JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
/
v.3
no.1
/
pp.1-12
/
2003
This paper describes a study on the abnormal behavior of the electrical characteristics of the (n)GaAs/Ti/Pt/Au Schottky contacts prepared by the two techniques of electron beam deposition and rf sputtering and after an annealing treatment. The samples were characterized by I-V and C-V measurements carried out over the temperature range of 150 - 350 K both in the as prepared state and after a 300 C, 30 min. anneal step. The variation of ideality factor with forward bias, the variation of ideality factor and barrier height with temperature and the difference between the capacitance barrier and current barrier show the presence of a thin interfacial oxide layer along with barrier height inhomogenieties at the metal/semiconductor interface. This barrier height inhomogeneity model also explains the lower barrier height for the sputtered samples to be due to the presence of low barrier height patches produced because of high plasma energy. After the annealing step the contacts prepared by electron beam have the highest typical current barrier height of 0.85 eV and capacitance barrier height of 0.86 eV whereas those prepared by sputtering (at the highest power studied) have the lowest typical current barrier height of 0.67 eV and capacitance barrier height of 0.78 eV.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
/
v.20
no.3
/
pp.33-39
/
1983
New Schottky devices with thin stepped oxide layer (about 1000 ${\AA}$) along the edge of metal-semiconductor junction have been designed and fabricated. The breakdown voltages of these diodes have been compared with those of conventional metal overlap and P guard ring Schottky diode structures. Thin stepped oxide layer has been grown by the process of T.C.E. oxidation. In order to compare and demonstrate the improved down phenomena of these devices, conventional metal overlap diode and P guard ring which have the same dimension with new devices have also been integrated in a same New Schottty devices structured with thin stepped oxide layer have shown significant improvement in breakdown phenomena compared with conventional diodes.
Kim, Se Hyun;Jung, Chan Yeong;Kim, Hogyoung;Cho, Yunae;Kim, Dong-Wook
Transactions on Electrical and Electronic Materials
/
v.16
no.3
/
pp.151-155
/
2015
We fabricated the Cu Schottky contact on an n-type Ge wafer and investigated the forward bias current-voltage (I-V) characteristics in the temperature range of 100~300 K. The zero bias barrier height and ideality factor were determined based on the thermionic emission (TE) model. The barrier height increased and the ideality factor decreased with increasing temperature. Such temperature dependence of the barrier height and the ideality factor was associated with spatially inhomogeneous Schottky barriers. A notable deviation from the theoretical Richardson constant (140.0 Acm-2K-2 for n-Ge) on the conventional Richardson plot was alleviated by using the modified Richardson plot, which yielded the Richardson constant of 392.5 Acm-2K-2. Finally, we applied the theory of space-charge-limitedcurrent (SCLC) transport to the high forward bias region to find the density of localized defect states (Nt), which was determined to be 1.46 × 1012 eV-1cm-3.
The annealing effects of Au/Te/Au/n-GaAs structure was investigated by using x-ray diffraction, scanning electron microscope, the specific contact resistance and I-V measurement. Increasing the annealing temperature, the intensity of Au-Ga peak by X-ray diffraction was increased. The Ga$\_$2/Te$\_$3/peak got evident for the samples annealed at 400.deg. C and GaAs peak by recrystallization appeared for the samples annealed at 500.deg. C. The variation from the schottky to low resistance contact was confirmed by I-V curve. The lowest value of the specific contact resistance of the samples annealed at 500.deg. C was 3.8*10$\^$-5/.ohm.-cm$\^$2/ but the value increased above 600.deg. C.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
/
v.20
no.7
/
pp.16-19
/
2019
A thinner film has superior electrical properties and a better amorphous structure. Amorphous structures can be effective in improving conductivity through a depletion effect. Research is needed on the Schottky contact, where potential barriers are formed, as a way to identify these characteristics. $SiO_2/SnO_2$ thin films were prepared to examine the amorphous structure and Schottky contact, $SiO_2$ thin films were prepared using Ar = 20 sccm. $SnO_2$ thin films were deposited using mixed gas with a flow rate of argon and oxygen at 20 sccm, and $SnO_2$ thin films were added by magnetron sputtering and treated at $100^{\circ}C$ and $150^{\circ}C$. To identify the conditions under which the amorphous structure was constructed, the XRD patterns were investigated and C-V and I-V measurements were taken to make Al electrodes and perform electrical analysis. The depletion layer was formed by the recombination of electrons and holes through the heat treatment process. $SiO_2/SnO_2$ thin films confirmed that the pores were well formed when heat treated at $100^{\circ}C$ and an electric current was applied over the micro area. An amorphous $SiO_2/SnO_2$ thin film with heat treatment at $100^{\circ}C$ showed no reflection at $33^{\circ}\;2{\theta}$ in the XRD pattern, and a reflection at $44^{\circ}2\;{\theta}$. The macroscopic view (-30 V
Chun, Seungju;Kim, Soo Min;Lee, Seunghun;Yang, Gwangseok;Kim, Jihyun;Kim, Donghwan
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
/
2014.02a
/
pp.318.2-318.2
/
2014
The high contact resistance is still one of the major issues to be resolved in CdS/CdTe thin film solar cells. CdTe/Metal Schottky contact induced a high contact resistance in CdS/CdTe solar cells. It has been reported that the work function of CdTe thin film is more than 5.7 eV. There has not been a suitable back contact metal, because CdTe thin film has a high work function. In a few decades, some buffer layer was reported to improve a back contact problem. Buffer layers which are Te, $Sb_2Te_3$, $Cu_2Te$, ZnTe:Cu and so on was inserted between CdTe and metal electrode. A formed buffer layers made a tunnel junction. Hole carriers which was excited in CdTe film by light absorption was transported from CdTe to back metal electrode. In this report, we reported the variation of solar cell performance with different buffer layer at the back contact of CdTe thin film solar cell.
DC characteristics of recessed gate 4H-SiC MESFET were investigated using the device/circuit simulation tool, PISCES. Results of theoretical calculation were compared with the experimental data for the extraction of modeling parameters which were implemented for the prediction of DC and gate leakage characteristics at high temperatures. The current-voltage analysis using a fixed mobility model revealed that the short channel effect is influenced by the defects in SiC. The incomplete ionization models are found out significant physical models for an accurate prediction of SiC device performance. Gate leakage is shown to increase with the device operation temperatures and to decrease with the Schottky barrier height of gate metal.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
/
v.17
no.5
/
pp.293-296
/
2016
Using capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/ω-V) measurements, the electrical properties of Cu/n-InP Schottky diodes were investigated. The values of C and G/ω were found to decrease with increasing frequency. The presence of interface states might cause excess capacitance, leading to frequency dispersion. The negative capacitance was observed under a forward bias voltage, which may be due to contact injection, interface states or minority-carrier injection. The barrier heights from C-V measurements were found to depend on the frequency. In particular, the barrier height at 200 kHz was found to be 0.65 eV, which was similar to the flat band barrier height of 0.66 eV.
Park, Seung-Wook;Kang, Soo-Chang;Park, Jae-Young;Shin, Moo-Whan
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
/
2001.11b
/
pp.238-242
/
2001
In this paper, the current-voltage characteristics of a 4H-SiC MESFET is simulated by using the Atlas Simulation tool. we are able to use the simulator to extract more information about the new material 4H-SiC, including the mobility, velocity-field Curve and the Schottky barrier height. We have enabled and used the new simulator to investigate breakdown Voltage and thus predict operation limitiations of 4H-SiC device. Modeling results indicate that the Breakdown Voltage is 197 V and Current is 100 mA
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
/
2001.11a
/
pp.238-242
/
2001
In this paper, the current-voltage characteristics of a 4H-SiC MESFET is simulated by using the Atlas Simulation tool. we are able to use the simulator to extract more information about the new material 4H-SiC, including the mobility, velocity-field Curve and the Schottky barrier height. We have enabled and used the new simulator to investigate breakdown Voltage and thus predict operation limitations of 4H-SiC device. Modeling results indicate that the Breakdown Voltage is 197 V and Current is 100 mA
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.