• 한국표면공학회지
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• 제48권1호
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• pp.7-10
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• 2015

Recently, oxide TFTs has attracted a lot of interests due to their outstanding properties such as excellent environmental stability, high mobility, wide-band gap energy and high transparency, and investigated through the method using vacuum system and wet solution. In the case of the method using wet solution, process is very simple, however, annealing process should be included. In this study, to overcome the problem of annealing process, atmospheric pressure plasma was used for annealing, and the electrical characteristics such as on/off ration and mobility of device were investigated.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제7권3호
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• pp.42-48
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• 2002

배치(Placement)는 VLSI 회로의 physical design에서 중요한 단계로서 회로의 성능을 최대로 하기 위하여 회로 모듈의 집합을 배치시키는 문제이며, 배치 문제에서 최적의 해를 얻기 위해 클러스터 성장(cluster growth), 시뮬레이티드 어닐링(simulated annealing; SA), ILP(integer linear programming)등의 방식이 이용된다. 본 논문에서는 배치 문제에 대하여 유전자 알고리즘(genetic algorithm; GA)을 이용한 해 공간 탐색(solution space search) 방식을 제안하였으며, 제안한 방식을 시뮬레이티드 어닐링 방식과 비교, 분석하였다.

• 대한교통학회지
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• 제17권5호
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• pp.111-122
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• 1999

소화물 일관 운송 과정에서 발생하는 직접비용을 최소화하는 수리 모형과 해법이 제안되었다. 고려되는 비용으로는 화물 운송을 위한 차량 운행에 필요한 제반 비용인 링크 비용과 터미널에서 일어나는 하차, 분류, 재적 재등 하역 작업에서 발생하는 노드 비용을 감안하였고 총비용을 줄이기 위한 화물의 운송 경로가 모형의 결정변수이다. 해법으로는 최종해의 품질은 다소 미흡하나 계산 시간이 짧은 Steepest Descent Method와 최종해의 품질이 우수하나 계산 시간이 많이 소요되는 Simulated Annealing Method를 활용한 두개의 알고리즘이 고안되었다. 최적해를 찾아가기 위한 탐색의 출발점이 되는 초기해는 Dijkstra의 최단경로 알고리즘을 수정하여 찾는다. 예제를 통하여 알고리즘의 계산 과정을 설명하였고 제시된 두 방법의 최종해는 초기해에 비하여 비용 측면에서 각각 12%. 15%의 절감 효과가 있음을, 적재율 측면에서 초기해의 62.6%에서 각각 774%. 87.4% 향상됨을 확인하였다.

• 한국경영과학회지
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• 제20권1호
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• pp.63-81
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• 1995

This paper presents a model and algorithm for solving the multi-factor plant layout problem. The model can incorporate more than two factors that may be either quantitative or qualitative. The algorithm is based on simulated annealing, which has been successfully applied for the solution of combinatorial problems. A set of problems previously used by various authors is solved to demonstrate the effectiveness of the proposed methods. The results indicate that the proposed methods can yield good quality for each of eleven test problems.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권2호
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• pp.163-168
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• 2014

Bottom gate thin-film transistors were fabricated using solution processed IGZO channel layers with various gallium composition ratios that were annealed on a hot plate. Increasing the gallium ratio from 0.1 to 0.6 induced a threshold voltage shift in the electrical characteristics, whereas the molar ratio of In:Zn was fixed to 1:1. Among the devices, the IGZO-TFTs with gallium ratios of 0.4 and 0.5 exhibited suitable switching characteristics with low off-current and low SS values. The IGZO-TFTs prepared from IGZO films with a gallium ratio of 0.4 showed a mobility, on/off current ratio, threshold voltage, and subthreshold swing value of $0.1135cm^2/V{\cdot}s$, ${\sim}10^6$, 0.8 V, and 0.69 V/dec, respectively. IGZO-TFTs annealed at $300^{\circ}C$, $350^{\circ}C$, and $400^{\circ}C$ were also fabricated. Annealing at lower temperatures induced a positive shift in the threshold voltage and produced inferior electrical properties.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.318.1-318.1
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• 2016

Hafnium Oxide (HfOx) has been attracted as a promising gate dielectric for replacing SiO2 in gate stack applications. In this paper, Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) capacitor with solution processed HfO2 high-k material as a dielectric were fabricated. The solvent using $HfOCl2{\cdot}8H2O$ dissolve in 2-Methoxy ethanol was prepared at 0.3M. The HfOx layers were deposited on p-type silicon substrate by spin-coating at $250^{\circ}C$ for 5 minutes on a hot plate and repeated the same cycle for 5 times, followed by annealing process at 350, 450 and $550^{\circ}C$ for 2 hours. When the annealing temperature was increased from 350 to $550^{\circ}C$, capacitance value was increased from 337 to 367 pF. That was resulted from the higher temperature of HfOx which have more crystallization phase, therefore dielectric constant (k) was increased from 11 to 12. It leads to the formation of dense HfOx film and improve the ability of the insulator layer. We confirm that HfOx layer have a good performance for dielectric layer in MOS capacitors.

• 한국멀티미디어학회논문지
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• 제9권1호
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• pp.119-126
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• 2006

멀티 프로세서 시스템에서 스케쥴링은 매우 중요한 부분이지만, 최적의 해를 구하는 것이 복잡하여 최근 다양한 휴리스틱 방법들에 의한 스케쥴링 알고리즘들이 제안되고 있다. 본 논문에서는 유전 알고리즘을 이용한 새로운 스케쥴링 알고리즘을 제시한다. 또한, 해를 구하는 과정에서 시뮬레이티드 어닐링 (simulated annealing)의 확률을 이용하여 유전 알고리즘의 성능을 개선시킨다. 제시된 알고리즘은 태스크들의 최종 수행 완료 시간 (makespan)을 최소화하는 것을 목표로 한다. 모의 실험을 통하여 제시된 알고리즘이 다른 알고리즘보다 최종 수행 완료 시간이 작음을 확인할 수 있었다.

• 한국정보과학회논문지:시스템및이론
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• 제33권8호
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• pp.486-494
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• 2006

본 논문에서는 병렬처리에서 중요한 이슈인 부하균형 문제에 대한 새로운 솔루션을 소개한다. 솔루션으로 제안하는 MGA 기법은 평균장 어닐링 (MFA)과 유전자 알고리즘 (GA)의 장점을 효과적으로 결합한 휴리스틱 부하균형기법이다. 제안된 MGA을 다른 매핑 알고리즘 (MFA, GA-l, GA-2) 들과의 성능 향상비를 측정하는 멀티프로세서 매핑 시뮬레이션을 개발하였다. 휴리스틱 매핑 기법의 합성을 통하여 기존의 방법보다 수행시간은 오래 걸리는 대신 솔루션 품질, 즉 최대종료시간 및 통신부하에서 개선된 실험 결과를 얻을 수 있다는 것을 보였다.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제12권6호
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• pp.2353-2358
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• 2017

A femtosecond laser pre-annealing process based on indium zinc oxide (IZO) thin-film transistors (TFTs) is fabricated. We demonstrate a stable pre-annealing process to analyze surface structure change of thin films, and we maintain electrical stability and improve electrical performance. Furthermore, dynamic electrical characteristics of the IZO TFTs were investigated. Femtosecond laser pre-annealing process-based IZO TFTs exhibit a field-effect mobility of $3.75cm^2/Vs$, an $I_{on}/I_{off}$ ratio of $1.77{\times}10^5$, a threshold voltage of 1.13 V, and a subthreshold swing of 1.21 V/dec. And the IZO-based inverter shows a fast switching behavior response. From this study, IZO TFTs from using the femtosecond laser annealing technique were found to strongly affect the electrical performance and charge transport dynamics in electronic devices.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제17권2호
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• pp.109-112
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• 2016

We demonstrated an alternative electrically controlled birefringence liquid crystal (ECB-LC) system with ion beam (IB)-irradiated yttrium gallium oxide (YGaO) alignment films using a sol-gel process. The surface roughness of the films was dependent on the annealing temperature; aggregated particles on surface were observed at lower annealing temperatures, whereas a smooth surface could be obtained with higher annealing temperatures. Higher transmittance in the visible region was observed at higher annealing temperatures. The film had an amorphous crystallographic state irrespective of the annealing temperature. Furthermore, ECB-LC cell with our IB-irradiated YGaO film yielded faster response time when compared to ECB-LC cell with rubbed polyimide. Considering the fast response time and high transmittance, the IB-irradiated YGaO-base LC system is a powerful alternative application for the liquid crystal display industry.