• /
• pp.428-433
• /
• 2013

본 논문에서는 전력반도체 소자의 재료로써 주목받고 있는 탄화규소 기반의 Trench MOS Barrier Schottky(TMBS)의 순방향 및 역방향 특성을 개선시키기 위한 구조를 제안한다. 순방향 전압강하와 역방향 항복전압을 개선시키기 위하여 사다리꼴 mesa 구조와 trench sidewall의 길이를 조절하는 기법을 사용하는 4H-SiC TMBS 정류기를 제안하고 있다. 제안된 구조는 사다리꼴 mesa 구조를 적용하여 trench sidewall에 경사를 줌으로써 1508V의 역방향 항복전압을 얻었다. 이것은 기존의 4H-SiC TMBS 정류기에 비하여 역방향 항복전압을 11% 개선시켰음을 나타낸다. 또한 trench sidewall 상단의 길이를 조절하여 순방향 전류 $200A/cm^2$에 대하여 12% 감소된 1.6V의 순방향 전압강하를 얻었다. 제안된 소자는 Silvaco사의 T-CAD를 사용하여 전기적 특성을 분석하였다.

• The Journal of Advanced Prosthodontics
• /
• 제10권4호
• /
• pp.300-307
• /
• 2018

PURPOSE. To investigate the fatigue and fracture resistance of computer-aided design and computer-aided manufacturing (CAD/CAM) ceramic molar crowns on dental implants and human teeth. MATERIALS AND METHODS. Molar crowns (n=48; n=8/group) were fabricated of a lithium-disilicate-strengthened lithium aluminosilicate glass ceramic (N). Surfaces were polished (P) or glazed (G). Crowns were tested on human teeth (T) and implant-abutment analogues (I) simulating a chairside (C, crown bonded to abutment) or labside (L, screw channel) procedure for implant groups. Polished/glazed lithium disilicate (E) crowns (n=16) served as reference. Combined thermal cycling and mechanical loading (TC: $3000{\times}5^{\circ}C/3000{\times}55^{\circ}C$; ML: $1.2{\time}10^6$ cycles, 50 N) with antagonistic human molars (groups T) and steatite spheres (groups I) was performed under a chewing simulator. TCML crowns were then analyzed for failures (optical microscopy, SEM) and fracture force was determined. Data were statistically analyzed (Kolmogorow-Smirnov, one-way-ANOVA, post-hoc Bonferroni, ${\alpha}=.05$). RESULTS. All crowns survived TCML and showed small traces of wear. In human teeth groups, fracture forces of N crowns varied between $1214{\pm}293N$ (NPT) and $1324{\pm}498N$ (NGT), differing significantly ($P{\leq}.003$) from the polished reference EPT ($2044{\pm}302N$). Fracture forces in implant groups varied between $934{\pm}154N$ (NGI_L) and $1782{\pm}153N$ (NPI_C), providing higher values for the respective chairside crowns. Differences between polishing and glazing were not significant ($P{\geq}.066$) between crowns of identical materials and abutment support. CONCLUSION. Fracture resistance was influenced by the ceramic material, and partly by the tooth or implant situation and the clinical procedure (chairside/labside). Type of surface finish (polishing/glazing) had no significant influence. Clinical survival of the new glass ceramic may be comparable to lithium disilicate.

• 한국결정학회지
• /
• 제15권2호
• /
• pp.99-103
• /
• 2004

X-선 회절법을 이용하여 $C_{16}H_{19}O_2N_3CuCl_2\;{\cdot}\;H_2O$의 분자 및 결정구조를 해석하였다. 이 결정의 결정계는 Triclinic이고 공간군은 Pl이며, 단위포 상수는 $a=7.6202(9)\;{\AA},\;b=8.5943(7){\AA},\;c= 8.6272(6){\AA},\;\alpha=67.518(6)^{\circ},\; \beta= 68.043(8)^{\circ},\;\gamma=74.370(8)^{\circ},\;V=478.89(8)\;{\AA}^3,\;T=295K,\; Z=1,\;D_c=1.504Mgm^{-3}$이다. 회절반점들의 세기는 Enraf-Nonius CAD-4 Diffractometer로 얻었으며 graphite로. 단색화한 $MoK{\alpha}$,$(\alpha=0.7107\;\AA)$을 사용하였다. 분자구조는 Direct method로 풀었으며, $F_0>4\sigma(F_0)$인 1659개의 독립회절데이터에 대하여 최소 자승법으로 234개의 변수를 정밀화하여 최종 신뢰도 값 $R=2.47\%$를 얻었다.

• 한국결정학회지
• /
• 제13권2호
• /
• pp.91-95
• /
• 2002

X-선 회절법을 이용하여 Cantharidin(Hexahydro-3a,7a-dimethyl-4,7-epoxyisobenzofuran-1,3-dione, C/sub 10/H/sub 12/O/sub 4/)의 결정구조를 규명하였다. 이 결정의 결정계는 사방정계이며 공간군은 Pna2/sub 1/ 이다. 단위포 상수는 a＝11.0731(9) (equation omitted), b＝6.7344(4) (equation omitted), c＝12.5000(9) (equation omitted), α＝β＝γ＝90°, V＝932.13(12) (equation omitted), T=296K, Z＝4, D/sub c/＝1.398Mgm/sup -3/이다. 회절반점들의 세기는 Enraf-Nonius CAD-4 Diffractometer로 얻었으며 MoKα선(λ＝0.71073(equation omitted))을 사용하였다 분자구조는 직접법으로 풀었으며, F/sub o/>4σ(F/sub o/)인 759개의 독립 회절 데이터에 대하여 최소자승법으로 140개의 변수를 정밀화하여 최종 신뢰도 값 R＝4.42%을 얻었다.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제16권4호
• /
• pp.283-289
• /
• 2012

이 논문에서 Trench Power MOSFET의 스위칭 성능을 향상시키기 위한 Separate Gate Technique(SGT)을 제안하였다. Trench Power MOSFET의 스위칭 성능을 개선시키기 위해서는 낮은 gate-to-drain 전하 (Miller 전하)가 요구된다. 이를 위하여 제안된 separate gate technique은 얇은(~500A)의 poly-si을 deposition하여 sidewall을 형성함으로서, 기존의 Trench MOSFET에 비해 얇은 gate를 형성하였다. 이 효과로 gate와 drain에 overlap 되는 면적을 줄일 수 있어 gate bottom에 쌓이는 Qgd를 감소시키는 효과를 얻었고, 이에 따른 전기적인 특성을 Silvaco T-CAD silmulation tool을 이용하여 일반적인 Trench MOSFET과 성능을 비교하였다. 그 결과 Ciss(input capacitance : Cgs+Cgd), Coss(output capacitance : Cgd+Cds) 및 Crss(reverse recovery capacitance : Cgd) 모두 개선되었으며, 각각 14.3%, 23%, 30%의 capacitance 감소 효과를 확인하였다. 또한 inverter circuit을 구성하여, Qgd와 capacitance 감소로 인한 24%의 reverse recovery time의 성능향상을 확인하였다. 또한 제안된 소자는 기존 소자와 비교하여 어떠한 전기적 특성저하 없이 공정이 가능하다.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제20권3호
• /
• pp.295-298
• /
• 2016

본 논문에서는 기존 ESD 보호소자인 SCR과 MVSCR, LVTSCR의 Turn-on-Time 및 전기적 특성을 시놉시스사의 T-Cad 시뮬레이션을 통하여 분석하였다. 분석결과 세 소자 모두 대략 2V 에서 3V 내외의 홀딩전압 특성을 보였으며, SCR은 약 20V의, MVSCR은 약 12V, LVTSCR은 9V로 순차적으로 개선된 트리거 특성을 보였다. 턴-온타임 시뮬레이션 결과는 SCR이 2.8ns, MVSCR과 LVTSCR은 각각 2.2ns, 2.0ns로 LVTSCR이 가장 짧은 턴-온 특성을 보였다. 반면 IT2 는 SCR이 약 7.7A, MVSCR은 5.5A LVTSCR은 4A의 특성을 보였으므로 I/O 및 파워 클램프 단에 적용 시 동작전압에 따른 최적화된 소자를 선택해야 한다.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제25권2호
• /
• pp.350-355
• /
• 2021

IGBT는 MOSFET과 BJT의 구조를 동시에 포함하고 있는 전력반도체 소자이며, MOSFET의 빠른 스위칭 속도와 BJT의 고 내압, 높은 전류내량 특성을 갖고 있다. GBT는 높은 항복전압, 낮은 V_CE-SAT, 빠른 스위칭 속도, 고 신뢰성의 이상적인 파워 반도체 소자의 요구사항을 목표로 하는 소자이다. 본 논문에서는 1,200V 급 Trench Gate Field Stop IGBT의 상단 공정 파라미터인 Gate oxide thickness, Trench Gate Width, P+ Emitter width를 변화시키면서 변화하는 Eoff, V_CE-SAT을 분석하였고, 이에 따른 최적의 상단 공정 파라미터를 제시하였다. Synopsys T-CAD Simulator를 통해 항복전압 1,470V와 V_CE-SAT 2.17V, Eon 0.361mJ, Eoff 1.152mJ의 전기적 특성을 갖는 IGBT 소자를 구현하였다.

• 구강회복응용과학지
• /
• 제37권1호
• /
• pp.16-22
• /
• 2021

목적: 표면연마와 제작방법이 임시 수복용 레진의 굽힘강도에 미치는 영향을 분석하고자 한다. 연구 재료 및 방법: 4가지 제작방법을 이용하여 각각 30개의 임시 수복용 레진 시편을 제작하였고, 기계적 연마로 표면연마를 시행한 그룹과 연마를 시행하지 않은 2개의 그룹으로 나누었다. 시편은 37℃ 항온기에 24시간 보관 후 만능시험기(Universal testing machine)을 이용하여 3점 굽힘강도를 측정하였다. 통계분석은 Two-way ANOVA와 Tukey's HSD test, Paired t-test를 이용하여 분석하였다. 결과: 표면연마 여부와 관계없이 CAD/CAM milling으로 제작한 시편이 가장 높은 굽힘강도를 나타냈고, SLA 3D printing, DLP 3D printing, Conventional method 순으로 높은 굽힘강도를 나타냈다. 결론: 표면연마는 임시 수복용 레진의 굽힘강도에 유의한 영향을 끼치지 못했지만(P > 0.05), 제작방법에 의해서는 굽힘강도의 유의한 차이가 나타났다(P < 0.05).