• 제목/요약/키워드: S-doping

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Effect of Co-doping in Indium-Zinc-Tin Oxide based transparent conducting oxides sputtering target

  • 서한;최병현;지미정;원주연;남태방;주병권
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.108-108
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    • 2009
  • ITO에 사용되는 주된 재료인 인듐의 bixbyite 구조는 TCOs의 전기적 특성에서 매우 중요한 것으로 알려져 있다. 때문에 인듐의 Bixbyite구조를 유지하면서 인듐의 사용량을 줄이기 위해 최적의 Solubility limit에 관해 연구하였다. 이를 위해 In2O3-ZnO-SnO2의 삼성분계 기본 조성에 두가지 물질을 추가로 첨가하여 첨가량에 따른 Solubility limit을 연구하였다. Solubility limit의 측정을 위해 X-ray Diffractometer(XRD)를 사용하였으며, 첨가 원소의 양이 증가할수록 TCOs target의 Latice parameter값은 작아졌다, SEM을 통한 미세구조의 관찰로 원소첨가에 따른 샘플의 소결에너지 변화를 분석할 수 있었다. 제작된 시편의 정성분석 및 Chemical binding Energy를 측정하기 위해 X-ray Photo Spectroscopy (XPS)를 이용하였으며, 전기적인 특성 측정을위해 4-Point prove mesurement 방법을 사용하였다.

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RESURE LDMOS의 항복전압에 관한 이론적인 고찰 (A theoretical study on the breakdown voltage of the RESURF LDMOS)

  • 한승엽;정상구
    • 전자공학회논문지D
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    • 제35D권8호
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    • pp.38-43
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    • 1998
  • An analytical model for the surface field distribution of the RESURF (reduced surface field)LD(lateral double-diffused) MOS is presented in terms of the doping concentration, the thickness of the n epi layer, the p substrate concentration, and the epi layer length. The reuslts are used to determine the breakdown voltage due to the surface field as a function of the epi layer length. The maximum breakdown voltage of the device is found to be that of the vertical n$^{+}$n$^{[-10]}$ p$^{[-10]}$ junction. Analytical results of the breakdown voltage vs. the epi layer length agree well with the numerical simulation results using MEDICI.I.

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자성반도체 Co-doped ZnO 다결정계의 구조 및 강자성 특성 (The studies of Structure and Ferromagnetism on Co doped ZnO powders)

  • 박정환;장현명;김민규
    • 한국재료학회:학술대회논문집
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    • 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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    • pp.176-176
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    • 2003
  • 강자성 반도체(DMS)는 반도체에 전이금속을 doping함으로써 반도체의 전자 수송 특성과 전이 금속 이온에 의한 자기적 특성을 동시에 발현할 수 있도록 설계된 물질로서 '스핀 전자공학'의 구현을 위해 현재 활발히 연구되고 있는 분야이다. 특히 높은 전기 전도도와 투명 광 특성을 가지는 ZnO계는 전이금속을 첨가 할 경우 상온에서도 강자성 특성을 보일 것이라는 연구가 발표 된 이후 큰 주목을 받고 있으며, 실제로 Tc가 상온 이상인 결과들이 최근 발표되고 있다. 그러나 PLD에 의해 증착 된 Co-doped ZnO 경우 강자성 물성의 재현성이 아주 낮은 것으로 알려져 있는 둥 강자성 발현의 기원이 아직도 명확히 규명되지 못한 상태이다. 이에 본 연구에서는 Co-doped ZnO 계의 강자성 발현의 기원을 밝히고자 고상 반응법을 이용하여 다결정계를 제조한 후 X-선 회절 분석과 Raman 분광법을 이용하여 제2차상의 존재 유무 및 Co 이온의 치환 정도를 분석하였다. 다음으로 방사광 EXAFS 분석을 행하여 ZnO내에서의 Co 이온의 원자가 상태를 분석하고, PPMS를 사용 M-T curve를 측정/분석함으로써 강자성 발현의 기원을 규명하고자 하였다.

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Exofocal Damage to the Substantia Nigra by Transient Middle Cerebral Artery Occlusion in Rats

  • Jin, Changbae;Yanai, Kazuhiko;Araki, Tsutomu;Watanabe, Takehiko
    • 한국응용약물학회:학술대회논문집
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    • 한국응용약물학회 1996년도 춘계학술대회
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    • pp.215-215
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    • 1996
  • The present study examined chronic effects of transient focal cerebral ischemia on the substantia nigra, a remote exofocal area, using immunohistochenmical and receptor autoradiographic techniques. Transient focal cerebral ischemia was induced by middle cerebral artery (MCA) occlusion for 60 or 90 min followed by reperfusion using silicone-coated 4-0 nylon monofilament in male Wistar rats. After 1- or 2-week reperfusion following transient MCA occlusion, there were partial losses of tyrosine hydroxylase-immunoreactive dopaminergic neurons, incieases in glial fibrillary acidic protein-immunoreactive cells (gliosis), decreases in [$^3$H]YM-09151-2 binding for dopamine D$_2$ receptors, and marked atrophy in the ipsilateral substantia nigra. The precise mechanism(s) of exofocal damage to the substantia nigra is remained to be elucidated.

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졸-겔법에 의한 $Zn_2$$SiO_4$:Mn, Al 녹색 형광체의 제조 및 발광 특성 (Preparation and Luminescence Properties of $Zn_2$$SiO_4$:Mn,Al Green Phosphors by Sol-gel Technique)

  • 박희동;성부용;한정화;김대수
    • 한국세라믹학회지
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    • 제38권4호
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    • pp.337-342
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    • 2001
  • PDP(Plasma Display Panel)용 녹색 형광체인 Zn$_2$SiO$_4$:Mn에 채-dopant로 Al을 첨가하여 졸-겔법으로 합성하였다. 졸-겔법으로 제조한 형광체는 기존의 고상 반응에 의해 합성된 경우보다 낮은 온도(1000-110$0^{\circ}C$)에서 Zn$_2$SiO$_4$단일상을 형성하였으며, 300-500nm의 비교적 균일한 입자를 얻을 수 있었다. 또한, co-dopant인 Al을 첨가함으로써 발광휘도를 향상시키고, 전광시간을 줄일 수 있었다. 한편, TEOS의 가수분해시 $H_2O$/TEOS 비율을 조절하여 발광의 최적 조건을 조사하였다.

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알칼리토족 이온을 함유한 페로브스카이트형 산화물의 감습특성에 관한 연구 (A Study on the Humidity Sensitive Characteristics of Perovskite-type Oxides Containing Alkaline Earth Ions)

  • 육재호;이능헌;강대하;한상옥;박광현;이덕출
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1992년도 하계학술대회 논문집 B
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    • pp.737-739
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    • 1992
  • The microstructure and humidity sensitive characteristics of $V_2O_5$ doped $CaTiO_3$ were studied. Sensing elements were prepared in bulk form. This element exhibits a porous structure. The grain grows and electrical conductivity increases as doping amount of $V_2O_5$ increases. The change of impedance and capacitance under different r.h is remarkable, and the conduction carriers of this element were ions.

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원통형 접합경계를 갖는 punchthrough 다이오드의 항복전압에 대한 해석적 계산 (Analytical Calculation for the Breakdown Voltage of the Punchthrough Diode with Cylindrical Junction Edge)

  • 김두영;김한수;최연익;한민구
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1994년도 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.1448-1450
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    • 1994
  • The breakdown voltages of punchthrough-mode diodes with cylindrical junction are analytically calculated, The proposed method, which is based on th Gauss's law, estimates the lateral expansion of the depletion region as well as the electric field and the charge distribution. The proposed method is given in terms of epitaxial layer width, the epitaxial layer doping concentration, and curvature radius of the junction edge. The calculation results agree well with the MEDICI simulation results for various device parameters.

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Spherical 구조를 갖는 고전압용 Analog CMOS의 Drain 역방향 항복전압의 계산 방법 (The Calculation Method of the Breakdown Voltage for the Drain Region with the Spherical Structure in High Voltage Analog CMOS)

  • 이은구
    • 전기학회논문지
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    • 제62권9호
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    • pp.1255-1259
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    • 2013
  • A calculation method of the breakdown voltage for the Drain region with the spherical structure in high voltage analog CMOS is proposed. The Drain depletion region is divided into many sub-regions and the doping concentration of each sub-region is assumed to be constant. The field in each sub-region is calculated by the integration of the net charge and the breakdown voltage is calculated using the ionization integral method. The breakdown voltage calculated using the proposed method shows the maximum relative error of 3.3% compared with the result of the 2-dimensional device simulation using BANDIS.

원통형 PN 접합의 항복전압에 대한 근사식과 민감도 (Approximate Equations and sensitivity for Breakdown Voltages of Cylindrical PN Junctions)

  • 윤준호;김해미;최연익;조중열
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2008년도 Techno-Fair 및 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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    • pp.179-180
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    • 2008
  • Approximate equations for cylindrical breakdown voltages of planar pn junctions are proposed and verified. The equations show good agreement with the Baliga's results for rj/Wpp${\leq}0.3$ and with numerical results for rj/Wpp${\geq}0.3$ within 1 % error. Sensitivity of the breakdown voltage with respect to the doping concentrations is successfully derived using the approximate equations. The sensitivity formula can be utilized in the area of tolerance design of power semiconductor devices.

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Chemical synthesis of processable conducting polyaniline derivative with free amine functional groups

  • Kar, Pradip
    • Advances in materials Research
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    • 제3권2호
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    • pp.117-128
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    • 2014
  • Processable conducting polyaniline derivative with free amine functional groups was successfully synthesized from the monomer o-phenylenediamine in aqueous hydrochloric acid medium using ammonium persulfate as an oxidative initiator. The synthesized poly(o-phenylenediamine) (PoPD) in critical condition was found to be completely soluble in common organic solvents like dimethyl sulfoxide, N,N-dimethyl formamide etc. From the intrinsic viscosity measurement, the optimum condition for the polymerization was established. The polymer was characterized by ultraviolet visible spectroscopy, Fourier transform infrared spectroscopy, proton magnetic resonance spectroscopy ($^1HNMR$) and thermogravimetric (TGA) analyses. The weight average molecular weights of the synthesized polymers were determined by the dynamic light scattering (DLS) method. From the spectroscopic analysis the structure was found to resemble that of polyaniline derivative with free amine functional groups attached to ortho/meta position in the phenyl ring. However, very little ladder unit was also present with in the polymer chain. The moderate thermal stability of the synthesized polymer could be found from the TGA analysis. The average DC conductivity of $2.8{\times}10^{-4}S/cm$ was observed for the synthesized polymer pellet after doping with hydrochloric acid.