Electrical & Electronic Materials (E2M - 전기 전자와 첨단 소재)
- Volume 6 Issue 5
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- Pages.417-427
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- 1993
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- 2982-6268(pISSN)
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- 2982-6306(eISSN)
SPICE modeling of CMOS devices at liquid nitrogen temperature
액체질소하에서 CMOS 소자의 SPICE modeling
Abstract
액체질소하에서의 물리적인 현상 및 실험결과를 통하여 캐리어 냉동현상, 좁은 폭 및 숏트 채널효과를 포함한 문턱전압 모델, Surface Roughness Scattering 및 Ioniaed Impurity Scattering을 포함한 이동도 모델과 적합한 기판 전류모델이 제안되었으며 이 모델들은 모의실험 프로그램인 BSIM과 SPICE에 이식되었다. 제작된 링 오실레이터와 리플 가산기에 적용한 결과 측정한 데이타와 잘 부합되었다.
Keywords