• 전기학회논문지
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• 제66권12호
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• pp.1792-1798
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• 2017

Event Data Recorder(Car Black-Box) with WiFi dongle have been released, and the platform of the majority is the Linux platform. This is because the platform development is possible in little investment cost by reducing the source licensing costs by taking advantage of the open source. But utilizing Linux platform has the limitations of boot-up time and consuming processing power due to the limitation of battery capacity, to be cost-competitive to minimize the use of memory. In this paper, the real-time operating system(RTOS) is utilized to optimize these portions. MP4 encoder and Muxer are developed to be about ten seconds boot up and minimized memory. It has the advantages of operating at lower power consumption than the Linux utilizing WiFi dongle. Utilizing a WiFi dongle is to provide a progressive download feature on smart phones to lower product prices. But RTOS has the weakness in WiFi. Porting TCP /IP, Web and DHCP server and combination with the USB OTG Host interface by implementing the protocol stack are developed for WiFi. And also SPI NOR flash memory is utilized for faster boot time and cost reductions, low processing power to be consume. As the results, the developed proved the 10 seconds booting time, 24 frame rate/sec. and 10% lower power consumption.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제8권6호
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• pp.1166-1174
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• 2004

본 논문은 TCP/IP 프로토콜 스택을 위한 RISC 기반 송신 래퍼 프로세서의 설계를 기술하였다. 설계된 프로세서는 이중 뱅크 구조를 갖는 입출력 버퍼, 32 비트 RISC 마이크로프로세서, 온라인 체크섬 계산 기능을 갖는 DMA 모듈, 메모리 모듈로 구성되어 있다. TCP/IP 프로토콜의 다양한 동작모드를 지원하기 위해 기존의 상태 머신 기반의 설계 방식이 아닌 RISC 프로세서에 기반을 둔 하드웨어-소프트웨어 공동설계 설계기법이 사용되었다. 데이터 전달 동작과 체크섬 동작의 순차적인 수행에 기인한 커다란 지변 시간을 제거하기 위해, 데이터 전달 동작과 병렬적으로 체크섬 동작을 수행할 수 있는 DMA 모듈이 채택되었다. 가변 크기의 입출력 버퍼를 제외한 프로세서는 0.35${\mu}m$ CMOS 공정 조건에서 약 23,700개의 게이트로 구성되며, 최대 동작 주파수는 약 167MHz를 가짐을 확인하였다.

• 정보보호학회논문지
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• 제19권5호
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• pp.189-194
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• 2009

버퍼오버플로 악성코드 탐지를 위해 대부분의 안티바이러스 프로그램은 공격코드의 시그너처만 비교 탐지하고 있어 알려지지 않은 공격코드에 대해 탐지하지 못하는 문제점이 있다. 본 논문에서는 공격코드에서 필수적으로 사용하는 API의 메모리 실행영역 추적기법을 이용하여 알려지지 않은 공격코드에 대한 탐지기법을 제안한다. 제윤기법 검증을 위해 7개의 샘플 공격코드를 선정하여 8개의 안티바이러스 프로그램과 비교 실험한 결과, 대부분의 안티바이러스 프로그램은 Stack영역만 감시하고 Heap영역은 감시하지 않아 제안적인 탐지만 가능하였다. 이에 대부분의 안티 바이러스 프로그램에서 탐지할 수 없는 공격코드를 제안 기법을 이용하여 탐지할 수 있음을 시뮬레이션 하였다.

• 전자공학회논문지
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• 제51권8호
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• pp.172-177
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• 2014

두 가지 $N_2$ 프로세스(성장 중 반응성 질소 그리고 질소 플라즈마 경화)에 의해 특별히 개선된 AsGeTeS 위에 만들어진 문턱 스위칭 소자를 제시하고자 한다. 적층과 열적 안정적인 소자 구조가 가능한 두 스텝 프로세스에서의 질소의 사용은 나노급 배열 회로의 응용에서의 스위치와 메모리 소자의 집적을 가능하게 한다. 이것의 좋은 문턱 스위칭 특성에도 불구하고 AsTeGeSi 기반의 스위치는 높은 온도에서의 신뢰성 있는 저항 메모리 적용에 중요한 요소를 가진다. 이것은 보통 Te의 농도 변화에 기인한다. 그러나 chalconitride 스위치(AsTeGeSiN)은 $30{\times}30(nm^2)$ 셀에서 $1.1{\times}10^7A/cm^2$가 넘는 높은 전류 농도를 갖는 높은 온도 안정성을 보여준다. 스위치의 반복 능력은 $10^8$번을 넘어선다. 더하여 AsTeGeSiN 선택 소자를 가진 TaOx 저항성 메모리를 사용한 1 스위치-1저항으로 구성된 메모리 셀을 시연하였다.

• 전자공학회논문지C
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• 제36C권9호
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• pp.1-12
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• 1999

본 논문에서는 GMS30C2132마이크로프로세서에 DSP연산을 위하여 128K bytes EPROM과 4K bytes SRAM을 내장하고, 이 과정에서 내/외부 메모리 인터페이스 부분이 프로세서와 1싸이클 엑세스가 이루어지도록 버스 제어 인터페이스 구조를 설계하였다. 내장된 128Kbytes EPROM은 메모리 구조 및 데이터 정렬에 따른 동작을 위해 새로운 데이터 확장 인터페이스 구조와 테스트를 위한 인터페이스 구조를 제안하였으며, 내장된 4K bytes SRAM은 프로세서와 인터페이스를 할 때 DSP 고속 연산에 활용하기 위해 메모리 스택으로써의 이용과 명령어 캐쉬와의 인터페이스, 가변 데이타 크기 제어, 모듈로 4Kb의 어드레싱이 가능한 구조를 채택하여 설계하였다. 본 논문의 새로운 구조 적용으로 내장EPROM, SRAM에서 평균 메모리 엑세스 속도가 종전의 40ns에서 20ns로 감소하였고, 가변 데이타 버스 인터페이스 제어로 프로그램 처리 속도가 2배로 개선되었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제15권5호
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• pp.3121-3131
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• 2014

메모리 관련 취약점은 컴퓨터 시스템 상에서의 가장 위협적인 공격이며 메모리 취약점을 이용한 실제 공격의 또한 증가하고 있다. 따라서 다양한 메모리 보호 메커니즘이 연구되고 운영체제 상에서 구현되었지만, 보호 시스템들을 우회하기 위한 새로운 공격 기법들이 함께 발전하고 있다. 특히, 메모리 관련 공격 기법 중 버퍼 오버플로우 공격은 코드 재사용 공격이라 불리는 Return-Oriented Programming(ROP), Jump-Oriented Programming(JOP)등으로 발전하여 운영체제가 포함하는 메모리 보호 메커니즘을 우회하고 있다. 본 논문에서는 코드 재사용 공격 기법의 특징을 분석하고, 분석된 결과를 이용하여 바이너리 수준에서의 코드 재사용 공격을 탐지할 수 있는 메커니즘을 제안하며, 실험을 통해 제안하는 메커니즘이 코드 재사용 공격을 효율적으로 탐지할 수 있음을 증명한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.233-233
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• 2010

Magnetic random access memory (MRAM), based on magnetic tunnel junction (MTJ) and CMOS, is a prominent candidate among prospective semiconductor memories because it can provide nonvolatility, fast access time, unlimited read/write endurance, low operating voltage and high storage density. The etching of MTJ stack with good properties is one of a key process for the realization of high density MRAM. In order to achieve high quality MTJ stack, the use of CoFeB and IrMn magnetic films as free layers was proposed. In this study, inductively coupled plasma reactive ion etching of CoFeB and IrMn thin films masked with Ti hard mask was investigated in a $Cl_2$/Ar gas mix. The etch rate of CoFeB and IrMn films were examined on varying $Cl_2$ gas concentration. As the $Cl_2$ gas increased, the etch rate monotonously decreased. The effective of etch parameters including coil rf power, dc-bais voltage, and gas pressure on the etch profile of CoFeB and IrMn thin film was explored, At high coil rf power, high dc-bais voltage, low gas pressure, the etching of CoFeB and IrMn displayed better etch profiles. Finally, the clean and vertical etch sidewall of CoFeB and IrMn free layers can be achieved by means of thin Ti hard mask in a $Cl_2$/Ar plasma at the optimized condition.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.167-167
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• 2011

Magnetic random access memory (MRAM) is one of the prospective semiconductor memories for next generation. It has the excellent features including nonvolatility, fast access time, unlimited read/write endurance, low operating voltage, and high storage density. MRAM consists of magnetic tunnel junction (MTJ) stack and complementary metal-oxide semiconductor (CMOS). The MTJ stack is composed of various magnetic materials, metals, and a tunneling barrier layer. For the successful realization of high density MRAM, the etching process of magnetic materials should be developed. Among various magnetic materials, FePt has been used for pinned layer of MTJ stack. The previous etch study of FePt magnetic thin films was carried out using $CH_4/O_2/NH_3$. It reported only the etch characteristics with respect to the variation of RF bias powers. In this study, the etch characteristics of FePt thin films have been investigated using an inductively coupled plasma reactive ion etcher in various etch chemistries containing $CH_4$/Ar and $CH_4/O_2/Ar$ gas mixes. TiN thin film was employed as a hard mask. FePt thin films are etched by varying the gas concentration. The etch characteristics have been investigated in terms of etch rate, etch selectivity and etch profile. Furthermore, x-ray photoelectron spectroscopy is applied to elucidate the etch mechanism of FePt thin films in $CH_4$/Ar and $CH_4/O_2/Ar$ chemistries.

• 정보보호학회논문지
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• 제30권5호
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• pp.881-893
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• 2020

CFI(Control Flow Integrity)는 제어 흐름을 검증해 프로그램을 보호하는 기법이다. 안드로이드 환경에서 애플리케이션 보호를 위해 LLVM Clang 컴파일러가 지원하는 CFI 기법인 IFCC(Indirect Function Call Checks)와 SCS(Shadow Call Stack)이 도입되었다. IFCC가 함수 호출, SCS이 함수 복귀 시 제어 흐름을 보호한다. 본 논문에서는 IFCC, SCS을 적용한 애플리케이션 환경에서 CFI 우회 공격기법을 제안한다. 사용자 애플리케이션에 IFCC, SCS을 적용하여도 애플리케이션 메모리 내 IFCC, SCS으로 보호되지 않은 코드 영역이 다수 존재하는 것을 확인하였다. 해당 코드 영역에서 공격을 위한 코드를 실행해 1) IFCC로 보호된 함수 우회 호출 기법, 2) SCS 우회를 통한 복귀 주소 변조 기법을 구성한다. 안드로이드10 QP1A. 191005.007.A3 환경에서 IFCC, SCS으로 보호되지 않은 코드 영역을 식별하고 개념 증명(proof-of-concept) 공격을 구현해 IFCC, SCS이 적용된 환경에서 제어 흐름 변조가 가능함을 보인다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제23권5호
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• pp.15-20
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• 2023

지금까지는 Pollard의 Rho 알고리즘이 대칭키의 암호를 해독하는 이산대수 문제에 대해 가장 효율적인 방법으로 알려져 있다. 그러나 이 알고리즘은 거인걸음 보폭 m=⌈${\sqrt{p}}$⌉개의 데이터를 저장해야 하는 단점과 더불어 O(${\sqrt{p}}$) 수행 복잡도를 보다 감소시킬 수 있는 방법에 대한 연구가 진행되고 있다. 본 논문은 이산대수의 사이클 검출을 위한 Nivasch의 스택 법의 데이터 갱신 횟수를 73% 이상 감소시키는 배열법을 제안하였다. 제안된 방법은 배열을 적용하였으며, (x_i<0.5x_i-1)∩(x_i<0.5(p-1))인 경우에 한해 배열 값을 갱신하는 방법을 적용하였다. 제안된 방법은 스택법과 동일한 모듈러 연산횟수를 보였지만 스택 법에 비해 이진탐색 법을 적용하여 배열 갱신 횟수와 탐색 시간을 획기적으로 감소시켰다.