• 자원환경지질
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• 제17권2호
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• pp.101-107
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• 1984

쌍극자 배치 사용시 지하천부에 존재하는 공동으로 인한 외견 비저항을 해석하였다. 쌍극자 배치를 사용한 비저항법을 이용하여 지하공동의 위치나 모양을 밝히는 데는 전도성 물체뿐만이 아니라 저항성 물체에 대한 외견 비저항 반응을 알아야 한다. 이들 물체에 대한 외견 비저항은 적분방정식을 이용한 수치계산 방법으로 구하였다. 외견 비저항의 크기와 패턴은 물체와 주위 비저항의 비율에 따라서 크게 달라진다. 전도성 물체의 경우 최대이상은 물체의 바깥쪽에 나타나지만, 저항성 물체의 경우 최대이상의 출현위치는 물체의 위치와 일치한다. 후자의 예로서 1978년 일본 오끼나와에서 실시한 야외조사에서 최대이상이 공동의 위치에 나타나는 것이 확인되었다.

• Carbon letters
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• 제13권2호
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• pp.121-125
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• 2012

In the present work, exfoliated graphite nanoplatelets (EGN) of 1 ${\mu}m$ in average particle size, which were prepared by heating at $900^{\circ}C$ and then subjected to ultrasonic, ball-milling, and vibratory ball-milling techniques, were uniformly incorporated into phenylethynyl-terminated polyimide (PETI-5) resin. The fracture surface morphology and the electrical resistivity of the EGN/PETI-5 composites were investigated. The results showed that the fracture surfaces and the electrical resistivity strongly depended on the EGN content. The fracture surfaces became more ductile and roughened with increasing EGN and the electrical resistivity was gradually decreased with increased EGN loading, indicating the percolation threshold at 5 wt% EGN.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.216-216
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• 2012

The purpose of this work is to investigate a back surface field (BSF) on variety wafer resistivity for industrial crystalline silicon solar cells. As pointed out in this manuscript, doping a crucible grown Cz Si ingot with Ga offers a sure way of eliminating the light induced degradation (LID) because the LID defect is composed of B and O complex. However, the low segregation coefficient of Ga in Si causes a much wider resistivity variation along the Ga doped Cz Si ingot. Because of the resistivity variation the Cz Si wafer from different locations has different performance as know. In the light of B doped wafer, we made wider resistivity in Si ingot; we investigated the how resistivities work on the solar cells performance as a BSF quality.

• 한국지반공학회:학술대회논문집
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• 한국지반공학회 2008년도 추계 학술발표회
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• pp.1285-1289
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• 2008

Increasing the flood control capacity's link that is enforcing to existing dam by unusual change of weather, While build planing construction by exiting spillway of tunnel type to dam, could know that part bed rock is formed as is different with design. Grasped topography of research area and geology state to definite distribution aspect of different bed rock, Place that achieved Surface geological Survey and correct Survey is difficult in some section enforced Electrical resistivity dipole-dipole investigation. Grasped stratigraphy distribution confirmation and fracture or weathering zone making out siding 2D-Resistivity Electrical resistivity diagram and Reverse analysis diagram, examining closely soil weathered rock rock's distribution state, established stability countermeasure plan

• 지구물리와물리탐사
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• 제7권4호
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• pp.217-224
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• 2004

전남 무안군 해제면 임수리 소재 삼보광산에서 편마암류 또는 유문암내에 열극을 충전한 함금은 광상을 대상으로 지표에서 자연전위탐사와 전기비저항탐사를, 경사 시추공을 이용한 시추공대 지표 비저항 토모그래피 탐사를 실시하였다. 광상은 함금은 석영맥으로 모암 내에는 황철석 등의 황화광물이 광염상으로 배태되기도 한다. 탐사 결과 전기적이상 반응으로 보아 광화대는 N5W 방향으로 폭 $20\~30\;m$, 길이 약 360 m 정도 발달하며, 토모그래피 단면상 지표하 심도 $40\~50\;m$ 깊이에 폭 20 m규모의 이상반응이 확인되었다.

• 전기학회논문지
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• 제58권8호
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• pp.1559-1565
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• 2009

Resistivity changes and intermetallic growth after thermal aging of Matter tin-plated copper sheet for current collector in fuel cell were investigated to survey the diffusion of Cu into Sn in interface and surface. The results show that the intermetallic growth and resistivity depended on thermal aging temperature and dwell time. In Sn plate on a Cu substrate, Cu6Sn5(${\mu}$) and Cu3Sn(${\varepsilon}$) intermetallics layer were formed at plate/substrate interface. Cu6Sn5(${\mu}$) intermetallics layer gradually changed Cu3Sn(${\varepsilon}$). Moreover Cu get through Sn layer and it was diffused in the surface at $200^{\circ}C$. On the other hand, only Cu3Sn(${\varepsilon}$) intermetallics layer were formed at plate/substrate interface at $300^{\circ}C$. Consequently, the intermetallics formation, thermal condition and oxidation of surface, causes increase in the resistivity of Tin-plated copper sheet.

• 한국구조물진단유지관리공학회 논문집
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• 제15권6호
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• pp.212-218
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• 2011

본 논문에서는 실험을 통해 섬유복합 보강근이 콘크리트 표면저항치에 미치는 영향을 고찰하였다. 본 실험에서 콘크리트의 표면저항치는 Wenner기법에 의하여 4probe 방식에 의하여 측정되었다. 이형철근과 국내에서 생산된 GFRP 보강근 및 CFRP 보강근이 사용되었으며, 비교를 위하여 무보강 실험체의 표면저항치도 측정되었다. 기존의 연구에 따르면, 내부에 보강된 이형철근에 의하여 저항치가 영향을 받게 되는데, 보강근의 위치, 깊이 및 보강방향에 의하여 영향을 받는 것으로 보고된바 있다. 본 논문에서는 노후된 콘크리트구조물의 보강재와 신설구조물의 철근을 대신하여 사용될 수 있는 GFRP 및 CFRP 보강근이 사용되었을 때, 표면저항치의 변화를 실험적으로 고찰하였으며, 이 결과는 향후 FRP가 사용된 구조물의 부식상태 파악을 위한 비파괴시험 결과에 대한 평가에 유용하게 사용될 수 있다.

• 지구물리와물리탐사
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• 제10권4호
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• pp.369-376
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• 2007

해수침투가 우려되는 해안지역의 소유역에 설치된 모니터링용 관측정을 이용하여 전기비저항 토모그래피 탐사를 수행하였다. 전기비저항 탐사는 지하 매질의 전기비저항 분포를 통해 지반상태 및 층서구조 등을 밝히는 효과적인 방법이지만, 매질의 전기전도도가 매우 높은 해안지역에서는 신호대 잡음비가 가장 높은 배열법을 사용하는 경우에도 관측정 주변의 전기비저항 특성 파악이 힘들다. 따라서 본 연구에서는 해수침투 관측을 목적으로 설치된 해안지역의 서로 다른 두 곳의 관측정 주변 대수층에 대하여, 신호대 잡음비가 낮아 시추공 주변의 대수층 특성 파악이 어려운 지표 전기비저항 탐사의 한계를 극복하기 위하여 시추공-지표간 전기비저항 토모그래피 탐사를 수행하였다. 탐사자료를 이용한 역산 결과는 각 시추공의 시추 주상도, 전기전도도 검층 및 노말 전기비저항 검층 자료를 이용하여 시추공 주변의 파쇄구간과 비교하여 검증하였다. 또한 이들 중 한 곳의 관측정 주변 대수층에 대하여는, 동일한 탐사 방법을 이용하여 간조와 만조시에 각각 탐사를 실시하였다. 탐사 결과 관측정 주변 대수층에 대하여 높은 해상도의 전기비저항 분포 단면을 획득할 수 있었으며, 조석에 의한 대수층을 통한 해수침투와 관련된 수리특성 파악이 가능함을 확인하였다. 따라서 본 연구에서 사용된 시추공-지표간 전기비저항 토모그래피 탐사 결과를 시추 주상도, 전기전도도 검층 및 노말 전기비저항 검층 결과와 함께 분석하는 경우, 해안지역의 관측정 및 그 주변 대수층의 수리지질 구조를 효과적으로 파악할 수 있는 것으로 나타났다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권9호
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• pp.798-807
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• 2002

ZnO thin films on Si wafer were deposited by RF magnetron reactive sputter with various RF power, chamber pressure, argon/oxygen gas ratios ana substrate temperatures. Crystallinities, surface morphologies, and electrical properties of the films were investigated by XRD, AFM, RBS, and electrometer(keithley 617). ZnO films showed a strong c-axis preferred orientation. Surface roughness and resistivity were changed by the argon/oxygen gas ratio. The minimum surface roughness of 12${\AA}$ and maximum resistivity of $10^8\Omega cm$ were achieved at Ar/O$O_2$=0/100.

• 센서학회지
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• 제24권4호
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• pp.224-227
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• 2015

In this study, 2 wt% Cr-doped Ni thin films were deposited using DC sputtering on a bare Si substrate using a 4 inch target at room temperature. In order to obtain ultrathin films from Cr-doped Ni thin films with high electrical properties and uniform surface, the micro-structure and electrical properties were investigated as a function of deposition time. For all deposition times, the Cr-doped Ni thin films had low average resistivity and small surface roughness. However, the resistivity of the Cr-doped Ni thin films at various ranges showed large differences for deposition times below 90 s. From the results, 120 s is considered as the appropriate deposition time for Cr-doped Ni thin films to obtain the lowest resistivity, a low surface roughness, and a small difference of resistivity. The Cr-doped Ni thin films are prospective materials for microdevices as ultrathin film electrodes.