• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 2003.10b
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• pp.364-366
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• 2003

수준 높은 소프트웨어의 품질과 개발, 유지보수 비용의 최소화, 제품 출하시간의 단축을 위하여 소프트웨어 프로세스에 대한 예측, 통제 가능성을 증가시키기 위함이다. 기업이 최고도의 높은 수준에 도달하기 의해서는 정량적인 모델에 의한 프로젝트 관리가 필요하다. 따라서 기업들은 SPICE/CMM와 같은 표준을 사용하여 조직의 프로세스 능력 수준을 평가하고 수준향상을 꾀한다. 조직의 프로세스의 능력을 평가하고 수준향상을 위해서는 신뢰성 있는 SPICE 심사의 심사결과에 대한 객관적인 신뢰성의 보장과 좀더 적은 비용으로 프로세스의 수준향상을 할 수 있는 방법이 필요하다. 본 논문에서는 SPICE 심사의 신뢰성을 얻기 위해 CMM/KPA 설문서를 통해 심사하고 SPICE심사의 결과를 비교 분석하여 SPICE심사의 신뢰성을 검증한다. 또한 이를 기반으로 CMM/KPA 설문서의 정량적인 모델을 제안함으로서 좀더 적은 비용과 시간으로 SPICE 심사의 결과와 같은 효과를 얻을 수 있게 한다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.5
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• pp.417-427
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• 1993

액체질소하에서의 물리적인 현상 및 실험결과를 통하여 캐리어 냉동현상, 좁은 폭 및 숏트 채널효과를 포함한 문턱전압 모델, Surface Roughness Scattering 및 Ioniaed Impurity Scattering을 포함한 이동도 모델과 적합한 기판 전류모델이 제안되었으며 이 모델들은 모의실험 프로그램인 BSIM과 SPICE에 이식되었다. 제작된 링 오실레이터와 리플 가산기에 적용한 결과 측정한 데이타와 잘 부합되었다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.47 no.4
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• pp.7-12
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• 2010

We have developed a SPICE compatible model of thermoelectric devices, and a parameter extracting technique only by electrical and temperature measurement by using Harman method was proposed. The proposed model and parameter extraction technique do not require experimental data from thermal conductivity measurements. The maximum error between extracted parameters extracted by proposed method and conventional method was about 14%, which is not a severe mismatch for real application. The proposed model is applicable to design of both for thermoelectric coolers and thermo electric generators.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 2005.11b
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• pp.304-306
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• 2005

많은 기업들이 소프트웨어 프로세스 개선을 위해 SPICE와 CMMI와 같은 소프트웨어 프로세스 모델 및 표준을 도입하고 있다. SPICE를 도입하고 추진하고 과정 속에서 경험은 중요한 역할을 한다. 특히 경험은 프로젝트 참여자들로 하여금 불확실한 상황에서 좀 더 나은 대안을 선택하게 해준다. 과거의 경험을 활용하기 위해서는 경험을 수집하고 분석하고 저장한 후에 활용하기 위한 시스템을 갖추어야 한다. 본 논문에서는 SPICE 경험을 국적하고 활용할 수 있는 SEF(SPICE Experience Factory) 모델을 제안한다. SPICE 심사 결과를 수집하여 루트워드를 사용하여 분석한 후 데이터베이스에 저장하여 웹기반 툴로 개발하였다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.37 no.10
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• pp.11-16
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• 2000

The SPICE model of the spiral inductor on silicon substrate which can be easily used for the RF IC design has been developed. In this proposed model the equivalent circuit element of the spiral inductor are defined by the layout and process parameters using the user-defined function and subcircuit of the SPICE. The total inductance is calculated using the subcircuit Li for the arbitrary turn i and the subcircuit Mij for two arbitrary turns. The model was verified by comparing the simulated data with the measured s-parameters, total inductance, and quality factor of the spiral inductor fabricated by the CMOS 0.8${\mu}m$ process. The proposed SPICE model of the spiral inductor is scalable and includes the effects of the silicon substrate.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.45 no.2
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• pp.7-12
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• 2008

In this study, the wide width effect that the increasing rate of drain current and the value of cutoff frequency decrease with larger finger number is observed. For modeling this effect, an improved SPICE MOSFET RF model that finger number-independent external source resistance is connected to a conventional BSIM3v3 RF model is developed. Better agreement between simulated and measured drain current and cutoff frequency at different finger number is obtained for the improved model than the conventional one, verifying the accuracy of the improved model for $0.13{\mu}m$ multi-finger MOSFET.

• Proceedings of the Korea Multimedia Society Conference
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• 2002.11b
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• pp.51-54
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• 2002

소프트웨어 프로세스를 개선하여 소프트웨어의 품질 및 생산성을 높이고 조직의 업무를 효과적으로 달성할 수 있는 체계적인 프로세스를 수립하고 지속적으로 프로세스를 개선함으로서 프로세스의 수행능력을 향상시키기 위한 접근 방법이 많이 시도되고 있다. 본 논문에서는 소프트웨어 프로세스 개선 및 심사 모델로서 ISO에서 표준으로 제정중인 ISO 15504(SPICE)와 2000년 발표된 CMM(SEI)의 CMMI 모델에 관하여 비교 연구하고 사례연구로 형상관리 프로세스에 대하여 그 활동을 비교 분석한다.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2000.04a
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• pp.723-728
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• 2000

소프트웨어 프로세서 개선(SPI)의 목적은 조직의 소프트웨어 프로세서 능력을 향상시키는데 있다. SPICE 표준의 기본 목표는 소프트웨어 프로세서 개선과 능력수준의 결정이며 적용대상 범위로 ISO 12207에 근거한 프로세스 계획, 관리, 실행, 통제 및 개선에 두고 있다. 본 논문에서는 SPICE 모형의 심사모형 및 참조모형을 분석하고 능력수준과 프로세스들간의 관련성을 조사 하였다. 또한 기존의 SPI모델 CMM과의 비교를 통하여 SPICE에 장점과 향후 방향을 예측하였다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.21 no.8
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• pp.1465-1470
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• 2017

In conventional MOSFETs, the silicon thickness is always larger than inversion layer, so that the drain induced barrier lowering (DIBL) is expressed as a function of oxide thickness and channel length regardless of silicon thickness. However, since the silicon thickness is fully depleted in the sub-10 nm low doped double gate (DG) MOSFET, the conventional SPICE model for DIBL is no longer available. Therefore, we propose a novel DIBL SPICE model for DGMOSFETs. In order to analyze this, a thermionic emission and the tunneling current was obtained by the potential and WKB approximation. As a result, it was found that the DIBL was proportional to the sum of the top and bottom oxide thicknesses and the square of the silicon thickness, and inversely proportional to the third power of the channel length. Particularly, static feedback coefficient of SPICE parameter can be used between 1 and 2 as a reasonable parameter.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.36D no.5
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• pp.54-61
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• 1999

We suggested a macro medel for MOS transistors, which incorporates the distributed substrate resistance by using a method which utilizes external diodes on SPICE MOS model. By fitting the simulated s-parameters to the measures ones, we obtained a model set for the W=200TEX>$\mu\textrm{m}$ and L=0.8TEX>$\mu\textrm{m}$ NMOS transistor, and also analyzed the effects of distributed substrate resistance in the RF range. By comparing the physical parameters calculated from simulated s-parameters such as ac resistances and capacitances with the measured ones, we confirmed the validity of the simulation results. For the frequencies below 10GHz, it seems appropriated to use a simple macro model which utilizes the existing SPICE MOS model with junction diodes, after including one lumped resistor each for gate and substrate nodes.