• 한국결정성장학회지
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• 제12권2호
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• pp.101-109
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• 2002

Hot-wall CVD법으로 SiC/C 경사기능재료를 증착시키는 공정을 열역학적으로 해석하였다. Si-C-H-Cl계에 대한 열역학적 계산을 통해 공정변수(증착온도, 반응기 압력 원료 기체의 C/[Si+C]비와 H/[Si+C]비)가 증착층의 조성과 증착 수율에 미치는 영향을 조사하였고, 이를 통해 SiC/C 경사기능재료 증착에 있어서의 CVD 상평형도와 최적 공정 조건의 범위를 예측할 수 있었다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제8권2호
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• pp.55-58
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• 2009

Density functional theory was used to investigate the adsorption and reaction of $HfCl_4$ with two hydroxyls on Si (001)-$2{\times}1$ surface in atomic layer deposition (ALD) process. We prepared a reasonable Si substrate which consisted of six inter-dimer dissociated $H_2O$ molecules and two intra-dimer dissociated $H_2O$ molecules. The $HfCl_4$must react with two hydroxyls to be a bulk-like structure. When $HfCl_4$ was adsorbed on a hydroxyl, there was energy benefit of -0.55 eV. Though there was energy loss for $HfCl_4$ to react with H of hydroxyl, thermal energy of ALD chamber would be enough to pass the energy barriers. There were five reaction pathways for $HfCl_4$ to react with two hydroxyls; inter-dimer, intra-dimer, cross-dimer, inter-row, and cross-row. Inter-row, inter-dimer and intra-dimer were relatively favorable among the five reaction pathways based on the energy difference. The electron densities between O and Hf in these three reactions were higher than the others and they had shorter Hf-O and O-O bond lengths than the other two reaction pathways.

• 한국재료학회지
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• 제12권11호
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• pp.850-855
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• 2002

Silica powders were prepared from $SiCl_4$-$H_2$O system by chemical vapor deposition process, and investigated on size control of the products with reaction conditions. The products were amorphous and nearly spherical particles with 130nm~50nm in size. The size distribution became narrow with the increase of [$H_2$O]/[SiCl$_4$] concentration ratio. The particle size decreased with the increase of reaction temperature, [$H_2$O]/[SiCl$_4$] concentration ratio and total flow rate. The specific surface area measured by BET method was about three times larger than that of electron microscope method.

• 통합자연과학논문집
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• 제2권2호
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• pp.78-81
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• 2009

In recent years, organometallic polymer containing silane and silole unit has been a topic of interest because of the wide range of optical, electrical and luminescent properties. In previous work, we synthesized functionalsilanebridged[1]ferrocenophane from the reaction of dimethyldichlorosilane[Me2SiCl2] and diphenyldichlorosilane[Ph2SiCl2] and dichloromethylvinylsilane[C3H6SiCl2] with ferrocene$[Fe({\eta}-C5H4)2]$ and n-BuLi. In this work, we have synthesized Poly(ferrocenylsilane) via the Thermal Ring-Opening Polymerization(ROP). characteristics of the poly(ferrocenylsilane) were investigated by gel permeation chromatography(GPC), 1H- and 13C-NMR spectroscopy.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제25권8호
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• pp.1143-1146
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• 2004

A simple and effective procedure for conversion of primary, secondary, allylic and benzylic alcohols into the corresponding iodides is described using $CeCl_3{\cdot}7H_2O/NaI\;over\;SiO_2$ under microwave irradiation. Benzylic alcohols are selectively converted in the presence of saturated alcohols into their corresponding benzylic iodides under these conditions.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제34권4호
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• pp.1221-1224
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• 2013

The atomic layer deposition (ALD) of $ZrO_2$ was conducted in ultrahigh vacuum (UHV) conditions. The surface was exposed to $ZrCl_4$ and $H_2O$ in sequence and the surface species produced after each step were identified in situ with X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). $ZrCl_4$ is molecularly adsorbed at 140 K on the $SiO_2$/Si(111) surface covered with OH groups. When the surface is heated to 300 K, $ZrCl_4$ loses two Cl atoms to produce $ZrCl_2$ species. Remaining Cl atoms of $ZrCl_2$ species can be completely removed by exposing the surface to $H_2O$ at 300 K followed by heating to 600 K. The layer-by-layer deposition of $ZrO_2$ was successfully accomplished by repeated cycles of $ZrCl_4$ dosing and $H_2O$ treatment.

• 한국진공학회지
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• 제13권3호
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• pp.114-119
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• 2004

Si 원료물질로 $SiH_2Cl_2$, N 원료물질로 $NH_3$를 사용하여 증착온도 $550^{\circ}C$에서 P-type Si (100) 기판위에 실리콘 질화막을 원자층 증착 방법으로 형성하고 물리적, 전기적 특성을 평가하였다. 증착된 박막의 두께는 증착 주기의 횟수에 대해 선형적으로 증가하였고, Si와 N 원료물질의 공급량이 $3.0\times10^{9}$ L 일 때 0.13 nm/cycle의 박막 성장속도를 얻을 수 있었다. 원자층 증착된 박막의 물리적 특성을 기존의 저압화학증착 방법에 의해 증착된 박막과 비교한 결과, 원자층 증착 방법을 사용함으로써 기존의 방법보다 증착온도를 $200 ^{\circ}C$이상 낮추면서도 굴절률 및 습식에칭 속도 측면에서 유사한 물성을 가진 실리콘 질화막을 형성할 수 있었다. 특히, 원자층 증착된 박막의 누설 전류밀도는 3 MV/cm의 전기장에서 0.79 nA/$\textrm{cm}^2$로서 저압화학증착 방법에 의해 증착된 질화막의 6.95 nA/$\textrm{cm}^2$보다 우수하였다.

• 센서학회지
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• 제5권1호
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• pp.63-70
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• 1996

RTCVD (rapid thermal chemical vapor deposition) 법을 이용하여 급준한 불순물 농도분포를 갖는 서브마이크론 두께의 실리콘 에피막을 성장하였다. 실리콘 에피막 성장은 $SiH_{2}Cl_{2}\;/\;H_{2}$ 혼합가스를 사용하고, $H_{2}$ probating 공정을 포함하는 여러 가지 공정변수들을 변화하면서 성장계면에서의 불순물 농도 분포의 계면특성 및 성장율, 결정성등을 평가하였다. 실리콘 에피막의 결정성은 $900^{\circ}C$ 에서 $H_{2}$ prebaking 공정 후 동일한 온도에서 성장한 경우에 전위등의 결함이 보이지 않았으며, $SiH_{2}Cl_{2}$ 원료가스의 부피비에 따라 실리콘 에피막의 성장율을 선택함으로서 에피막 두께를 서브마이크론 까지 조절할 수 있었다. 실리콘에피막의 불순물 농도분포는 성장 계면에서 약 $200{\AA}/decade$ 로 급격하게 조절될 수 있음을 SIMS 법에 의한 분석으로 확인하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제9권1호
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• pp.80-83
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• 1999

화학증착에 의한 박막 제조에서는 화학반응을 수반되어 엄밀한 속도론적 분석이 어렵다. 이러한 경우는 열역 학적인 분석이 화학증착공정을 이해하는데 더 유용하고 원하는 박막을 제조하기 위한 최적공정조건을 결정함에 있어서 도 도움이 된다. 이러한 이유로 화학증착 상태도가 사용되어 왔다. 본 연구에서는 C-H 계와 Si-Cl-H 계의 열역학적 분 석을 통하여 열역학이 어떻게 화학증착 공정에 응용될 수 있는가를 보여주려고 하였다. 각 공정변수가 증착 구동력에 미 치는 효과를 결정함으로서, C-H 계에서 다이아몬드가 증착될 수 있는 열역학적인 한계를 계산하였다. Si-Cl-H 계에서는 동 과포화도 곡선을 계산함으로써 화학증착 공정변수의 효과에 대한 부가적인 정보를 얻을 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.109-110
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• 2008

We have performed a density functional theory study to investigate the reaction of the $HfCl_4$ molecule on $H_2O$ terminated Si (001)-$(2\times1)$ surface. The reaction of the $HfCl_4$ molecule is more favorable on OH-terminated site than H-terminated site. The first $HfCl_4$ molecule is adsorbed on a OH-terminated site with 0.21 eV energy benefit. The second $HfCl_4$ molecule is adsorbed on the most adjacent OH-terminated site of the first molecule and the energy benefit is 0.28 eV. The third and forth molecules have same tendency with the first and second ones. The adsorption energies of the fifth and sixth $HfCl_4$ molecules are 0.01 eV, -0.06 eV respectively. Therefore, we find that the saturation Hf coverage is approximately 5/8 of the available hydroxyl site, which is $2.08\times10^{14}/cm^2$. Our model is well matched with an experimental study by reference.