• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제16권5호
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• pp.285-289
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• 2015

We prepared silver Schottky contacts to O-polar and nonpolar m-plane bulk ZnO wafers. Then, by considering various transport models, we performed a comparative analysis of the current transport properties of Ag/bulk ZnO Schottky diodes, which were measured at 300, 200, and 100 K. The fitting of the forward bias current-voltage (I-V) characteristics revealed that the tunneling current is dominant as the transport component in both the samples. Compared to thermionic emission (TE), a stronger contribution of tunneling current was observed at low temperature. The reverse bias I-V characteristics were well fitted with the thermionic field emission (TFE) in both the samples. The presence of acceptor-like adsorbates, such as O₂ and H₂O, modulated the surface conductive state of ZnO, thereby affecting the tunneling effect. The degree of activation/passivation of acceptor-like adsorbates might be different in both the samples owing to their different surface morphologies and surface defects (e.g., oxygen vacancies).

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제13권4호
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• pp.381-386
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• 2013

A new resistance model for a Schottky Barrier Diode (SBD) in CMOS technology is proposed in this paper. The proposed model includes the n-well thickness as a variable to explain the operational behavior of a planar SBD which is firstly introduced in this paper. The model is verified using the simulation methodology ATLAS. For verification of the analyzed model and the ATLAS simulation results, SBD prototypes are fabricated using a $0.13{\mu}m$ CMOS process. It is demonstrated that the model and simulation results are consistent with measurement results of fabricated SBD.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1996년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1612-1614
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• 1996

Analytical expression for the breakdown voltage of the Schottky diode with double epitaxial layer has been obtained. Analytical results agree reasonably with the numerical simulations using MEDICI. It is expected that our results can be used for the optimum design of power MOSFET as well as the Schottky diodes with double epitaxial layer.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.30-33
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• 1999

본 연구에서는 Pt/f4-SiC Schottky barrier diodes(SBDs)의 소자 성능향상과 미세구조와의 상관관계를 규명하였다. 다른 열처리 온도구간에 따른 금속/SiC 계면의 미세구조 평가는 X-ray scattering법을 사용하여 분석하였다. 소자의 역 방향 특성은 열처리 온도가 증가함에 따라 저하되었다. As-deposited와 $850^{\circ}C$ 온도에서 열처리된 소자의 최대 항복전압은 각각 1300 V와 626 V 이었다. 그러나, 소자의 순방향 특성은 열처리 온도가 증가함에 따라 향상되었다. X-ray scattering법으로 >$650^{\circ}C$ 이상의 열처리 온도에서는 Pt/SiC 계면에서 Pt-silicides가 형성되었고, 이러한 Silicides의 형성이 Pt/SiC 계면의 평활도를 증가시킨 원인이 됨을 보였다. SBDs의 순방향 특성은 열처리 과정동안 Pt/SiC 계면에서 형성된 silicides의 결정성에 강하게 의존함을 알 수 있었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제10권2호
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• pp.152-159
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• 2010

We propose a semi-analytical current conduction model for depletion-mode n-type nanowire field-effect transistors (NWFETs) with top-gate structure. The NWFET model is based on an equivalent circuit consisting of two back-to-back Schottky diodes for the metal-semiconductor (MS) contacts and the intrinsic top-gate NWFET. The intrinsic top-gate NWFET model is derived from the current conduction mechanisms due to bulk charges through the center neutral region as well as of accumulation charges through the surface accumulation region, based on the electrostatic method, and thus it includes all current conduction mechanisms of the NWFET operating at various top-gate bias conditions. Our previously developed Schottky diode model is used for the MS contacts. The newly developed model is integrated into ADS, in which the intrinsic part of the NWFET is developed by utilizing the Symbolically Defined Device (SDD) for an equation-based nonlinear model. The results simulated from the newly developed NWFET model reproduce considerably well the reported experimental results.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.53-53
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• 2000

반도체 산업에서 유기물질의 응용에 많은 관심을 나타내고있으며, 그 응용의 예로는 발광 다이오드(light emitting diode)와 박막트랜지스터(thinfilm transistor)가 주를 이루고 있다. 이러한 유기 물질을 이용하면 소자의 제작 공정의 단순화와 제작 가격을 낮출 수 있는 이점을 기대할 수 있다. 본 연구에서는 유리 기판 위에 pentcence 다이오드를 제작하였다. 유리 기판 위에 silicon dioxide를 PECVD으로 성막하였다. 전극으로는 Ohmic contact를 이루기 위해 금(Au)을 사용하였으며 schottky contact을 이루기 위해서 알루미늄(Al), 인듐(In), 크롬(Cr), 은(Ag), 금(Au)을 각각 사용하였다. 소자의 활성 층으로는 pentcene을 가장 단순한 열 증착법으로 성막하였고, 진공도는 10-8Torr를 유지하였으며 성막 속도는 0.3 $\AA$/sec로 성막하였다. 제작된 소자들은 $\alpha$-step, I-V, C-V, AFM, IR등을 이용하여 측정, 분석하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제35권3호
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• pp.241-245
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• 2022

In this study, we measured and comparatively analyzed the characteristics of MPS (Merged Pin Schottky) diodes in 4H-SiC by changing the areal ratio between the Schottky and PN junction region. Increasing the temperature from 298 K to 473 K resulted in the threshold voltage shifting from 0.8 V to 0.5 V. A wider Schottky region indicates a lower on-resistance and a faster turn-on. The effective barrier height was smaller for a wider Schottky region. Additionally, the depletion layer became smaller under the influence of the reduced effective barrier height. The wider Schottky region resulted in the ideality factor being reduced from 1.37 to 1.01, which is closer to an ideal device. The leakage saturation current increased with the widening Schottky region, resulting in a 1.38 times to 2.09 times larger leakage current.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권10호
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• pp.25-34
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• 2002

본 논문에서는 코발트 실리사이드가 형성된 얕은 p+-n과 n+-p 접합의 전류-전압 특성을 분석하여 silicidation에 의해 형성된 Schottky contact 면적을 구하였다. 역방향 바이어스 영역에서는 Poole-Frenkel barrier lowering 효과가 지배적으로 나타나서 Schottky contact 효과를 파악하기가 어려웠다. 그러나 Schottky contact의 형성은 순방향 바이어스 영역에서 n+-p 접합의 전류-전압 (I-V) 동작에 영향을 미치는 것으로 확인되었다. 실리사이드가 형성된 n+-p 다이오드의 누설전류 증가는 실리사이드가 형성될 때 p-substrate또는 depletion area로 코발트가 침투퇴어 Schottky contact을 형성하거나 trap들을 발생시켰기 때문이다. 분석결과 perimeter intensive diode인 경우에는 silicide가 junction area까지 침투하였으며, area intensive junction인 경우에는 silicide가 비록 공핍층이나 p-substrate까지 침투하지는 않았더라도 공핍층 근처까지 침투하여 trap들을 발생시켜 누설전류를 증가시킴을 확인하였다. 반면 p+-n 다이오드의 경우 Schottky contact이발생하지 않았고 따라서 누설전류도 증가하지 않았다. n+-p 다이오드에서 실리사이드에 의해 형성된 Schottky contact 면적은 순방향 바이어스와 역방향 바이어스의 전류 전압특성을 동시에 제시하여 유도할 수 있었고 전체 접합면적의 0.01%보다 작게 분석되었다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1998년도 IUMRS-ICEM ABSTRACT BOOK
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• pp.112.2-112
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• 1998

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권6호
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• pp.7-12
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• 2010

유기물 쇼트기 다이오드 회로 설계시에 사용가능한 소자의 모델을 구현하였다. AHDL을 이용하여 상용 CAD 환경으로 보편적으로 사용되는 Spectre의 설계환경에서 측정 결과를 입력 파라미터로 반영하여 회로 시뮬레이션을 할 수 있는 환경을 구성하였다. 유기물 RFID의 구현에 필수적인 정류회로를 제작하여 회로의 주파수 특성을 측정하였으며, AHDL 모델을 사용한 시뮬레이션 결과와 비교하였다. 제작된 정류회로의 주파수 특성은 13.56MHz의 RFID 동작을 만족시키기에는 부족하지만, 135kHz 주파수 대역 RFID에서는 동작이 가능하다.