In this study, the amorphous foil filler, thickness of 20 - $20~30\mu\textrm{m}$ was made to develop Cu-7.5wt%Mn-7.5wt%Si insert alloy(melting point temperature : solidus line 1003K, liquidus line 1070K). Liquid phase diffusion bonding of 304 stainless steels (STS304), is carried out successfully by using developed Cu-7.5Mn-7.5Si insert alloy. Bonding conditions are taken from bonding pressure of 5MPa, bonding temperatures from 1073K to 1423K varied within 50K and brazing holding times of 0, 30, 60 and 240 minutes. As the results, the tensile strength in the liquid phase diffusion bonding is a little bit lower than that in the solid phase diffusion bonding. The authors find out that the liquid phase diffusion bonding needs lower bonding pressure than the others. Therefore, the liquid phase diffusion bonding had an excellent brazability in which the bonding process showed the typical mechanism of diffusion bonding. In corresponding, the new developed insert alloy of low melting pointed Cu-7.5Mn-7.5Si makes possible brazing between the STS304.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제6권1호
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pp.16-21
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2006
A simple doping method to fabricate a very thin channel body of the p-type FinFETs with a 20 nm gate length by solid-phase-diffusion (SPD) process was developed. Using the poly-boron-films (PBF) as a novel diffusion source of boron and the rapid thermal annealing (RTA), the p-type sourcedrain extensions of the FinFET devices with a threedimensional structure were doped. The junction properties of boron doped regions were investigated by using the $p^+-n$ junction diodes which showed excellent electrical characteristics. Single channel and multi-channel p-type FinFET devices with a gate length of 20-100 nm was fabricated by boron diffusion process using PBF and revealed superior device scalability.
A rolled steel for structural parts and lead bronze alloy were bonded each other by a new semi-solid diffusion bonding process to investigate the effect of the process parameters, for example bonding temperature and bonding time, on the interface characteristics, and bonding behavior. It can be possible that manufacture of the bonded steel/lead bronze which has a cylindrical shape with inserted the lead bronze alloy into the steel ring by the diffusion bonding process under the semi-solid condition of the lead bronze alloy without any pressure and flux. It has been know that the control of the amount of the liquid phase in semi-solid lead bronze alloy was very important to obtain soundness interface, since the shear strength of the bonded steel/lead bronze at 850℃ for 60 minutes under the condition of about 40% of the liquid phase in the lead bronze alloy shows maximum value, 210 MPa. The shear strength increases with an increase in bonding time and show maximum value, and then decreases.
The Principal deficiency of the existing notion about the sintering-mixtures consists in the fact that almost no attention is focused on the Phenomenon of alloy formation during sintering, its connection with dimensional changes of powder bodies, and no correct ideas on the driving force for the sintering process in the stage of establishing chemical equilibrium in a system are available as well. Another disadvantage of the classical sintering theory is an erroneous conception on the dissolution mechanism of solid in liquid. The two-particle model widely used in the literature to describe the sintering phenomenon in solid state disregards the nature of the neighbouring surrounding particles, the presence of pores between them, and the rise of so called arch effect. In this presentation, new basic scientific principles of the driving forces for the sintering process of a two-component powder body, of a diffusion mechanism of the interaction between solid and liquid phases, of stresses and deformation arising in the diffusion zone have been developed. The major driving force for sintering the mixture from components capable of forming solid solutions and intermetallic compounds is attributed to the alloy formation rather than the reduction of the free surface area until the chemical equilibrium is achieved in a system. The lecture considers a multiparticle model of the mixed powder-body and the nature of its volume changes during solid-state and liquid-phase sintering. It explains the discovered S-and V-type concentration dependencies of the change in the compact volume during solid-state sintering. It is supposed in the literature that the dissolution of solid in liquid is realised due to the removal of atoms from the surface of the solid phase into the melt and then their diffusicn transfer from the solid-liquid interface into the bulk of liquid. It has been shown in our experimental studies that the mechanism of the interaction between two components, one of them being liquid, consist in diffusion of the solvent atoms from the liquid into the solid phase until the concentration of solid solutions or an intermetallic compound in the surface layer enables them to pass into the liquid by means of melting. The lecture discusses peculimities of liquid phase formation in systems with intermediate compounds and the role of the liquid phase in bringing about the exothermic effect. At the frist stage of liquid phase sintering the diffusion of atoms from the melt into the solid causes the powder body to grow. At the second stage the diminution of particles in size as a result of their dissolution in the liquid draws their centres closer to each other and makes the compact to shrink Analytical equations were derived to describe quantitatively the porosity and volume changes of compacts as a result of alloy formation during liquid phase sinteIing. Selection criteria for an additive, its concentration and the temperature regime of sintering to control the density the structure of sintered alloys are given.
A simple doping method to fabricate a very thin channel body of the n-type fin field-effect-transistor (FinFET) with a 20 nm gate length by solid-phase-diffusion (SPD) process is presented. Using As-doped spin-on-glass as a diffusion source of arsenic and the rapid thermal annealing, the n-type source-drain extensions with a three-dimensional structure of the FinFET devices were doped. The junction properties of arsenic doped regions were investigated by using the $n^+$-p junction diodes which showed excellent electrical characteristics. Single channel and multi-channel n-type FinFET devices with a gate length of 20-100 nm was fabricated by As-SPD and revealed superior device scalability.
The methods for determining the diffusion parameters for the diffusion of d-limonene, a major volatile compound of orange juice, through a multi-layered food packaging material and predicting its absorption into the packaging material have been investigated. The packaging material used was the 1.5-mm thick multi-layered packaging material composed of high impact polystyrene (HIPS), polyvinylidene chloride (PVDC), and low density polyethylene (LDPE). Orange juice was placed in a cell where volatiles were absorbed in the sample package and kept at $23{\pm}2^{\circ}C$ for 72 hr. The d-limonene absorbed in a 1.5-mm thick multi-layered food packaging material was analyzed by a solid phase micro-extraction (SPME). The absorption parameters for the absorption of d-limonene in the packaging material were determined and absorption of d-limonene into the packaging material was predicted using absorption storage data. The SPME desorption at $60^{\circ}C$ for 1 hr resulted in the most sensitive and reproducible results. The diffusion coefficients of d-limonene in the packaging material and the partition coefficient at $23{\pm}2^{\circ}C$ were approximately $1-2{\times}10^{12}m^2$/s and 0.03, respectively. The absorption profile no earlier than 30 hr was fit well by a model derived from the Fick's law.
Journal of the Korean Society for Industrial and Applied Mathematics
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제13권1호
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pp.31-40
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2009
In the present work transformation of dimensionless heat diffusion equation for the solution of moving boundary problems have been formulated. The formulation is based on 1-D, 2-D and 3-D, unsteady heat diffusion equations. These equations are rst turned int dimensionless form by using dimensionless quantities and their transformation was formulated in liquid and solid phases. The salient feature of this work is that during the transformation of dimensionless heat diffusion equation there arises a convective term $\tilde{v}$ which is responsible for the motion of interface in liquid as well as solid phase. In the transformed heat equation, a correction factor $\beta$ also arises naturally which gives the correct transformed flux at interface.
This paper presents a simplified model for approximate analysis of the solute redistribution in coarsening dendrite arms during solidification of binary metal alloys. By introducing a quadratic concentration profile with a time-dependent coefficient, the integral equation for diffusion in the solid phase is reduced to a simple differential relation between the coefficient and the solid-liquid interface position. The solid fraction corresponding to the system temperature is readily determined from the relation, phase equilibrium and the overall solute balance in which the liquid phase is assumed to be completely mixed. In order to validate the developed model, calculations are performed for the directional solidification of Al-4.9 mass Cu alloy. The predicted eutectic fractions for a wide range of the cooling rate reasonably agree with data from the well-known experiment as well as sophisticated numerical analyses. Also, the results for the back diffusion limits are consistent with available references. Additional calculations show that the characteristic parameters such as the coarsening, density variation and nonlinarity in the phase diagram significantly affect the microsegregation. Owing to the simplicity, efficiency and compatibility, the present model may be suitable for the micro-macroscopic solidification model as a microscopic component.
A simple doping method to fabricate a very thin channel body of the nano-scaled n-type fin field-effect-transistor (FinFET) by arsenic solid-Phase-diffusion (SPD) process is presented. Using the As-doped spin-on-glass films and the rapid thermal annealing for shallow junction, the n-type source-drain extensions with a three-dimensional structure of the FinFET devices were doped. The junction properties of arsenic doped regions were investigated by using the $n^+$-p junction diodes which showed excellent electrical characteristics. The n-type FinFET devices with a gate length of 20-100 nm were fabricated by As-SPD and revealed superior device scalability.
Rene80 superalloy was liquid phase diffusion bonded by using boron(B) as an insert material, where B has high diffusivity and higher melting point as an insert material. Bonding procedure and bonding mechanism of Rene80/B/Rene80 joint were investigated. As results, liquid metal was produced by solid state reaction between base metal and insert material on bonding zone. The liquid metal was produced preferentially at the grain boundary. Except for production of liquid metal, other bonding procedure was nearly same as TLP(Transient Liquid Phase) bonding. Bonding time, however, was reduced compared to prior result of TLP bonding. By bonding S.4ks at l453K, Ren80/B/Rene80 joint was isothermally solidified and homogenized where thickness of insert material was 7.5.mu.m.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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